Что такое vdd и vss: Обозначение цепей питания в иностранных материалах

Обозначение цепей питания в иностранных материалах

РадиоКот >Статьи >

Обозначение цепей питания в иностранных материалах


Каждый человек увлекающийся электроникой сталкивается с материалами иностранного происхождения. И будь то схема электронного устройства или спецификация на чип, там могут встречаться множество различных обозначений цепей питания, которые вполне могут ввести в замешательство начинающего или незнакомого с этой темой радиолюбителя. В интернете достаточно информации чтобы внести ясность в этот вопрос. Далее кратко изложено то что было найдено о происхождении обозначений и их применении.

VCC, VEE, VDD, VSS — откуда такие обозначения? Обозначения цепей питания проистекают из области анализа схем на транзисторах, где, обычно, рассматривается схема с транзистором и резисторами подключенными к нему. Напряжение (относительно земли) на коллекторе (collector), эмиттере (emitter) и базе (base) обозначают VC, VE и VB. Резисторы подключенные к выводам транзистора обозначим RC, RE и RB. Напряжение на дальних (от транзистора) выводах резисторов часто обозначают VCC, VEE и VBB. На практике, например для NPN транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, VCC соответствуют плюсу, а VEE минусу источника питания. Соответственно для PNP транзисторов будет наоборот.

Аналогичные рассуждения для полевых транзисторов N-типа и схемы с общим истоком дают объяснение обозначений VDD и VSS (D — drain, сток; S — source, исток): VDD — плюс, VSS — минус.

Обозначения напряжений на выводах вакуумных ламп могут быть следующие: VP (plate, anode), VK (cathode, именно K, не C), VG (grid, сетка).

Как написано выше, Vcc и Vee используются для схем на биполярных транзисторах (VCC — плюс, VEE — минус), а Vdd и Vss для схем на полевых транзисторах (VDD — плюс, VSS — минус). Такое обозначение не совсем корректно, так как микросхемы состоят из комплементарных пар транзисторов. Например, у КМОП микросхем, плюс подключен к P-FET истокам, а минус к N-FET истокам. Тем не менее, это традиционное устоявшее обозначение для цепей питания независимо от типа проводимости используемых транзисторов.

Для схем с двух полярным питанием VCC и VDD могут интерпретироваться как наибольшее положительное, а VEE и VSS как самое отрицательное напряжение в схеме относительно земли.

Для микросхем питающихся от одного или нескольких источников одной полярности минус часто обозначают GND (земля). Земля может быть разной, например, сигнальная, соединение с корпусом, заземление.

Вот перечень некоторых обозначений (далеко не полный).











Обозначение

Описание

Заметки

GND

Земля (минус питания)

Ground

AGND

Аналоговая земля (минус питания)

Analog ground

DGND

Цифровая земля (минус питания)

Digital ground

Vcc
Vdd
V+
VS+

Плюс питания
(наибольшее положительное напряжение)

Vee
Vss
V-
VS−

Земля, минус питания
(самое отрицательное напряжение)

Vref

Опорное напряжение
(для АЦП, ЦАП, компараторов и др. )

Reference (эталон, образец)

Vpp

Напряжение программирования/стирания

(возможно pp = programming power)

VCORE
VINT

Напряжение питания ядра
(например, в ПЛИС)

Core (ядро)

Internal (внутренний)

VIO
VCCIO

Напряжение питания периферийных схем
(например, в ПЛИС)

Input/Output (ввод/вывод)

Как видно, часто обозначения образуются путём добавления слова, одной или нескольких букв (возможно цифр), которые соответствуют буквам в слове отражающем функцию цепи (например, как Vref).

Иногда обозначения Vcc и Vdd могут присутствовать у одной микросхемы (или устройства), тогда это может быть, например, преобразователь напряжения. Так же это может быть признаком двойного питания. В таком случае, обычно, Vcc соответствует питанию силовой или периферийной части, Vdd питанию цифровой части (обычно Vcc>=Vdd), а минус питания может быть обозначен Vss.

Совмещение в современных микросхемах различных технологий, традиции, или какие-то другие причины, привели к тому, что нет чёткого критерия для выбора того или иного обозначения. Поэтому бывает, что обозначения «смешивают», например, используют VCC вместе с VSS или VDD вместе с VEE, но смысл, обычно, сохраняется — VCC > VSS, VDD > VEE. Например, практически повсеместно, можно встретить в спецификации на микросхемы серии 74HC (HC = High speed CMOS), 74LVC и др., обозначение питания как Vcc. Т.е. в спецификации на CMOS (КМОП) микросхемы используется обозначение для схем на биполярных транзисторах.

Текстов какого либо стандарта (ANSI, IEEE) по этой теме найти не удалось. Именно поэтому в тексте встречаются слова «может быть», «иногда», «обычно» и подобные. Несмотря на это, приведённой информации вполне достаточно, чтобы чуть лучше ориентироваться в иностранных материалах по электронике.

Информация собрана из различных источников в сети Интернет.
Специально для сайта radiokot.ru




Все вопросы в
Форум.


Как вам эта статья?

Заработало ли это устройство у вас?

В чем разница между V CC VCC, V DD VDD, V EE VEE, V SS VSS

Я думаю, что у меня может быть определенный ответ на это. Это название взято из стандарта IEEE 1963 года 255-1963 «Буквенные символы для полупроводниковых устройств» (IEEE Std 255-1963). Я фанат истории электроники, и это может быть интересно другим (фанатикам), поэтому я сделаю этот ответ немного шире, чем необходимо.

Прежде всего, заглавная буква V начинается с пунктов 1.1.1 и 1.1.2 стандарта, которые определяют, что v и V являются символами количества, описывающими напряжение; в нижнем регистре это мгновенное напряжение (1.1.1), а в верхнем — максимальное, среднее или среднеквадратичное напряжение (1.1.2). Для справки:

Параграф 1.2 начинает определять индексы для количественных символов. Подстрочные буквы в верхнем регистре означают значения постоянного тока, а строчные — средние значения переменного тока. Напряжения питания, очевидно, являются напряжениями постоянного тока, поэтому их буквы должны быть в верхнем регистре.

Стандарт определяет 11 суффиксов (букв) с. Эти:

  • E, E для эмиттера
  • B, B для базы
  • C, C для коллекционера
  • J, j для терминала универсального полупроводникового устройства
  • А, Анод
  • K, k для катода
  • G, G для ворот
  • X, x для общего узла в цепи
  • М, м для максимума
  • Мин, мин для минимума
  • (AV) для среднего

Этот стандарт предшествует МОП-транзистору (который был запатентован в августе 1963 года) и, таким образом, не имеет букв для источников и стоков. С тех пор он был заменен новым стандартом, который определяет буквы для Drain и Source, но у меня нет этого стандарта в наличии.

Дополнительные нюансы стандарта, которые определяют дополнительные правила написания символов, делают чтение более увлекательным. Удивительно, как все это стало общеизвестным, что теперь спокойно принимается и понимается даже без нормативной справки.

Параграф 1.3 определяет, как пишутся подписки, особенно когда их несколько. Пожалуйста, прочитайте слова стандарта:

Так, например, V bE означает среднеквадратическое значение (заглавная V) компонента переменного тока (нижний регистр b) Напряжения на базе полупроводникового устройства в отношении значения постоянного тока Напряжения эмиттера полупроводникового устройства (верхний регистр E ).

В случае, если указанный полупроводниковый излучатель напрямую подключен к земле, что, безусловно, считается известным эталоном, тогда среднеквадратичное напряжение переменного тока на базе составляет V b . Постоянное или среднеквадратичное напряжение на базе равно V B, а мгновенное напряжение на базе равно v b .

Теперь о дополнительном кредите: почему V CC вместо V C или V DD вместо V D ? Раньше я думал, что это словосочетание от «Напряжение от коллектора до коллектора», но, очевидно, неудивительно, что оно также определено в стандарте:

Таким образом, V CCB означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе полупроводникового устройства относительно базы устройства, а V CC означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе относительно земли.

На первый взгляд может показаться, что дублирование индекса приведет к двусмысленности, но на самом деле это не так. Прежде всего, случаи, которые кажутся неоднозначными, довольно редки; чтение V CC означает, что напряжение от коллектора устройства к коллектору того же самого устройства является абсолютно нулевым, поэтому нет смысла описывать его. Но что произойдет, если устройство имеет две базы? Стандарт дает ответ. Напряжение от базы 1 устройства до базы 2 устройства записывается как V B1-B2 . А напряжение от базы устройства 1 до базы устройства 2 (обратите внимание — это интересно) записывается как V 1B-2B .

Остается один вопрос: таинственный случай схем CMOS. Как уже указывалось в других ответах, стандарт именования, по-видимому, не выполняется в отношении схем CMOS. На этот вопрос я могу предложить только понимание того, что я работаю в полупроводниковой компании. («Whoah» ожидается здесь.)

Действительно, в CMOS положительные и отрицательные шины подключены к источникам каналов N и P — это практически невозможно сделать другим способом — пороговые напряжения стали бы неоднозначными в стандартных затворах, и я даже не хочу думать о защитных структурах … так что я могу просто предложить следующее: мы привыкли видеть V DD в цепях NMOS (Greetz to @supercat, резистор верхнего рельса действительно обычно является транзистором — для тех, кто заинтересован, пожалуйста, посмотрите превосходную книгу 1983 года » Введение в MOS LSI Design »), и V SS одинакова как для NMOS, так и для CMOS. Поэтому было бы смешно использовать в наших таблицах любые другие термины, кроме V DD и V SS (или V GND ). Наши клиенты привыкли к этим терминам, и они не заинтересованы в эзотерике, а в том, чтобы заставить их проекты работать, поэтому даже попытка представить что-то вроде V SS POSITIVE или V SS NEGATIVE была бы совершенно нелепой и контрпродуктивной.

Поэтому я должен сказать, что просто общепринятым является то, что V CC является напряжением питания биполярной цепи, а V DD является напряжением питания схемы MOS, и это происходит из истории. Аналогично, V EE — это отрицательное напряжение питания (часто заземление) биполярной цепи, а V SS — это отрицательное напряжение питания МОП-цепи.

Если бы кто-то мог предложить нормативную ссылку на последний обсуждаемый вопрос, я был бы безмерно благодарен!

В чем разница между

Я думаю, что у меня может быть определенный ответ на это. Это название взято из стандарта IEEE 1963 года 255-1963 «Буквенные символы для полупроводниковых устройств» (IEEE Std 255-1963). Я фанат истории электроники, и это может быть интересно другим (фанатикам), поэтому я сделаю этот ответ немного шире, чем необходимо.

Прежде всего, заглавная буква V начинается с пунктов 1.1.1 и 1.1.2 стандарта, которые определяют, что v и V являются символами количества, описывающими напряжение; в нижнем регистре это означает мгновенное напряжение (1.1.1), а в верхнем регистре это максимальное, среднее или среднеквадратичное напряжение (1.1.2). Для справки:

Пункт 1.2 начинает определять индексы для количественных символов. Подстрочные буквы в верхнем регистре означают значения постоянного тока, а строчные — средние значения переменного тока. Напряжения питания, очевидно, являются напряжениями постоянного тока, поэтому их буквы должны быть в верхнем регистре.

Стандарт определяет 11 суффиксов (букв) с. Это:

  • E, E для эмиттера
  • B, B для базы
  • C, C для коллекционера
  • J, j для терминала универсального полупроводникового устройства
  • А, Анод
  • K, k для катода
  • G, G для ворот
  • X, x для общего узла в цепи
  • М, м для максимума
  • Мин, мин для минимума
  • (AV) для среднего

Этот стандарт предшествует МОП-транзистору (который был запатентован в августе 1963 года) и, таким образом, не имеет букв для источников и стоков. С тех пор он был заменен новым стандартом, который определяет буквы для Drain и Source, но у меня нет этого стандарта в наличии.

Дополнительные нюансы стандарта, которые определяют дополнительные правила написания символов, делают чтение более увлекательным. Удивительно, как все это стало общеизвестным, что теперь спокойно принимается и понимается даже без нормативной справки.

Параграф 1.3 определяет, как пишутся подписки, особенно когда их несколько. Пожалуйста, прочитайте слова стандарта:

Так, например, V bE означает среднеквадратическое значение (заглавная V) компонента переменного тока (нижний регистр b) напряжения на базе полупроводникового устройства относительно значения постоянного тока напряжения эмиттера полупроводникового устройства (верхний регистр E ).

В случае, когда указанный полупроводниковый излучатель напрямую подключен к земле, что, безусловно, считается известным эталоном, тогда среднеквадратичное напряжение переменного тока на базе составляет V b . Постоянное или среднеквадратичное напряжение на базе равно V B, а мгновенное напряжение на базе равно v b .

Теперь о дополнительном кредите: почему V CC вместо V C или V DD вместо V D ? Раньше я думал, что это словосочетание от «Напряжение от коллектора до коллектора», но, очевидно, неудивительно, что оно также определено в стандарте:

Таким образом, V CCB означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе полупроводникового устройства относительно базы устройства, а V CC означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе относительно земли.

На первый взгляд может показаться, что дублирование индекса приведет к двусмысленности, но на самом деле это не так. Прежде всего, случаи, которые кажутся неоднозначными, довольно редки; чтение V CC означает, что напряжение от коллектора устройства к коллектору того же устройства абсолютно нулевое, поэтому нет смысла описывать его. Но что произойдет, если устройство имеет две базы? Стандарт дает ответ. Напряжение от базы 1 устройства до базы 2 устройства записывается как V B1-B2 . А напряжение от базы устройства 1 до базы устройства 2 (обратите внимание — это интересно) записывается как V 1B-2B .

Остается один вопрос: таинственный случай схем CMOS. Как уже указывалось в других ответах, стандарт именования, по-видимому, не выполняется в отношении схем CMOS. На этот вопрос я могу предложить только понимание того, что я работаю в полупроводниковой компании. («Whoah» ожидается здесь.)

Действительно, в CMOS положительные и отрицательные шины подключены к источникам каналов N и P — это практически невозможно сделать другим способом — пороговые напряжения стали бы неоднозначными в стандартных затворах, и я даже не хочу думать о защитных структурах … так что я могу только предложить это: Мы привыкли видеть V DD в схемах NMOS (Greetz к @supercat, верхний рельс резистор является действительно обычно транзистором — для тех, кто заинтересован, пожалуйста , см отличной 1983 книги » Введение в MOS LSI Design »), и V SS одинакова как для NMOS, так и для CMOS. Поэтому было бы смешно использовать любые другие термины, кроме V DD и V SS (или V GND) в наших таблицах. Наши клиенты привыкли к этим терминам, и они не заинтересованы в эзотерике, а в том, чтобы заставить их проекты работать, поэтому даже идея попытки представить что-то вроде V SS POSITIVE или V SS NEGATIVE была бы совершенно нелепой и контрпродуктивной.

Поэтому я должен сказать, что просто общепризнанно, что V CC — это напряжение питания биполярной цепи, а V DD — это напряжение питания МОП-цепи, и это происходит из истории. Аналогично, V EE — это отрицательное напряжение питания (часто заземление) биполярной цепи, а V SS — это отрицательное напряжение питания МОП-цепи.

Если бы кто-то мог предложить нормативную ссылку на последний обсуждаемый вопрос, я был бы безмерно благодарен!

Мощность

— В чем разница между \ $ V_ {CC} \ $, \ $ V_ {DD} \ $, \ $ V_ {EE} \ $, \ $ V_ {SS} \ $

Думаю, у меня есть однозначный ответ на этот вопрос. Это название происходит из стандарта IEEE 255-1963 1963 года «Буквенные символы для полупроводниковых устройств» (IEEE Std 255-1963). Я фанатик истории электроники, и это может быть интересно другим (фанатикам), поэтому я сделаю этот ответ немного шире, чем необходимо.

Прежде всего, первая заглавная буква V происходит из параграфа 1 стандарта.1.1 и 1.1.2, которые определяют, что v и V — символы количества, описывающие напряжение; в нижнем регистре это означает мгновенное напряжение (1.1.1), а в верхнем регистре — максимальное, среднее или среднеквадратичное напряжение (1.1.2). Для справки:

Параграф 1.2 начинает определять индексы для символов количества. Подстрочные буквы в верхнем регистре означают средние значения постоянного тока и нижний регистр — средние значения переменного тока. Напряжения питания, очевидно, являются напряжениями постоянного тока, поэтому их буквы должны быть заглавными.

Стандарт определяет 11 суффиксов (букв) s.Это:

  • E, e для излучателя
  • B, b для Base
  • C, c для коллектора
  • Дж, j для клеммы полупроводникового прибора общего назначения
  • A, a для анода
  • K, k для Kathode
  • G, g для ворот
  • X, x для общего узла в цепи
  • M, м для максимального
  • Мин, мин для Минимум
  • (AV) для среднего

Этот стандарт предшествует МОП-транзистору (который был запатентован в августе 1963 года) и поэтому не имеет букв для источника и стока.С тех пор он был заменен более новым стандартом, который определяет буквы для Drain и Source, но у меня нет этого стандарта.

Дополнительные нюансы стандарта, которые определяют дополнительные правила написания символов, делают чтение увлекательным. Удивительно, как все это стало общеизвестным, которое теперь спокойно принимается и понимается даже без нормативной ссылки.

Параграф 1.3 определяет, как пишутся индексы, особенно когда их больше одного.Прочтите, пожалуйста, слова стандарта:

Так, например, V bE означает среднеквадратичное значение (заглавная буква V) составляющей переменного тока (нижний регистр b) напряжения на базе полупроводникового устройства по отношению к значению постоянного тока напряжения эмиттера полупроводникового устройства ( верхний регистр E).

В случае, если упомянутый полупроводниковый эмиттер напрямую подключен к земле, что, безусловно, считается известным эталоном, тогда среднеквадратичное напряжение переменного тока на базе составляет V b .Напряжение постоянного или среднеквадратичного значения на базе составляет V B , а мгновенное напряжение на базе составляет v b .

Теперь о дополнительном балле: почему V CC вместо V C или V DD вместо V D ? Раньше я думал, что это разговорный термин от «Напряжение от коллектора до коллектора», но, очевидно, неудивительно, что оно также определено в стандарте:

So V CCB означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе полупроводникового прибора относительно базы устройства, а V CC означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе относительно земли.

На первый взгляд может показаться, что дублирование нижнего индекса приведет к двусмысленности, но на самом деле это не так. Во-первых, случаи, которые кажутся неоднозначными, довольно редки; считывание V CC означает, что напряжение от коллектора устройства до коллектора того же устройства очевидно равно нулю, поэтому нет смысла его описывать. Но что будет, если в устройстве две базы? Стандарт дает ответ. Напряжение от базы 1 устройства к базе 2 устройства записывается как V B1-B2 . А напряжение от базы устройства 1 до базы устройства 2 (обратите внимание — это интересно) записывается как V 1B-2B .

Остается один вопрос: загадочный случай схем CMOS. Как было хорошо указано в других ответах, стандарт именования, похоже, не выполняется в отношении схем CMOS. Отвечая на этот вопрос, я могу предложить только понимание, которое проистекает из того факта, что я работаю в полупроводниковой компании. (здесь ожидается «ого».)

Действительно, в CMOS и положительная, и отрицательная шины подключены к источникам каналов N и P — это практически невозможно сделать по-другому — пороговые напряжения стали бы неоднозначными в стандартных вентилях, и я даже не хочу думать о защите конструкции… так что я могу просто предложить следующее: мы привыкли видеть V DD в схемах NMOS (Greetz to @supercat, резистор верхней шины действительно обычно является транзистором — для тех, кто заинтересован, пожалуйста, посмотрите отличную книгу 1983 года «Введение в конструкцию MOS LSI»), а V SS одинаков как для NMOS, так и для CMOS. Поэтому было бы нелепо использовать в наших таблицах какие-либо другие термины, кроме V DD и V SS (или V GND ). Наши клиенты привыкли к этим терминам, и они заинтересованы не в эзотерике, а в том, чтобы заставить их проекты работать, поэтому даже идея попытки представить что-то вроде V SS POSITIVE или V SS NEGATIVE будет совершенно нелепо и контрпродуктивно.

Итак, я должен сказать, что общепринято, что V CC — это напряжение питания биполярной схемы, а V DD — это напряжение питания МОП-схемы, и это уходит корнями в прошлое. Точно так же V EE — это отрицательное напряжение питания (часто заземление) биполярной схемы, а V SS — отрицательное напряжение питания МОП-цепи.

Если бы кто-нибудь мог предложить нормативную ссылку на последний обсуждаемый пункт, я был бы безмерно благодарен!

Микроконтроллер

— Какая польза от конденсатора между Vdd и Vss (или Vcc и Vee)? Микроконтроллер

— Какая польза от конденсатора между Vdd и Vss (или Vcc и Vee)? — Обмен электротехнического стека

Сеть обмена стеков

Сеть Stack Exchange состоит из 176 сообществ вопросов и ответов, включая Stack Overflow, крупнейшее и пользующееся наибольшим доверием онлайн-сообщество, где разработчики могут учиться, делиться своими знаниями и строить свою карьеру.

Посетить Stack Exchange

  1. 0

  2. +0

  3. Авторизоваться
    Зарегистрироваться

Electrical Engineering Stack Exchange — это сайт вопросов и ответов для профессионалов в области электроники и электротехники, студентов и энтузиастов.Регистрация займет всего минуту.

Зарегистрируйтесь, чтобы присоединиться к этому сообществу

Кто угодно может задать вопрос

Кто угодно может ответить

Лучшие ответы голосуются и поднимаются наверх

Спросил

Просмотрено
2к раз

\ $ \ begingroup \ $

На этот вопрос уже есть ответы :

Закрыт 4 года назад.

Я пытаюсь заставить свой STM32 обмениваться данными через Can. Поэтому я использую CAN-трансивер MCP 2551. Во многих схемах я видел 100 нФ между землей и Vdd. В чем причина этого? Вот пример:

Создан 19 дек.

zerocoolzerocool

7911 серебряный знак55 бронзовых знаков

\ $ \ endgroup \ $

1

\ $ \ begingroup \ $

Это называется развязывающим конденсатором или шунтирующим конденсатором источника питания.Он используется для подавления шума от контактов питания ИС.

Создан 19 дек.

кальций 3000, кальций 3000

2,18911 золотых знаков1111 серебряных знаков3232 бронзовых знака

\ $ \ endgroup \ $

2

язык-с

Электротехнический стек Exchange лучше всего работает с включенным JavaScript

Ваша конфиденциальность

Нажимая «Принять все файлы cookie», вы соглашаетесь с тем, что Stack Exchange может хранить файлы cookie на вашем устройстве и раскрывать информацию в соответствии с нашей Политикой в ​​отношении файлов cookie.

Принимать все файлы cookie

Настроить параметры

Различий между VCC, VDD, VSS, VEE и VPP

Сначала объясните

Vcc: c = circuit указывает значение цепи, то есть напряжение цепи доступа; Vdd: d = device указывает значение устройства, т. е.е. рабочее напряжение внутри устройства;

Vss: s = series обозначает общедоступное соединение, обычно называемое напряжением на клемме общего заземления схемы.

Секунда. описание

1, для цифровой схемы VCC — это напряжение питания схемы, VDD — рабочее напряжение микросхемы (обычно VCC> VDD), VSS — это место срабатывания.

2. Некоторые ICS имеют как вывод VDD, так и вывод VCC, что указывает на то, что само устройство имеет функцию преобразования напряжения.

3. В эффекторе присутствия (или устройстве COM) VDD — сток, VSS — исток, а Vdd и VSS относятся к выводу компонента, а не к напряжению питания.

Положение 1:
VCC, VDD, VEE и VSS относятся к точке агрегации мощности микросхемы и схемы разложения, в зависимости от материала устройства и полярности источника питания. VCC обычно называют C-полюсом транзистора, подключенным непосредственно к интегральной или разложенной схеме, а Vee — это e-полюс, подключенный к внутреннему транзистору интегральной или разложенной схемы.Точно так же VDD, VSS относятся к полюсам D и s полевого транзистора, которые подключены к внутренней разложенной цепи. Например, интеграция, выполненная с использованием процесса P-Groove E / dmos, затем его звонок VDD — отрицательный источник питания, а положительный источник питания VSS Bell.

Так они и получили свое название:

VCC представляет собой источник питания, подключенный к коллектору транзистора (C).

Vee указывает источник питания, подключенный к эмиттеру транзистора (E).

VDD указывает источник питания стока (D), подключенного к трубке с эффектом фермы.

VSS представляет собой источник питания, который подключает источник (S) лампы эффекта фермы.

Обычно VCC и VDD являются источниками питания, а Vee и VSS либо отрицательными, либо заземленными.

Заявление два:

Отличия VDD, VCC, VSS, VEE, VPP

VDD: напряжение питания (униполярное устройство), напряжение питания (цифровая цепь серии 4000), напряжение стока (полевая трубка)

VCC: напряжение питания (биполярное устройство), напряжение питания (цифровая цепь серии 74), несущая голоса (несущая с голосовым управлением)

VSS: заземление или минус питания

VEE: источник отрицательного напряжения, источник полевой трубки (S)

VPP: Программирование / стирание напряжения

Различия между VCC, VDD, VSS, VEE и VPP

Короткое замыкание между Vdd и Vss

Эдуардо, спасибо за ответ.

Вставка мертвого времени выполняется драйвером, устанавливается резистором и рассчитывается правильно, поэтому я уверен, что при управлении двигателем перекрестной проводимости нет. Я проверил действие остановки и не заметил большого увеличения Vbus. Фактически, время, когда uC умирало, было во время движения двигателя, а не во время остановки. Итак, я подумал, что проблема во времени включения / выключения H-моста, и некоторые помехи, которые возникли очень быстро на шине 5V. Теперь я вставил 5V TVS-диод с очень низким напряжением пробоя, чтобы избежать роста Vdd.Из-за недостатка места я вставил этот TVS через керамический конденсатор емкостью 100 мкФ на 5 В, а не около мкК, но для меня это единственный способ.

Что вы думаете об этом? Как я уже говорил вам в предыдущих комментариях, это проект, который отлично работает с S08 uC MC9S08AC16 и другими приложениями, в которых я использую MC9S08JM60. Схема очень похожа, но напряжение питания в последнем примере около 50 В. Я использую ту же схему напряжения питания, в которой получаю 12В с понижающим и 5В с линейным стабилизатором напряжения.Единственная разница — это расположение и конденсатор на шине 12 В: в этом приложении, как вы можете видеть на схеме, я использую 220 мкФ на шине 12 В. На самом деле я не могу установить 220 мкФ в конечном приложении из-за проблем с пространством и проводкой, и я использовал «только» керамический конденсатор 22 мкФ. Я проверил питание 12 В во время нормальной работы и не заметил проблем с линией, связанных с использованием 22 мкФ вместо 220 мкФ.

О текущих измерениях Я вставил ограничитель, который отключает драйвер, если ток слишком высок: когда драйвер отключен, МОП-транзисторы остаются открытыми, и ток может уменьшаться.Я проверял ток во многих ситуациях, в которых мог быть двигатель (это не новое приложение, а новое приложение с семейством KE), и я не заметил выходящих из-под контроля пиков. Как я уже говорил в предыдущих комментариях, на самом деле мы реализовали около сотни таких продуктов, и у нас не было никаких проблем раньше (с использованием микроконтроллеров семейства S08).

Роберто

Объяснение входов напряжения ЖК-дисплея для ЖК-дисплеев

Требуется более подробное объяснение? См. Наш последний ресурс, посвященный входам напряжения ЖК-дисплея.


Эту статью о входах напряжения ЖК-дисплея предоставил: Пол Хэй, инженер-электрик.

Объяснение VCC, VDD, VSS, VEE, V0

Монохромные символьные, графические и статические дисплеи требуют разных входных напряжений. Различные символы напряжения на ЖК-дисплее могут сбивать с толку, но, хотите верьте, хотите нет, в этом безумии есть своя система.

Напряжение ЖК-дисплея: основные сведения о входах питания ЖК-дисплея

Напряжения VCC, VDD, VSS и VEE используются для описания напряжений на различных общих клеммах источника питания.Различия между этими напряжениями проистекают из их происхождения в транзисторных схемах, для которых они изначально использовались.

Эта терминология напряжения ЖК-дисплея исходит от выводов каждого типа транзисторов и их общих соединений в логических схемах. Другими словами, VCC часто применяется к коллекторам BJT (биполярного переходного транзистора), VEE к эмиттерам BJT, стокам VDD к FET (полевым транзисторам) и VSS к источникам FET. В большинстве технических паспортов КМОП (дополнительных металл-оксид-полупроводник) ИС теперь используются VCC и GND для обозначения положительных и отрицательных выводов питания.

Обычно VCC и VDD используются для положительного напряжения, а VSS и VEE — для заземления.

ЖК-дисплеи: что обозначают буквы C, D, S и E?

В эпоху плейстоцена (1960-е или раньше) логика была реализована с помощью биполярных транзисторов. NPN (отрицательный-положительный-отрицательный) использовались, потому что они были быстрее. Имеет смысл называть положительное напряжение питания VCC, где «C» означает коллектор. Отрицательный источник питания был назван VEE, где «E» означает эмиттер.

Когда появилась логика полевого транзистора, использовалось аналогичное соглашение об именах, но теперь положительный источник питания был VDD, где «D» означает сток. Отрицательное предложение было названо VSS, где «S» означает источник. Теперь, когда CMOS является наиболее распространенной логикой, это не имеет смысла. Буква «C» в CMOS означает «дополнительный», но соглашение об именах по-прежнему сохраняется. На практике сегодня VCC / VDD означает положительное напряжение источника питания, а VEE / VSS — отрицательное напряжение питания или заземление.

Почему именно ВДД, а не просто ВД?

Условное обозначение VAB означает потенциал напряжения между VA и VB. Условные обозначения трех букв использовались также для обозначения опорных напряжений источника питания и заземления.В некоторых случаях процессор может иметь как аналоговый, так и цифровой источник питания. В этом случае используются VCCA / VCCD и VSSA / VSSD. Другая причина появления трех букв — в схеме NPN с нагрузочным резистором между коллектором и VCC. VC будет напряжением коллектора. В этом случае VCC — это положительное напряжение источника питания, которое будет выше, чем VC.

ПРИМЕРЫ ЖКД, ИСПОЛЬЗУЮЩИХ ДАННУЮ НОМЕНКЛАТУРУ:

Ниже приводится таблица данных символьного ЖК-дисплея:

Первый контакт обозначается как VSS, который также является GND.Второй вывод — это VDD или положительный вывод питания.

Примечание : Большинство сегментных, символьных и графических дисплеев будут работать с напряжением VDD 5 В или 3,3 В. Можно управлять дисплеем с напряжением всего 3,0 В, но модуль может не работать очень хорошо при более низких температурах. Чем ниже температура окружающей среды, тем больше мощности требуется для привода сегментов.

Третий вывод (3) — это Vo и представляет собой разницу в напряжении между VDD и VSS. Это напряжение ЖК-дисплея регулируется для обеспечения максимальной контрастности.Регулировку можно выполнить с помощью постоянного резистора или переменного потенциометра. Многие продукты имеют прошивки, которые следят за температурой и автоматически регулируют напряжение контрастности.

Что такое V0 на ЖК-дисплее?

В жидкокристаллическом дисплее (ЖКД) V0 используется для изменения яркости или контрастности экрана. Проще говоря, контраст — это соотношение светлых и темных областей на ЖК-дисплее. Обычно это делается в производственной среде со значениями, оптимизированными для большинства пользователей.Температура может оказывать нежелательное влияние на яркость дисплея, и по этой причине для удовлетворения желаний пользователя используется переменный резистор или потенциометр.

Ниже приведен технический паспорт ЖК-модуля 16×2 символов, в котором показаны различные рекомендуемые значения управляющего напряжения. Напряжение на ЖК-дисплее может находиться в диапазоне от MIN (минимум) до TYP (типичное значение) до Max (максимум).

Примечание : чем ниже температура, тем выше напряжение ЖК-дисплея.

Что произойдет, если напряжение управления ЖК-дисплеем будет слишком низким?

Если подаваемое напряжение ЖК-дисплея падает слишком низко, дисплей «недостаточно активен», и на нем будут отображаться «серые» сегменты.Чем ниже напряжение ЖК-дисплея ниже допустимого порога, тем ниже будет контраст.

Что произойдет, если управляющее напряжение ЖК-дисплея будет слишком высоким?

Если ЖК-дисплей перегружен, можно увидеть двоение изображения. Здесь сегменты, которые не должны быть включены, становятся серыми. Они не такие темные, как сегменты, которые должны быть включены, но их можно увидеть и они могут запутать конечного пользователя.

Разъемы питания для настраиваемого ЖК-дисплея

Бывают случаи, когда клиенту необходимо заменить дисплей, который был снят с производства, или EOL (End-Of-Life) от предыдущего поставщика ЖК-дисплея.Распиновка предыдущего ЖК-дисплея может отличаться от стандартного стандартного дисплея Focus. Это не большая проблема.

Focus Displays изменит дизайн печатной платы в соответствии со старым выводом клиента. Это сэкономит время и деньги клиентов, так что им не придется переделывать свою печатную плату.

Подключение питания светодиодной подсветки

Светодиодная подсветка работает от постоянного тока и может питаться от любого из трех источников. Наиболее популярны контакты 15 и 16.Второй по популярности вариант — питание от разъемов «A» и «K» на правой стороне печатной платы.

Третий вариант — питание от первого и второго контактов. Это то же место, из которого ЖК-дисплей получает питание. Компания Focus не рекомендует этот вариант и может модифицировать печатную плату, чтобы заказчик мог подключить подсветку из другого места.

Входы напряжения ЖК-дисплея и насосы заряда

Для многих ЖК-модулей требуется более одного внутреннего напряжения / тока.Это может потребовать от покупателя предоставить необходимые исходные данные. Им может потребоваться питание 3 В, 5 В, 9 В, -12 В и т. Д.

Решением для этого является интеграция накачки заряда (или схемы повышения напряжения) в схему ЖК-дисплея. Это решение работает в большинстве приложений, но если продукт будет работать во внутренней среде, необходимо соблюдать осторожность при компоновке печатной платы.

Искробезопасные ЖК-дисплеи — это жидкокристаллические дисплеи, которые предназначены для работы в условиях, когда дуга или искра могут вызвать взрыв.В этих случаях нельзя использовать нагнетательные насосы. Фактически, общее емкостное значение дисплея должно быть сведено к минимуму.

Focus Display Solutions не производит дисплеев с пометкой «Искробезопасный», но мы проектируем ЖК-дисплей в соответствии с требованиями инженера. Чтобы удовлетворить требования инженера-проектировщика, на дисплее может потребоваться два или три независимых входа. Focus может изменить дизайн печатной платы и разметить дорожки, чтобы учесть эти дополнительные входы.

Ваш ЖК-дисплей снят с производства или устарел? Вам нужен новый поставщик?

Focus Display Solutions может перепроектировать и разработать эквивалентный ЖК-дисплей.

Позвоните сегодня или свяжитесь с нами.

Vcc, Vdd, Vss | Форум электроники (схемы, проекты и микроконтроллеры)

Vcc is Voltage Collector Collector
Vdd is Voltage Drain Drain
.
Vss — источник напряжения Источник
Vce — коллектор-эмиттер напряжения
Vbe — эмиттер базы напряжения
Vec — это коллектор с эмиттером напряжения

(вам лучше написать это правильно при проектировании или анализе ваших схем)

(я не буду говорить о лампах)

Почему первоначальное дублирование (Vcc; CC)? Он позволяет обозначать напряжение «потенциал» коллектора, или эмиттера, или коллектора к эмиттеру и т. Д.Нет разницы потенциалов только на коллекторе, поэтому это напряжение источника, Vcc (потенциал от c до c на коллекторе, так что что бы там ни было, скажем, + 5V). Конечно, это связано с чем-то, поэтому при измерении вы должны подключить вольтметр (или мультиметр) к соответствующему заземлению ((-) черный) цепи, а другой вывод — к Vcc ((+) красный). То же касается эмиттера (Vee) и базы (Vbb). То, как BJT ориентирован в тестируемой цепи, зависит от его собственной ориентации.ПНП или НПН. P означает положительное, а N означает отрицательное, так что это относительное соединение или узловое (некоторые инженеры любят говорить узел) отношения. Я инженер, но был техником на флоте, так что любой из них работает на меня.

Кто-то спросил, почему Vdd (сток) положительный, а Vss (исток) отрицательный. Это вопрос условности. Электроны текут не через атом (с большой массой), поэтому отрицательный (заряд электрона = (-)) на положительный (+) течет от источника (-) к стоку (+). Таким образом, некоторые металлы имеют более отрицательно заряженную молекулу, а другие — менее отрицательно заряженную.Спросите любого физика, почему может быть огромный наземный самолет. Электроны должны откуда-то приходить. Электронный поток всегда, всегда, всегда меняется от отрицательного к положительному. Я сказал всегда, ну, это всегда.

Вспомните свои электронные валентные оболочки вокруг атома из ваших основных классов электричества. Любой студент, изучающий физику II (или выше) или химию, тоже знает эти факты, и лучше не соглашаться. Если они это сделают, они ссылаются на поток заряда.

Конвенция — Здесь две мысли. Электронный поток и дырочный или зарядовый поток.Вот и все. Обратным потоку электронов является «зарядовый» поток. Поток заряда идет от источника положительного напряжения к источнику отрицательного напряжения. Итак, если у вас есть Vcc (+5 вольт) и заземление (0 вольт), обычный поток утверждает, что поток заряда будет происходить в направлении, противоположном электронному потоку. После этого все начинает немного сходить с ума, так что сейчас мы будем проще.

Представьте, что электрон движется в одном направлении, а заряд — в другом (разность потенциалов вызывает реакцию).

На написание этого материала не уйдут месяцы (максимум 10 минут). Все очень просто. Остальные явления и эффекты можно за несколько часов выписать, но только не эту фигню.

BJT — бипереходный транзистор (два диода разделены на одинаковые переходы — PNP и NPN).
FET — полевой транзистор (имеет базу, которая использует электрическое поле для управления проводимостью носителя заряда на полупроводниковом материале: эффекты поля E-H на субстрат).

Извлечение сетей VDD и VSS [6]

Объединение массивов

Сети

VDD и VSS — это самые большие сети (как по площади, так и по количеству полигонов), которые вы найдете в топологии ИС.Таким образом, любой симулятор поля уже будет подвергаться предельной нагрузке при попытке проанализировать ток, протекающий через эти сети.

Проводники для VSS / VDD обычно намного шире, чем проводники, используемые для сигналов, поскольку они должны пропускать большие токи с очень небольшими перепадами напряжения. При переходе от одного слоя к другому необходимо использовать переходное отверстие. Но вместо использования большого переходного отверстия, пропорционального ширине проводника, вы обнаружите, что используется массив маленьких переходных отверстий. Есть вопросы, связанные с процессами, которые требуют такого подхода.

Такой большой набор переходных отверстий заставит симулятор поля генерировать очень сложную сетку, и симулятор будет очень медленно приближаться к решению.

Объединение массива в одно большое переходное отверстие

Мы хотели бы объединить массивные переходные отверстия в одно большое переходное отверстие. Хотя это внесет некоторую ошибку в наш полевой симулятор, размер ошибки был смоделирован и оказался незначительным, если сделаны соответствующие настройки для учета разницы в плотности проводников между матричными переходными отверстиями и сплошными переходными отверстиями.

Наше моделирование будет выполняться быстрее, если массив заменяется одним большим переходным отверстием.

Как объединить переходные отверстия

Мы обнаружили, что массивы переходных отверстий можно безопасно объединить в один большой прямоугольник, используя следующий поток:

    1) GDSFILT используется для отделения слоев переходных отверстий от слоев «трассировки». Если мы пропустим этот шаг, мы закоротим множество проводников, а это не является нашим намерением.

    2) QCKBOOL используется для увеличения размера переходных слоев.Размер прокладки зависит от расстояния между переходными отверстиями. Мы обнаружили, что размера 3 мкм достаточно, чтобы обеспечить перекрытие всех переходных отверстий в массиве, но чтобы смежные массивы не перекрывались.

    3) QCKBOOL используется для объединения слоев переходных отверстий и последующего уменьшения размера получившегося большого прямоугольника на ту же величину, что и изначально. Это оставляет нам прямоугольник, который точно покрывает экстенты массива.

    4) GDSFILT используется для объединения новых слоев переходных отверстий со слоями трассировки.Полученный файл GDSII теперь намного меньше и может быть отправлен в программу моделирования.

Чтобы показать, как это работает на геометрическом уровне, ниже мы нарисовали упрощенный массив (3×3 вместо 10×10).

    a) Массив 3×3 из переходных отверстий 2 мкм на широкой трассе VDD / VSS. Мы упростили массив для наглядности. В реальной ИС массив может состоять от 100 до 900 членов.

    b) переходные отверстия увеличены на 3,1 мкм со всех сторон с помощью программы Artwork’s Qckbool.Это приводит к небольшому перекрытию отдельных элементов массива.

    c) Операция UNION (с использованием QckBool) объединяет перекрывающиеся переходные отверстия в один большой прямоугольник. Однако вы можете видеть, что теперь он «просачивается» за пределы своего первоначального объема.

    d) Размер большого прямоугольника уменьшен на 3,1 мкм. Теперь он точно представляет исходные размеры массива переходных отверстий. Это то, что будет отправлено в программу моделирования.

Сводка по потоку слияния переходных отверстий

Эта операция разделения слоев, увеличения / уменьшения размера и рекомбинации слоев выполняется с использованием сценария для управления как GDSFILT, так и Qckbool; он работает относительно быстро даже с очень большими файлами, поскольку данные в слоях массива довольно просты.Чтобы дать вам представление об уменьшении размера данных, мы выполнили эту операцию с файлом GDSII сети VSS (только 1/9 микросхемы) размером 67 МБ (плоский файл). После слияния переходных отверстий размер результирующего файла GDSII составил 670 КБ — коэффициент уменьшения 100

.

Необходимо выполнить слияние через сеть

Была упущена одна важная деталь — процесс слияния переходных отверстий должен выполняться для каждой сети, то есть, если вы извлекаете и VDD, и VSS для анализа, вы должны создать два независимых файла GDSII из NETEX — один только с данными VDD и одним только с данными VSS.

Это связано с тем, что во время процесса определения размера иерархия GDSII выравнивается, и любая информация о цепях, встроенная в иерархию, теряется (поскольку сети хранятся в своей собственной структуре GDSII .