Что такое vdd и vss: Обозначение цепей питания в иностранных материалах

Обозначение цепей питания в иностранных материалах

РадиоКот >Статьи >

Обозначение цепей питания в иностранных материалах

Каждый человек увлекающийся электроникой сталкивается с материалами иностранного происхождения. И будь то схема электронного устройства или спецификация на чип, там могут встречаться множество различных обозначений цепей питания, которые вполне могут ввести в замешательство начинающего или незнакомого с этой темой радиолюбителя. В интернете достаточно информации чтобы внести ясность в этот вопрос. Далее кратко изложено то что было найдено о происхождении обозначений и их применении.

VCC, VEE, VDD, VSS - откуда такие обозначения? Обозначения цепей питания проистекают из области анализа схем на транзисторах, где, обычно, рассматривается схема с транзистором и резисторами подключенными к нему. Напряжение (относительно земли) на коллекторе (collector), эмиттере (emitter) и базе (base) обозначают VC, VE и VB. Резисторы подключенные к выводам транзистора обозначим RC

, RE и RB. Напряжение на дальних (от транзистора) выводах резисторов часто обозначают VCC, VEE и VBB. На практике, например для NPN транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, VCC соответствуют плюсу, а VEE минусу источника питания. Соответственно для PNP транзисторов будет наоборот.

Аналогичные рассуждения для полевых транзисторов N-типа и схемы с общим истоком дают объяснение обозначений VDD и VSS (D — drain, сток; S — source, исток): VDD — плюс, VSS — минус.

Обозначения напряжений на выводах вакуумных ламп могут быть следующие: VP (plate, anode), VK (cathode, именно K, не C), VG (grid, сетка).

Как написано выше, Vcc и Vee используются для схем на биполярных транзисторах (VCC - плюс, V

EE — минус), а Vdd и Vss для схем на полевых транзисторах (VDD - плюс, VSS — минус). Такое обозначение не совсем корректно, так как микросхемы состоят из комплементарных пар транзисторов. Например, у КМОП микросхем, плюс подключен к P-FET истокам, а минус к N-FET истокам. Тем не менее, это традиционное устоявшее обозначение для цепей питания независимо от типа проводимости используемых транзисторов.

Для схем с двух полярным питанием VCC и VDD могут интерпретироваться как наибольшее положительное, а VEE и VSS как самое отрицательное напряжение в схеме относительно земли.

Для микросхем питающихся от одного или нескольких источников одной полярности минус часто обозначают GND (земля). Земля может быть разной, например, сигнальная, соединение с корпусом, заземление.

Вот перечень некоторых обозначений (далеко не полный).

Обозначение

Описание

Заметки

GND

Земля (минус питания)

Ground

AGND

Аналоговая земля (минус питания)

Analog ground

DGND

Цифровая земля (минус питания)

Digital ground

Vcc
Vdd
V+
VS+

Плюс питания
(наибольшее положительное напряжение)

Vee
Vss
V-
VS−

Земля, минус питания
(самое отрицательное напряжение)

Vref

Опорное напряжение
(для АЦП, ЦАП, компараторов и др. )

Reference (эталон, образец)

Vpp

Напряжение программирования/стирания

(возможно pp = programming power)

VCORE
VINT

Напряжение питания ядра
(например, в ПЛИС)

Core (ядро)

Internal (внутренний)

VIO
VCCIO

Напряжение питания периферийных схем
(например, в ПЛИС)

Input/Output (ввод/вывод)

Как видно, часто обозначения образуются путём добавления слова, одной или нескольких букв (возможно цифр), которые соответствуют буквам в слове отражающем функцию цепи (например, как Vref).

Иногда обозначения Vcc и Vdd могут присутствовать у одной микросхемы (или устройства), тогда это может быть, например, преобразователь напряжения. Так же это может быть признаком двойного питания. В таком случае, обычно, Vcc соответствует питанию силовой или периферийной части, Vdd питанию цифровой части (обычно Vcc>=Vdd), а минус питания может быть обозначен Vss.

Совмещение в современных микросхемах различных технологий, традиции, или какие-то другие причины, привели к тому, что нет чёткого критерия для выбора того или иного обозначения. Поэтому бывает, что обозначения «смешивают», например, используют VCC вместе с VSS или VDD вместе с VEE, но смысл, обычно, сохраняется — VCC > VSS, VDD > VEE. Например, практически повсеместно, можно встретить в спецификации на микросхемы серии 74HC (HC = High speed CMOS), 74LVC и др., обозначение питания как Vcc. Т.е. в спецификации на CMOS (КМОП) микросхемы используется обозначение для схем на биполярных транзисторах.

Текстов какого либо стандарта (ANSI, IEEE) по этой теме найти не удалось. Именно поэтому в тексте встречаются слова «может быть», «иногда», «обычно» и подобные. Несмотря на это, приведённой информации вполне достаточно, чтобы чуть лучше ориентироваться в иностранных материалах по электронике.

Информация собрана из различных источников в сети Интернет.
Специально для сайта radiokot.ru


Все вопросы в Форум.


Как вам эта статья?

Заработало ли это устройство у вас?

В чем разница между V CC VCC, V DD VDD, V EE VEE, V SS VSS

Я думаю, что у меня может быть определенный ответ на это. Это название взято из стандарта IEEE 1963 года 255-1963 "Буквенные символы для полупроводниковых устройств" (IEEE Std 255-1963). Я фанат истории электроники, и это может быть интересно другим (фанатикам), поэтому я сделаю этот ответ немного шире, чем необходимо.

Прежде всего, заглавная буква V начинается с пунктов 1.1.1 и 1.1.2 стандарта, которые определяют, что v и V являются символами количества, описывающими напряжение; в нижнем регистре это мгновенное напряжение (1.1.1), а в верхнем - максимальное, среднее или среднеквадратичное напряжение (1.1.2). Для справки:

Параграф 1.2 начинает определять индексы для количественных символов. Подстрочные буквы в верхнем регистре означают значения постоянного тока, а строчные - средние значения переменного тока. Напряжения питания, очевидно, являются напряжениями постоянного тока, поэтому их буквы должны быть в верхнем регистре.

Стандарт определяет 11 суффиксов (букв) с. Эти:

  • E, E для эмиттера
  • B, B для базы
  • C, C для коллекционера
  • J, j для терминала универсального полупроводникового устройства
  • А, Анод
  • K, k для катода
  • G, G для ворот
  • X, x для общего узла в цепи
  • М, м для максимума
  • Мин, мин для минимума
  • (AV) для среднего

Этот стандарт предшествует МОП-транзистору (который был запатентован в августе 1963 года) и, таким образом, не имеет букв для источников и стоков. С тех пор он был заменен новым стандартом, который определяет буквы для Drain и Source, но у меня нет этого стандарта в наличии.

Дополнительные нюансы стандарта, которые определяют дополнительные правила написания символов, делают чтение более увлекательным. Удивительно, как все это стало общеизвестным, что теперь спокойно принимается и понимается даже без нормативной справки.

Параграф 1.3 определяет, как пишутся подписки, особенно когда их несколько. Пожалуйста, прочитайте слова стандарта:

Так, например, V bE означает среднеквадратическое значение (заглавная V) компонента переменного тока (нижний регистр b) Напряжения на базе полупроводникового устройства в отношении значения постоянного тока Напряжения эмиттера полупроводникового устройства (верхний регистр E ).

В случае, если указанный полупроводниковый излучатель напрямую подключен к земле, что, безусловно, считается известным эталоном, тогда среднеквадратичное напряжение переменного тока на базе составляет V b . Постоянное или среднеквадратичное напряжение на базе равно V B, а мгновенное напряжение на базе равно v b .

Теперь о дополнительном кредите: почему V

CC вместо V C или V DD вместо V D ? Раньше я думал, что это словосочетание от «Напряжение от коллектора до коллектора», но, очевидно, неудивительно, что оно также определено в стандарте:

Таким образом, V CCB означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе полупроводникового устройства относительно базы устройства, а V CC означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе относительно земли.

На первый взгляд может показаться, что дублирование индекса приведет к двусмысленности, но на самом деле это не так. Прежде всего, случаи, которые кажутся неоднозначными, довольно редки; чтение V CC означает, что напряжение от коллектора устройства к коллектору того же самого устройства является абсолютно нулевым, поэтому нет смысла описывать его. Но что произойдет, если устройство имеет две базы? Стандарт дает ответ. Напряжение от базы 1 устройства до базы 2 устройства записывается как V B1-B2

. А напряжение от базы устройства 1 до базы устройства 2 (обратите внимание - это интересно) записывается как V 1B-2B .

Остается один вопрос: таинственный случай схем CMOS. Как уже указывалось в других ответах, стандарт именования, по-видимому, не выполняется в отношении схем CMOS. На этот вопрос я могу предложить только понимание того, что я работаю в полупроводниковой компании. ("Whoah" ожидается здесь.)

Действительно, в CMOS положительные и отрицательные шины подключены к источникам каналов N и P - это практически невозможно сделать другим способом - пороговые напряжения стали бы неоднозначными в стандартных затворах, и я даже не хочу думать о защитных структурах ... так что я могу просто предложить следующее: мы привыкли видеть V DD в цепях NMOS (Greetz to @supercat, резистор верхнего рельса действительно обычно является транзистором - для тех, кто заинтересован, пожалуйста, посмотрите превосходную книгу 1983 года " Введение в MOS LSI Design »), и V SS одинакова как для NMOS, так и для CMOS. Поэтому было бы смешно использовать в наших таблицах любые другие термины, кроме V DD и V SS

(или V GND ). Наши клиенты привыкли к этим терминам, и они не заинтересованы в эзотерике, а в том, чтобы заставить их проекты работать, поэтому даже попытка представить что-то вроде V SS POSITIVE или V SS NEGATIVE была бы совершенно нелепой и контрпродуктивной.

Поэтому я должен сказать, что просто общепринятым является то, что V CC является напряжением питания биполярной цепи, а V DD является напряжением питания схемы MOS, и это происходит из истории. Аналогично, V EE - это отрицательное напряжение питания (часто заземление) биполярной цепи, а V SS - это отрицательное напряжение питания МОП-цепи.

Если бы кто-то мог предложить нормативную ссылку на последний обсуждаемый вопрос, я был бы безмерно благодарен!

В чем разница между

Я думаю, что у меня может быть определенный ответ на это. Это название взято из стандарта IEEE 1963 года 255-1963 "Буквенные символы для полупроводниковых устройств" (IEEE Std 255-1963). Я фанат истории электроники, и это может быть интересно другим (фанатикам), поэтому я сделаю этот ответ немного шире, чем необходимо.

Прежде всего, заглавная буква V начинается с пунктов 1.1.1 и 1.1.2 стандарта, которые определяют, что v и V являются символами количества, описывающими напряжение; в нижнем регистре это означает мгновенное напряжение (1.1.1), а в верхнем регистре это максимальное, среднее или среднеквадратичное напряжение (1.1.2). Для справки:

Пункт 1.2 начинает определять индексы для количественных символов. Подстрочные буквы в верхнем регистре означают значения постоянного тока, а строчные - средние значения переменного тока. Напряжения питания, очевидно, являются напряжениями постоянного тока, поэтому их буквы должны быть в верхнем регистре.

Стандарт определяет 11 суффиксов (букв) с. Это:

  • E, E для эмиттера
  • B, B для базы
  • C, C для коллекционера
  • J, j для терминала универсального полупроводникового устройства
  • А, Анод
  • K, k для катода
  • G, G для ворот
  • X, x для общего узла в цепи
  • М, м для максимума
  • Мин, мин для минимума
  • (AV) для среднего

Этот стандарт предшествует МОП-транзистору (который был запатентован в августе 1963 года) и, таким образом, не имеет букв для источников и стоков. С тех пор он был заменен новым стандартом, который определяет буквы для Drain и Source, но у меня нет этого стандарта в наличии.

Дополнительные нюансы стандарта, которые определяют дополнительные правила написания символов, делают чтение более увлекательным. Удивительно, как все это стало общеизвестным, что теперь спокойно принимается и понимается даже без нормативной справки.

Параграф 1.3 определяет, как пишутся подписки, особенно когда их несколько. Пожалуйста, прочитайте слова стандарта:

Так, например, V bE означает среднеквадратическое значение (заглавная V) компонента переменного тока (нижний регистр b) напряжения на базе полупроводникового устройства относительно значения постоянного тока напряжения эмиттера полупроводникового устройства (верхний регистр E ).

В случае, когда указанный полупроводниковый излучатель напрямую подключен к земле, что, безусловно, считается известным эталоном, тогда среднеквадратичное напряжение переменного тока на базе составляет V b . Постоянное или среднеквадратичное напряжение на базе равно V B, а мгновенное напряжение на базе равно v b .

Теперь о дополнительном кредите: почему V CC вместо V C или V DD вместо V D ? Раньше я думал, что это словосочетание от «Напряжение от коллектора до коллектора», но, очевидно, неудивительно, что оно также определено в стандарте:

Таким образом, V CCB означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе полупроводникового устройства относительно базы устройства, а V CC означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе относительно земли.

На первый взгляд может показаться, что дублирование индекса приведет к двусмысленности, но на самом деле это не так. Прежде всего, случаи, которые кажутся неоднозначными, довольно редки; чтение V CC означает, что напряжение от коллектора устройства к коллектору того же устройства абсолютно нулевое, поэтому нет смысла описывать его. Но что произойдет, если устройство имеет две базы? Стандарт дает ответ. Напряжение от базы 1 устройства до базы 2 устройства записывается как V B1-B2 . А напряжение от базы устройства 1 до базы устройства 2 (обратите внимание - это интересно) записывается как V 1B-2B .

Остается один вопрос: таинственный случай схем CMOS. Как уже указывалось в других ответах, стандарт именования, по-видимому, не выполняется в отношении схем CMOS. На этот вопрос я могу предложить только понимание того, что я работаю в полупроводниковой компании. ("Whoah" ожидается здесь.)

Действительно, в CMOS положительные и отрицательные шины подключены к источникам каналов N и P - это практически невозможно сделать другим способом - пороговые напряжения стали бы неоднозначными в стандартных затворах, и я даже не хочу думать о защитных структурах ... так что я могу только предложить это: Мы привыкли видеть V DD в схемах NMOS (Greetz к @supercat, верхний рельс резистор является действительно обычно транзистором - для тех, кто заинтересован, пожалуйста , см отличной 1983 книги " Введение в MOS LSI Design »), и V SS одинакова как для NMOS, так и для CMOS. Поэтому было бы смешно использовать любые другие термины, кроме V DD и V SS (или V GND) в наших таблицах. Наши клиенты привыкли к этим терминам, и они не заинтересованы в эзотерике, а в том, чтобы заставить их проекты работать, поэтому даже идея попытки представить что-то вроде V SS POSITIVE или V SS NEGATIVE была бы совершенно нелепой и контрпродуктивной.

Поэтому я должен сказать, что просто общепризнанно, что V CC - это напряжение питания биполярной цепи, а V DD - это напряжение питания МОП-цепи, и это происходит из истории. Аналогично, V EE - это отрицательное напряжение питания (часто заземление) биполярной цепи, а V SS - это отрицательное напряжение питания МОП-цепи.

Если бы кто-то мог предложить нормативную ссылку на последний обсуждаемый вопрос, я был бы безмерно благодарен!

Мощность

- В чем разница между \ $ V_ {CC} \ $, \ $ V_ {DD} \ $, \ $ V_ {EE} \ $, \ $ V_ {SS} \ $

Думаю, у меня есть однозначный ответ на этот вопрос. Это название происходит из стандарта IEEE 255-1963 1963 года «Буквенные символы для полупроводниковых устройств» (IEEE Std 255-1963). Я фанатик истории электроники, и это может быть интересно другим (фанатикам), поэтому я сделаю этот ответ немного шире, чем необходимо.

Прежде всего, первая заглавная буква V происходит из параграфа 1 стандарта.1.1 и 1.1.2, которые определяют, что v и V - символы количества, описывающие напряжение; в нижнем регистре это означает мгновенное напряжение (1.1.1), а в верхнем регистре - максимальное, среднее или среднеквадратичное напряжение (1.1.2). Для справки:

Параграф 1.2 начинает определять индексы для символов количества. Подстрочные буквы в верхнем регистре означают средние значения постоянного тока и нижний регистр - средние значения переменного тока. Напряжения питания, очевидно, являются напряжениями постоянного тока, поэтому их буквы должны быть заглавными.

Стандарт определяет 11 суффиксов (букв) s.Это:

  • E, e для излучателя
  • B, b для Base
  • C, c для коллектора
  • Дж, j для клеммы полупроводникового прибора общего назначения
  • A, a для анода
  • K, k для Kathode
  • G, g для ворот
  • X, x для общего узла в цепи
  • M, м для максимального
  • Мин, мин для Минимум
  • (AV) для среднего

Этот стандарт предшествует МОП-транзистору (который был запатентован в августе 1963 года) и поэтому не имеет букв для источника и стока.С тех пор он был заменен более новым стандартом, который определяет буквы для Drain и Source, но у меня нет этого стандарта.

Дополнительные нюансы стандарта, которые определяют дополнительные правила написания символов, делают чтение увлекательным. Удивительно, как все это стало общеизвестным, которое теперь спокойно принимается и понимается даже без нормативной ссылки.

Параграф 1.3 определяет, как пишутся индексы, особенно когда их больше одного.Прочтите, пожалуйста, слова стандарта:

Так, например, V bE означает среднеквадратичное значение (заглавная буква V) составляющей переменного тока (нижний регистр b) напряжения на базе полупроводникового устройства по отношению к значению постоянного тока напряжения эмиттера полупроводникового устройства ( верхний регистр E).

В случае, если упомянутый полупроводниковый эмиттер напрямую подключен к земле, что, безусловно, считается известным эталоном, тогда среднеквадратичное напряжение переменного тока на базе составляет V b .Напряжение постоянного или среднеквадратичного значения на базе составляет V B , а мгновенное напряжение на базе составляет v b .

Теперь о дополнительном балле: почему V CC вместо V C или V DD вместо V D ? Раньше я думал, что это разговорный термин от «Напряжение от коллектора до коллектора», но, очевидно, неудивительно, что оно также определено в стандарте:

So V CCB означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе полупроводникового прибора относительно базы устройства, а V CC означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе относительно земли.

На первый взгляд может показаться, что дублирование нижнего индекса приведет к двусмысленности, но на самом деле это не так. Во-первых, случаи, которые кажутся неоднозначными, довольно редки; считывание V CC означает, что напряжение от коллектора устройства до коллектора того же устройства очевидно равно нулю, поэтому нет смысла его описывать. Но что будет, если в устройстве две базы? Стандарт дает ответ. Напряжение от базы 1 устройства к базе 2 устройства записывается как V B1-B2 . А напряжение от базы устройства 1 до базы устройства 2 (обратите внимание - это интересно) записывается как V 1B-2B .

Остается один вопрос: загадочный случай схем CMOS. Как было хорошо указано в других ответах, стандарт именования, похоже, не выполняется в отношении схем CMOS. Отвечая на этот вопрос, я могу предложить только понимание, которое проистекает из того факта, что я работаю в полупроводниковой компании. (здесь ожидается "ого".)

Действительно, в CMOS и положительная, и отрицательная шины подключены к источникам каналов N и P - это практически невозможно сделать по-другому - пороговые напряжения стали бы неоднозначными в стандартных вентилях, и я даже не хочу думать о защите конструкции... так что я могу просто предложить следующее: мы привыкли видеть V DD в схемах NMOS (Greetz to @supercat, резистор верхней шины действительно обычно является транзистором - для тех, кто заинтересован, пожалуйста, посмотрите отличную книгу 1983 года «Введение в конструкцию MOS LSI»), а V SS одинаков как для NMOS, так и для CMOS. Поэтому было бы нелепо использовать в наших таблицах какие-либо другие термины, кроме V DD и V SS (или V GND ). Наши клиенты привыкли к этим терминам, и они заинтересованы не в эзотерике, а в том, чтобы заставить их проекты работать, поэтому даже идея попытки представить что-то вроде V SS POSITIVE или V SS NEGATIVE будет совершенно нелепо и контрпродуктивно.

Итак, я должен сказать, что общепринято, что V CC - это напряжение питания биполярной схемы, а V DD - это напряжение питания МОП-схемы, и это уходит корнями в прошлое. Точно так же V EE - это отрицательное напряжение питания (часто заземление) биполярной схемы, а V SS - отрицательное напряжение питания МОП-цепи.

Если бы кто-нибудь мог предложить нормативную ссылку на последний обсуждаемый пункт, я был бы безмерно благодарен!

Микроконтроллер

- Какая польза от конденсатора между Vdd и Vss (или Vcc и Vee)? Микроконтроллер

- Какая польза от конденсатора между Vdd и Vss (или Vcc и Vee)? - Обмен электротехнического стека
Сеть обмена стеков

Сеть Stack Exchange состоит из 176 сообществ вопросов и ответов, включая Stack Overflow, крупнейшее и пользующееся наибольшим доверием онлайн-сообщество, где разработчики могут учиться, делиться своими знаниями и строить свою карьеру.

Посетить Stack Exchange
  1. 0
  2. +0
  3. Авторизоваться Зарегистрироваться

Electrical Engineering Stack Exchange - это сайт вопросов и ответов для профессионалов в области электроники и электротехники, студентов и энтузиастов.Регистрация займет всего минуту.

Зарегистрируйтесь, чтобы присоединиться к этому сообществу

Кто угодно может задать вопрос

Кто угодно может ответить

Лучшие ответы голосуются и поднимаются наверх

Спросил

Просмотрено 2к раз

\ $ \ begingroup \ $

На этот вопрос уже есть ответы :

Закрыт 4 года назад.

Я пытаюсь заставить свой STM32 обмениваться данными через Can. Поэтому я использую CAN-трансивер MCP 2551. Во многих схемах я видел 100 нФ между землей и Vdd. В чем причина этого? Вот пример:

Создан 19 дек.

zerocoolzerocool

7911 серебряный знак55 бронзовых знаков

\ $ \ endgroup \ $1\ $ \ begingroup \ $

Это называется развязывающим конденсатором или шунтирующим конденсатором источника питания.Он используется для подавления шума от контактов питания ИС.