Устройства свч это: устройство — это… Что такое свч-устройство?

устройство — это… Что такое свч-устройство?

свч-устройство
свч-устройство

сущ., кол-во синонимов: 1

Словарь синонимов ASIS.
В.Н. Тришин.
2013.

.

  • свч-схема
  • свч-энергия

Смотреть что такое «свч-устройство» в других словарях:

  • СВЧ-устройство — СВЧ устройство, СВЧ устройства …   Орфографический словарь-справочник

  • Гиратор (СВЧ устройство) — У этого термина существуют и другие значения, см. Гиратор. Гиратор  направленный фазовращатель, СВЧ устройство, в котором изменения фаз электромагнитных волн, распространяющихся в противоположных направлениях, отличаются на 180°. Принцип… …   Википедия

  • устройство — (у)строение, построение, строй, склад, складка, уклад, структура, механизм, организм; изготовление, приготовление, выполнение, исполнение, осуществление, организация. См. образование …   Словарь синонимов

  • СВЧ защитное устройство — защитное устройство Ндп. система защиты Устройство, предназначенное для защиты входных цепей приемных устройств от СВЧ мощности, превышающей допустимый уровень, и представляющее собой совокупность каскадов защиты или отдельный каскад защиты.… …   Справочник технического переводчика

  • СВЧ защитное устройство — Устройство, предназначенное для защиты входных цепей приемных устройств от СВЧ мощности, превышающей допустимый уровень, и представляющее собой совокупность каскадов защиты или отдельный каскад защиты. Примечание. Защитные устройства могут быть… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • устройство СВЧ — устройство СВЧ, устройства СВЧ …   Орфографический словарь-справочник

  • устройство блокировки передатчика — Ндп. разрядник блокировки Устройство, обеспечивающее отключение передатчика от остальной части радиолокационной системы на время паузы между СВЧ импульсами высокого уровня мощности. Примечание Под высоким уровнем мощности понимается мощность, при …   Справочник технического переводчика

  • устройство — 2.5 устройство: Элемент или блок элементов, который выполняет одну или более функцию. Источник: ГОСТ Р 52388 2005: Мототранспортны …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • устройство блокировки — 3.12 устройство блокировки: Механическое, электрическое или другое устройство, которое при определенных условиях препятствует работе машины. Источник: ГОСТ 12.2.046.0 2004: Оборудование технологическое для литейного производства. Требования… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • Устройство блокировки передатчика — 111. Устройство блокировки передатчика Ндп. Разрядник блокировки Anti transmit receive Устройство, обеспечивающее отключение передатчика от остальной части радиолокационной системы на время паузы между СВЧ импульсами высокого уровня мощности.… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

Книги

  • Устройство СВЧ и антенны Учебник, Филонов А., Фомин А., Дмитриев Д., Тяпкин В., Фатеев Ю. и др.. Учебник состоит из двух разделов: «Устройства сверхвысоких частот» и «Антенны». В первом изложены основные понятия, расчетные методы и принципы реализации современных антенных устройств СВЧ и… Подробнее  Купить за 1553 руб
  • Микроволновые печи нового поколения: устройство, диагностика неисправностей, ремонт, Кашкаров Андрей Петрович. Отсутствие традиционного теплоносителя, стерильность процесса и безынерционность регулирования нагревом в рабочей камере — таковы главные преимущества СВЧ-печей, которые сегодня радуют хозяев… Подробнее  Купить за 330 руб
  • Микроволновые печи нового поколения устройство диагностика неисправностей ремонт, Кашкаров А.П.. Отсутствие традиционного теплоносителя, стерильность процесса и безынерционность регулирования нагревом в рабочей камере — таковы главные преимущества СВЧ-печей, которые сегодня радуют хозяев… Подробнее  Купить за 299 руб

Другие книги по запросу «свч-устройство» >>

Омский научный семинар«Современные проблемырадиофизики и радиотехники»


Техника СВЧ

Скалярный анализатор цепей Р2М


В секции «Техника СВЧ» представлены доклады, объединенные тематикой разработки и производства сверхширокополосных устройств СВЧ. Большое внимание в докладах секции уделяется перспективным направлениям, появляющимся в настоящее время в данной области, таким как применение методов и средств микроволновой фотоники, использование многослойных технологий производства гибридных интегральных схем СВЧ и лефт-хандед (left-handed transmission lines) и дефект-граунд (defected ground structures) структур для реализации пассивных устройств СВЧ, разработка и применение современной элементной базы. Также обсуждаются вопросы организации современного высокотехнологичного производства активных и пассивных устройств СВЧ.



Техника СВЧ — это область науки и техники, связанная с изучением и использованием свойств электромагнитных колебаний и волн в диапазоне частот от 300 МГц до 300 ГГц. Эти границы условны: в некоторых случаях нижней границей диапазона СВЧ считают 30 МГц, а верхней — 3 ТГц. Весь широкий диапазон СВЧ условно разбивают на отдельные участки, чаще всего определяемые длиной волны l, — участки метровых (l = 10—1 м), дециметровых (100—10 см), сантиметровых (10—1 см), миллиметровых (10—1 мм) и децимиллиметровых (или субмиллиметровых) (1—0,1 мм) волн. Длина волны связана с частотой f соотношением l = c/f, где с — скорость распространения электромагнитных волн в вакууме.


GaAs МИС дискретного СВЧ фазовращателя PFS-X-M-02



Радикальное решение проблемы миниатюризации и надёжности аппаратуры в СВЧ-системах невысокого энергетического потенциала было найдено путём создания полностью полупроводниковых передающих и приёмных устройств, особенно в интегральном исполнении. Так как размеры основных элементов в гибридных и монолитных интегральных схемах СВЧ составляют десятки и единицы мкм, такие устройства, применяемые главным образом на частотах от 1 до 15 ГГц, можно конструировать из элементов цепей с сосредоточенными параметрами и двухпроводных линий. При их разработке наибольшие трудности вызывают проблемы отвода тепла и устранения паразитных связей. Эта область СВЧ техники, а также техника миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов находятся в стадии интенсивного освоения.



Перечень докладов секции Техника СВЧ:

  1. Исследование способа уменьшения емкостного соотношения в STW-резонаторах при помощи подключения внешних индуктивностей

  2. Некоторые современные решения по измерению комплексных коэффициентов передачи и отражения в диапазоне 0.1-50 ГГц доступные отечественным предприятиям радиоэлектронной промышленности

  3. Разработка миниатюрного резонатора на поверхностных поперечных волнах на частоту 76 МГц для малошумящих ВЧ генераторов
  4. Особенности создания тонкопленочных ОАВ-резонаторов с брэгговским отражателем
  5. Отечественная компонентная база радиофотоники: общее состояние, проблемы, перспективы
  6. Изготовление интегральных LC-элементов СВЧ-диапазона по технологии МДМ
  7. Определение верхней границы диапазона рабочих частот полосковых линий, реализованных с использованием технологии PCB
  8. Расчет фильтра на поверхностно-акустических волнах для частоты 2,4 ГГц на основе AlN
  9. Разработка ФНЧ СВЧ диапазона, выполненного на основе микрополосковых линий передачи с постоянным входным сопротивлением
  10. Разработка полосового фильтра СВЧ диапазона выполненного по технологии изготовления микрополосковых плат
  11. Исследование вопросов широкополосного согласования комплексных нагрузок в диапазоне СВЧ при помощи согласующе-корректирующих цепей с распределенными параметрами
  12. Сверхширокополосный радиофотонный смеситель
  13. Исследование и разработка полосового фильтра СВЧ диапазона, выполненного на основе микрополосковых линий
  14. Разработка широкополосного усилителя СВЧ радиосигналов с улучшенными параметрами по выходной мощности
  15. Разработка миниатюрной гибридной интегральной схемы широкополосного фильтра верхних частот диапазона СВЧ
  16. Изучение вариантов построения различных радиофотонных устройств
  17. Радиофотонное детекторное устройство диапазона СВЧ
  18. Сверхширокополосный многофункциональный радиофотонный приёмный тракт для аналоговой обработки сигналов дециметрового, сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн
  19. Разработка корпуса монолитной интегральной микросхемы усилителя диапазона СВЧ
  20. О проблемах разработки сверхширокополосного смесителя СВЧ с высокими частотами сигнала ПЧ
  21. Сверхширокополосный радиофотонный смеситель СВЧ
  22. Флексоэлектричество
  23. Приближённый метод расчёта полосково-нагруженного диэлектрического волновода
  24. Физические явления и эффекты в радиофотонных устройствах
  25. Фотоника как закономерный итог развития мировой науки, техники и промышленности
  26. Об актуальных проблемах в области разработки и производства современных и перспективных приёмных устройств дециметрового, сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн
  27. Особенности проектирования устройств СВЧ тракта на основе ЖК-полимерного (LCP) ламината Ultralam 3000
  28. Особенности технологии изготовления многослойных печатных плат для СВЧ устройств на основе жидкокристаллического полимера (LCP)
  29. Приближенные методы расчета диэлектрических волноводов
  30. Сравнительная оценка потенциальных возможностей полупроводниковых и радиофотонных АЦП
  31. Микроволновая фотоника – определение оптимальных энергетических режимов эксплуатации аналоговых ВОЛС СВЧ
  32. Разрядное устройство СВЧ-диапазона
  33. Разработка широкополосного коаксиально-полоскового разъема СВЧ, имеющего диапазон рабочих частот 0-20 ГГц
  34. Сверхширокополосный приемник радиосигнала на основе многократной субдискретизации
  35. Микроволновая фотоника: оптоэлектронные фильтры и волномеры диапазона СВЧ
  36. Расчет и моделирование направленных ответвителей, выполненных в объеме многослойной подложки из ламината TLX
  37. Микроволновая фотоника — оптоэлектронный автогенератор СВЧ
  38. Конструкции малогабаритных направленных ответвителей, выполненных на основе многослойных диэлектриков
  39. Разработка синтезатора гармонических колебаний
  40. Микроволновая фотоника: экспериментальное определение электрических параметров волоконно-оптической линии связи (ВОЛС) в диапазоне СВЧ
  41. Применение широкополосных логарифмических детекторов в радиоэлектронной аппаратуре
  42. Широкополосный согласованный детектор
  43. Микромодули, выполненные на основе низкотемпературной керамики (LTCC) с применением тонкопленочной технологии
  44. Применение метаматериалов для изготовления СВЧ-устройств
  45. Применение активных фотонных элементов для обработки сигналов
  46. Схемы и принципы работы оптоэлектронных генераторов
  47. Микроволновая фотоника: частотная фильтрация сигналов СВЧ
  48. Физические основы микроволновой фотоники: электрооптические эффекты
  49. Перспективы реализации АЦП с использованием методов микроволновой фотоники.
  50. Определение оптимальных конструкций емкостных и индуктивных элементов многослойных интегральных схем СВЧ, изготовленных по технологии LTCC.
  51. Элементная база микроволновой фотоники.
  52. Разработка методики физической реализации ФНЧ на отрезках линий с высокими и низкими волновыми сопротивлениями.
  53. О перспективах использования методов и средств микроволновой фотоники в сверхширокополосной радиолокации и сверхширокополосной радиосвязи.
  54. Широкополосные устройства частотной селекции диапазона СВЧ.
  55. Метаматериалы в технике СВЧ.
  56. Многослойные технологии реализации перспективных СВЧ устройств.
  57. Микроволновая фотоника.

Внимание,

по всем вопросам участия в семинаре и тематике его проведения Вы можете обратиться непосредственно к руководителю семинара — к.ф.-м.н., Сергею Викторовичу Кривальцевичу по электронной почте: [email protected]радиосеминар.рф.








Секции семинара:

7 Активные свч устройства » СтудИзба

4. Активные свч устройства

СВЧ полупроводниковые приборы.

СВЧ устройства в гибридном исполнении с полупроводниковыми активными элементами используют в основном в маломощных трактах радиопередающих устройств и в приемных трактах радиоэлектронной аппаратуры в качестве генераторов, модуляторов, усилителей и преобразователей.

К наиболее употребительным в настоящее время активным полупроводниковым элементам СВЧ можно отнести транзисторы и диоды с отрицательным сопротивлением разных типов. Кроме того, применяют диоды, имеющие нелинейную зависимость емкости  р—n — перехода от напряжения, например параметрические диоды, варакторы и диоды с накоплением заряда (ДНЗ). За исключением параметрических усилителей и генераторов, устройства с нелинейной емкостью не обладают активными свойствами. Это пассивные умножители СВЧ, а также устройства для амплитудной, частотной и фазовой модуляции.

Рассмотрим кратко свойства СВЧ устройств, построенных на активных и нелинейных пассивных элементах.

Усилители СВЧ мощности на транзисторах применяют в метровом и дециметровом диапазонах при выходных мощностях от сотен ватт (в метровом диапазоне) до единиц и долей ватта на длинноволновой границе сантиметрового диапазона. Широкополосность таких усилителей составляет 10…15%. Коэффициент усиления от 20… … 25 дБ в длинноволновом участке указанного диапазона, до единиц децибел в коротковолновой части этого диапазона. К.П.Д. = 15… …50%, что заметно больше, чем у усилителей мощности, построенных на других полупроводниковых активных элементах СВЧ.

На транзисторах строят малошумящие усилители СВЧ вплоть до сантиметрового диапазона волн при коэффициенте усиления 20…30 дБ и коэффициенте шума 5…8 дБ. Кроме того, на транзисторах выполняют автогенераторы в диапазоне от метровых до сантиметровых волн как с механической, так и с электронной перестройкой частоты. В таких автогенераторах, как правило, используют внешние цепи обратной связи, что усложняет их по сравнению с диодными генераторами. К основным достоинствам транзисторных устройств СВЧ следует отнести повышенное значение К. П. Д. и обеспечение однонаправленных свойств усилителей без введения дополнительных невзаимных элементов.

Генераторы и усилители на диодах с отрицательным сопротивлением используют главным образом в сантиметровом и миллиметровом диапазонах. Принцип действия таких устройств основан на компенсации сопротивления потерь колебательной системы (с учетом сопротивления, вносимого нагрузкой) отрицательной активной составляющей полного сопротивления диода. При полной компенсации потерь в генераторе устанавливаются автоколебания. При частичной компенсации потерь происходит регенеративное усиление внешних колебаний. Для получения автоколебаний в диодном генераторе не требуется внешних цепей обратной связи. Регенеративные усилители не обладая однонаправленными свойствами, требуют использования невзаимных устройств, например, циркуляторов.

В диодных генераторах и усилителях СВЧ используют диоды с различной природой образования отрицательного сопротивления, а именно: лавинно-пролетные диоды (ЛПД), диоды с переносом электронов (ДПЭ), туннельные диоды (ТД).

На ЛПД строят генераторы с выходной мощностью единицы ватт в сантиметровом диапазоне и сотни милливатт в миллиметровом. Широкому применению усилителей на ЛПД препятствуют неудовлетворительные шумовые характеристики, обусловленные лавинным механизмом генерирования носителей заряда в этих диодах. Генераторы на ДПЭ в 3…10 раз уступают по мощности генераторам на ЛПД, однако ДПЭ характеризуются несколько лучшими, чем ЛПД, шумовыми свойствами: коэффициент шума усилителей на ДПЭ 10…15 дБ. Оба типа генераторов имеют приближенно одинаковый к. п. д., измеряемый единицами процентов.

Туннельные диоды применяют в малошумящих усилителях дециметрового и сантиметрового диапазонов. Коэффициент усиления таких усилителей составляет 10…20 дБ при коэффициенте шума 5…7 дБ. Использованию ТД в генераторах и мощных усилителях СВЧ препятствует малое значение рабочего напряжения на диоде (доли вольта), что вызывает необходимость увеличивать ток диода для увеличения мощности. В режиме больших токов и малых напряжений при М-образной вольт-амперной характеристике трудно обеспечивать устойчивость цепи питания ТД. Устойчивость цепи питания используемых на практике источников может быть обеспечена только при рассеянии существенной части мощности источника в стабилизирующем резисторе, а следовательно, при значительном снижении К. П. Д. генератора.

Наилучшими шумовыми свойствами по сравнению с рассмотренными обладают полупроводниковые параметрические усилители, коэффициент шума которых порядка 0,5…3 дБ. Усилители на параметрических диодах применяют в диапазоне от дециметровых до миллиметровых волн с коэффициентами усиления 15…40 дБ. В генераторах накачки параметрических усилителей могут быть использованы ЛПД и ДПЭ. К стабильности частоты, уровню мощности и спектральным характеристикам таких генераторов предъявляют жесткие требования.

Умножители СВЧ на варакторах и ДНЗ применяют обычно для умножения частоты колебаний транзисторных усилителей мощности. С помощью таких транзисторно-варакторных цепочек получают колебания в коротковолновой части дециметрового диапазона и в сантиметровом диапазоне с удовлетворительными для многих практических применений значениями мощности и к. п. д. На выходе варакторных умножителей, работающих с запертым р — n — переходом, могут быть получены колебания миллиметрового диапазона. Как уже отмечаясь, такие умножители не имеют усилительных свойств, коэффициент передачи по мощности у них всегда меньше единицы и тем меньше, чем больше коэффициент умножения.

Особенности гибридных устройств СВЧ с активными и нелинейными элементами.

Полупроводниковые активные элементы СВЧ в настоящее время не могут быть выполнены интегрально с остальными элементами СВЧ устройства. Устройства СВЧ с полупроводниковыми элементами состоят из электромагнитных систем СВЧ, выполненных по тонкопленочной технологии, и навесных полупроводниковых приборов в обычном или бескорпусном исполнении, т. е являются гибридными. Основной задачей в этом случае является миниатюризация устройства. Малые размеры активных полупроводниковых элементов и ограниченность электронного К. П. Д. приводя к чрезмерной локализации тепловыделения и необходимости применять в случае больших мощностей рассеяния эффективные теплоотводы и устройства охлаждения, ограничивающие степень миниатюризации.

Возможности миниатюризации электромагнитных систем в пленочном исполнении связаны со следующим. Основным типом электромагнитной системы в пленочном исполнении является микрополосковая несимметричная линия. Колебательные цепи генераторов и усилителей СВЧ должны содержать резонансные отрезки линий. длина которых соизмерима с длиной полуволны. Для уменьшения эффективной длины волны в линии (примерно в 2,5 раза), а также для сокращения поперечных размеров линии (до десятых долей миллиметра) можно использовать тонкие диэлектрические подложки с большими значениями диэлектрической проницаемости (порядка 10). Однако столь малые поперечные размеры приводят к увеличению потерь проводимости. Кроме того, диэлектрики с большими значениями диэлектрической проницаемости обладают повышенными потерями. В результате добротность колебательных систем такого типа оказывается в среднем на 0,5… 1,5 порядка меньше, чем у волноводных и коаксиальных колебательных систем. В результате уменьшается электромагнитный К. П. Д. мощных усилителей и генераторов и ухудшаются шумовые свойства маломощных устройств.

В дециметровом диапазоне резонансные отрезки линий даже при использовании материалов подложек с большой диэлектрической проницаемостью получаются неприемлемо длинными. Поэтому в указанном диапазоне волн приходится отказываться от использования микрополосковых линий и строить колебательные системы на сосредоточенных индуктивных элементах в виде плоских спиралей в сосредоточенных конденсаторах навесного типа или в пленочном исполнении. Для уменьшения уровня излучения таких элементов их размеры должны быть достаточно малы по сравнению с длиной волны, а следовательно, поперечные размеры проводников (например, плоских спиралей) уменьшаются по сравнению с размерами полосковых линий, потери же проводимости соответственно увеличиваются. Тем не менее значения добротности сосредоточенных элементов могут быть порядка сотни (рис. 2.26). При малых значениях частоты добротность уменьшается из-за уменьшения реактивного сопротивления, а при больших значениях частоты — из-за увеличения потерь проводимости, вызванных скинэффектом, и главным образом потерь на излучение. Практически сосредоточенные индуктивные и емкостные элементы применяют на частотах, не превышающих 1 ГГц.

Отметим еще одну особенность гибридных СВЧ устройств трудность введения элементов настройки и регулировки электромагнитных систем. Введение навесных элементов механической регулировки резко ухудшает технологичность изделия. Неизбежный разброс параметров полупроводниковых элементов, а также ошибки изготовления при отсутствии регулировочных элементов могуг затруднить реализацию оптимальных режимов работы устройства. Поэтому желательно предусматривать элементы подбора параметров электро-магнитных систем, а также использовать электронные способы перестройки.

Итак, гибридные устройства СВЧ могут иметь худшие параметры, чем аналогичные устройства на объемных электромагнитных системах. Тем не менее их применение оправдывается существенным улучшением технологичности, а также уменьшением габаритов и массы, особенно для маломощных устройств.

Конструктивные и топологические решения

При конструировании гибридных устройств СВЧ возможны разнообразные решения, различающиеся способами установки диэлектрических подложек с пленочными и навесными элементами в металлический корпус, способами соединения элементов, выполненных на отдельных подложках, а также способами крепления полупроводниковых приборов.

В маломощных устройствах полупроводниковые приборы можно навешивать на диэлектрическую подложку так же, как и пассивные навесные элементы. При повышенных мощностях желательно обеспечить контакт полупроводникового прибора с корпусом устройства, который в этом случае выполняет роль теплоотвода и радиатора. Для эгого в подложке делают отверстие, в котором и устанавливают полупроводниковый прибор. Соединение усчройств, выполненных на отдельных подложках, может быть либо с использованием коаксиальных разъемов, либо безразъемное. В последнем случае подложки соединяемых устройств располагают вплотную друг к другу в одной плоскости и паяют пленочные проводники и металлизированные основания подложек. При безразъемном соединении могут быть применены как отдельные металлические корпуса, так и один общий для нескольких подложек корпус.

При разработке топологии устройств учитывают требования к плотности размещения микрополосковых и других плeнoчныx элементов, требования минимизации неоднородностей при изгибах и ответвлениях, а также некоторые технологические требования, например, к минимальной ширине полоски или зазора между полосками. В некоторых случаях учитывают соображения, связанные с тепловым режимом устройства. Колебательные системы однокаскадного транзисторного усилителя выполнены на основе микрополосковых линий с использованием навесных конденсаторов в системе блокировки источника питания. Выводы транзистора соединяются с соответствующими контактными поверхностями, обозначенными буквами на рисунке

Расчет геометрических размеров пленочных элементов.

В случае реализации электромагнитных систем СВЧ устройств с использованием отрезков несимметричных микрополосковых линий их геометрические размеры, необходимые для обеспечения заданных электрических характеристик, рассчитывают по формулам и графикам.

Значения пленочных индуктивных элементов, используемых в СВЧ диапазоне, лежат в пределах от единиц до нескольких десятков наногенри. Индуктивные элементы могут быть выполнены в виде отрезков пленочного проводника, а также в виде плоских спиралей.

Значение индуктивности [нГ] металлической полоски без учета влияния металлического основания подложки равно

                                                                 (10)

где l, o —длина и ширина полоски, мм

С учетом влияния металлического оспорения индуктивность рассчитывают по формле:

                                                                                 (11)

где h — толщина подложки

Значение индуктивности в форме круглой или квадратной спирали равно

                                                                                   (12)

где k — коэффициент (k = 5 для круглой и k = 6 для квадратной спирали), Dk—внешний диаметр (сторона) спирали, мм; dк — внутренний диаметр (сторона) спирали, мм; Nк — число витков. Для внешнего диаметра спирали справедлива формула

Dk-dk+(2Nk—1)sk+2w,                                                                                   (13)

где sk — шаг спирали, мм; w— ширина спиральной полоски, мм.

Число витков спирали

Nk= [(Dk+sk)-(dk+2w)]/2sk,                                                                            (14)

Добротность пленочных индуктивных элементов определяют как

                                                                       (15)

где k’ = 2 для круглой и k = 1,6 для квадратной спирали; f— частота ГГц.

Погрешность расчета индуктивных спиральных элементов по приведенным формулам составляет ± 10%. Для расчета геометрических размеров по заданному значению индуктивности следует пользоваться последовательными приближениями.

СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКА • Большая российская энциклопедия

  • В книжной версии

    Том 29. Москва, 2015, стр. 565

  • Скопировать библиографическую ссылку:


Авторы: И. В. Лебедев

СВЧ-ЭЛЕКТРО́НИКА, об­ласть элек­тро­ни­ки, ох­ва­ты­ваю­щая про­бле­мы соз­да­ния и при­ме­не­ния элек­трон­ных при­бо­ров и уст­ройств, пред­на­зна­чен­ных для ра­бо­ты в диа­па­зо­не СВЧ (ус­лов­но от 300 МГц до 3000 ГГц). При при­бли­же­нии к СВЧ ра­бо­та мн. элек­трон­ных ва­ку­ум­ных при­бо­ров с се­точ­ным управ­ле­ни­ем (тет­ро­дов, пен­то­дов и др.) ста­но­вит­ся прак­ти­че­ски не­воз­мож­ной вслед­ст­вие со­из­ме­ри­мо­сти пе­рио­да ко­ле­ба­ний с вре­ме­нем про­лё­та элек­тро­нов в ме­жэ­лек­трод­ном про­стран­ст­ве. Ухуд­ше­ние ра­бо­ты элек­т­рон­ных при­бо­ров с по­вы­ше­ни­ем час­то­ты обу­слов­ле­но так­же влия­ни­ем ин­дук­тив­но­стей и ём­ко­стей элек­тро­дов и вво­дов, со­из­ме­ри­мо­стью ли­ней­ных раз­ме­ров при­бо­ра и его внеш­ней элек­трич. це­пи с ра­бо­чей дли­ной вол­ны.

В ос­но­ву боль­шин­ст­ва совр. СВЧ-при­бо­ров по­ло­же­ны прин­ци­пы взаи­мо­дей­ст­вия но­си­те­лей за­ря­да (гл. обр. элек­тро­нов) с элек­тро­маг­нит­ны­ми СВЧ-по­ля­ми. Важ­ную роль в ра­бо­те та­ких при­бо­ров иг­ра­ют яв­ле­ния груп­пи­ро­ва­ния элек­тро­нов и на­ве­де­ния то­ка во внеш­них це­пях при дви­же­нии но­си­те­лей за­ря­да, а так­же прин­ци­пы от­бо­ра ки­не­тич. или по­тен­ци­аль­ной энер­гии от элек­трон­ных по­то­ков. Ре­ше­ние про­блем СВЧ-э. тре­бу­ет ор­га­нич. слия­ния элек­трон­но­го при­бо­ра с элек­тро­ди­на­мич. уст­рой­ст­ва­ми – ре­зо­на­то­ра­ми, за­мед­ляю­щи­ми сис­те­ма­ми и др. эле­мен­та­ми СВЧ-це­пи.

До­ми­ни­рую­щее по­ло­же­ние в СВЧ-э. за­ни­ма­ют при­бо­ры ва­ку­ум­ной и твер­до­тель­ной (гл. обр. ПП) элек­тро­ни­ки, обес­пе­чи­ваю­щие ге­не­ри­ро­ва­ние, уси­ле­ние и пре­об­ра­зо­ва­ние СВЧ-ко­ле­ба­ний. Су­ще­ст­ву­ет так­же класс га­зо­раз­ряд­ных при­бо­ров СВЧ, ис­поль­зуе­мых в осн. для це­лей ком­му­та­ции и управ­ле­ния СВЧ-ко­ле­ба­ния­ми. При­бо­ры кван­то­вой элек­тро­ни­ки при­ме­ня­ют­ся в СВЧ-диа­па­зо­не пре­им. в ка­че­ст­ве вы­со­ко­ста­биль­ных стан­дар­тов час­то­ты и сверх­ма­ло­шу­мя­щих уси­ли­те­лей сла­бых сиг­на­лов (см. Кван­то­вые стан­дар­ты час­то­ты, Кван­то­вый уси­ли­тель).

Ста­нов­ле­ние СВЧ-э. в 1920-х гг. обу­слов­ле­но пре­ж­де все­го по­треб­но­стью ра­дио­ло­ка­ции в зна­чи­тель­ном по­вы­ше­нии час­то­ты ис­поль­зуе­мых ра­дио­волн для по­лу­че­ния вы­со­кой на­прав­лен­но­сти из­лу­че­ния и уве­ли­че­ния чис­ла ка­на­лов свя­зи. На ос­но­ве дос­ти­же­ний в об­лас­ти фи­зич. ос­нов элек­тро­ни­ки бы­ли раз­ра­бо­та­ны прин­ци­пы ди­на­мич. управ­ле­ния и фа­зо­вой фо­ку­си­ров­ки элек­трон­ных по­то­ков, по­зво­лив­шие пре­одо­леть не­дос­тат­ки элек­тро­ста­тич. се­точ­но­го управ­ле­ния на час­то­тах св. 3 ГГц.

Важ­ный этап раз­ви­тия СВЧ-э. свя­зан с изо­бре­те­ни­ем и раз­ра­бот­кой в 1937–40 СВЧ-трио­дов, ор­га­ни­че­ски объ­е­ди­нён­ных с внеш­ни­ми объ­ём­ны­ми ре­зо­нанс­ны­ми сис­те­ма­ми, про­лёт­ных и от­ра­жат. клис­тро­нов, а так­же мно­го­ре­зо­на­тор­ных маг­не­тро­нов; в сер. 1940-х гг. соз­да­ны лам­пы бе­гу­щей вол­ны (ЛБВ), ис­поль­зую­щие дли­тель­ное взаи­мо­дей­ст­вие элек­трон­но­го по­то­ка и за­мед­лен­ной элек­тро­маг­нит­ной вол­ны. Эти при­бо­ры, ос­та­ва­ясь осн. при­бо­ра­ми ва­ку­ум­ной СВЧ-э., обес­пе­чи­ва­ют по­лу­че­ние в сан­ти­мет­ро­вом диа­па­зо­не длин волн ср. мощ­но­стей до 1 МВт и им­пульс­ных мощ­но­стей вплоть до со­тен МВт при вы­со­ких зна­че­ни­ях кпд, ши­ро­кой по­ло­се ра­бо­чих час­тот и вы­со­кой ста­биль­но­сти час­то­ты и фа­зы ко­ле­ба­ний.

Твер­до­тель­ная СВЧ-э. вплоть до сер. 20 в. бы­ла пред­став­ле­на в осн. де­тек­тор­ны­ми и сме­си­тель­ны­ми по­лу­про­вод­ни­ко­вы­ми дио­да­ми, в ко­то­рых ис­поль­зо­ва­лись ма­ло­инер­ци­он­ные свой­ст­ва p–n-пе­ре­хо­да; та­кие дио­ды ши­ро­ко при­ме­ня­ют­ся в кон­троль­но-из­ме­рит. ап­па­ра­ту­ре и во вход­ных це­пях при­ём­ных СВЧ-уст­ройств. От­кры­тие в 1959 ла­вин­но-про­лёт­ных дио­дов, а в 1963 Ган­на дио­дов по­зво­ли­ло соз­дать на их ос­но­ве твер­до­тель­ные ма­ло­мощ­ные ге­не­ра­то­ры и уси­ли­те­ли СВЧ, при­бли­жаю­щие­ся по сво­им па­ра­мет­рам и ха­рак­те­ри­сти­кам к от­ра­жат. клис­тро­нам. На ос­но­ве ПП дио­дов с не­ли­ней­ной ём­ко­стью в 1950–60-х гг. раз­ра­бо­та­ны так­же па­ра­мет­ри­че­ские уси­ли­те­ли, не ус­ту­паю­щие по уров­ню шу­ма наи­бо­лее со­вер­шен­ным ЛБВ.

Со­вер­шен­ст­во­ва­ние тран­зи­сто­ров в 1970–80-х гг. обу­сло­ви­ло даль­ней­шее раз­ви­тие твер­до­тель­ной СВЧ-э. Осо­бые ус­пе­хи дос­тиг­ну­ты в сни­же­нии ко­эф. шу­ма уси­ли­те­лей на по­ле­вых тран­зи­с­то­рах, что оп­ре­де­ли­ло их ис­поль­зо­ва­ние во вход­ных це­пях при­ём­ных уст­ройств. Раз­ра­бо­та­ны так­же СВЧ-уст­рой­ст­ва на ос­но­ве пе­ре­клю­чат. дио­дов и ог­ра­ни­чи­тель­ных дио­дов, обес­пе­чи­ваю­щие за­щи­ту вхо­да при­ём­ни­ка из­лу­че­ния и управ­ле­ние фа­зой и мощ­но­стью ге­не­ри­руе­мых элек­тро­маг­нит­ных ко­ле­ба­ний.

Ва­ку­ум­ные и твер­до­тель­ные при­бо­ры «про­ник­ли» в мил­ли­мет­ро­вый и суб­мил­ли­мет­ро­вый диа­па­зо­ны длин волн. Наи­бо­лее ко­рот­кая дли­на вол­ны ко­ге­рент­ных ко­ле­ба­ний, по­лу­чен­ная с по­мо­щью лам­пы об­рат­ной вол­ны, со­став­ля­ет ок. 0,2 мм. Про­бле­ма по­лу­че­ния вы­со­ких мощ­но­стей (до 1 МВт) в мил­ли­мет­ро­вом диа­па­зо­не ус­пеш­но ре­ше­на бла­го­да­ря соз­да­нию ма­зе­ров на цик­ло­трон­ном ре­зо­нан­се.

Ре­шаю­щую роль в соз­да­нии и со­вер­шен­ст­во­ва­нии при­бо­ров СВЧ-э. иг­ра­ет но­вей­шая ва­ку­ум­ная и ПП тех­но­ло­гия, ис­поль­зо­ва­ние сверх­чис­тых ма­те­риа­лов, раз­ра­бот­ка и при­ме­не­ние элек­тро­ис­кро­вой об­ра­бот­ки, пре­ци­зи­он­ной фо­то­ли­то­гра­фии, но­вых ме­то­дов свар­ки и др. Реа­ли­за­ция зна­чит. плот­но­сти то­ка, не­об­хо­ди­мой для боль­шин­ст­ва ва­ку­ум­ных СВЧ-при­бо­ров, ста­ла воз­мож­ной бла­го­да­ря усо­вер­шен­ст­во­ва­нию и раз­ра­бот­ке но­вых ти­пов ка­то­дов, свой­ст­ва ко­то­рых оп­ре­де­ля­ют осн. экс­плуа­тац. и по­тре­би­тель­ские ха­рак­те­ри­сти­ки элек­тро­ва­ку­ум­ных при­бо­ров. Осо­бен­но ши­ро­кие пер­спек­ти­вы су­ще­ст­ву­ют в об­лас­ти СВЧ ин­те­граль­ных схем, вы­пол­няе­мых на ос­но­ве со­еди­не­ний АIIIВVи др.

Об­ласть при­ме­не­ния элек­трон­ных СВЧ-при­бо­ров не­пре­рыв­но рас­ши­ря­ет­ся. На­ря­ду с ра­дио­ло­ка­ци­ей, ра­дио­на­ви­га­ци­ей и ра­дио­ре­лей­ной свя­зью, эти при­бо­ры всё ши­ре ис­поль­зу­ют­ся в те­ле­виде­нии, кос­мич. свя­зи, ра­дио­те­ле­мет­рии и т. п. Те­п­ло­вые и др. эф­фек­ты, соз­да­вае­мые СВЧ-из­лу­че­ни­ем, на­хо­дят ши­ро­кое при­ме­не­ние в об­ра­бот­ке раз­но­об­раз­ных ве­ществ и про­дук­тов, в мед. ди­аг­но­сти­ке и те­ра­пии. Про­во­дят­ся фун­дам. ис­сле­до­ва­ния по при­ме­не­нию СВЧ-э. в био­ло­гии и энер­ге­ти­ке, в т. ч. по пе­ре­да­че энер­гии и ре­ше­нию про­бле­мы тер­мо­ядер­но­го син­те­за.

См. так­же Ва­ку­ум­ная элек­тро­ни­ка, По­лу­про­вод­ни­ко­вая элек­тро­ни­ка.

3.4 Устройства свч с применением ферритов

Использование
ферритов на СВЧ обусловлено спецификой
распространения в них радиоволн.
Теоретически аспекты этого вопроса
рассмотрены в дисциплине «Электродинамика
и распространение радиоволн». Рассмотрим
кратко эффекты, происходящие в
подмагниченных ферритах при распространении
в них электромагнитных волн СВЧ-диапазона.

Основные
свойства ферритов на СВЧ. Феррит
представляет собой разновидность
магнитной керамики с εr
= 8…16 и tgδ
= 10-2…10-3.
Магнитная проницаемость феррита в
СВЧ-диапазоне определяется гиромагнитными
свойствами электронов. При вращении
вокруг своей оси электрон, имеющий массу
и заряд, создает механический Rэ
и магнитный Mэ
моменты, направленные в противоположные
стороны (рис. 3.36). Области феррита, в
которых магнитные моменты большей части
электронов ориентированы одинаково,
называются доменами. Объем одного домена
примерно 10-12
см3.
Из-за их произвольной ориентации в
феррите результирующий магнитный момент
равен нулю.

Рис. 3.36
Электрон в магнитном поле

Рис. 3.37 Петля
гистерезиса

В постоянном
магнитном поле Н0
ось вращения электрона ориентируется
по направлению этого поля. Поэтому
магнитные моменты отдельных доменов
ориентируются одинаково и образуют
результирующий магнитный момент
подмагниченного феррита. Подмагниченный
феррит характеризуется: вектором
намагниченности М,
определяемый как предел отношения
результирующего магнитного момента
феррита к его объему при стремлении
последнего к нулю; тензором магнитной
проницаемости ||μ|| и вектором магнитной
индукции B
= μ0(H
+ M)
= ||μ||H.
С ростом напряженности постоянного
магнитного поля Н0
происходит переориентация доменов,
растут результирующий магнитный момент
и магнитная индукция феррита. Это
продолжается до тех пор, пока векторы
Н0
и M
не станут параллельными. При дальнейшем
росте Н0
происходит ориентация по полю не
сориентированных в доменах электронов,
после чего наступает насыщение феррита.
С уменьшением Н0
происходит уменьшение магнитной
индукции. При этом закон убывания
магнитной индукции не совпадает с
законом ее нарастания. Это называется
явлением гистерезиса (рис. 3.37). Петля
гистерезиса характеризуется индукцией
насыщения Bs,
остаточной намагниченностью Br
и коэрцитивной силой Hc.
Остаточная намагниченность находит
применение в фазовращателях на ППГ для
обеспечения внутренней памяти.

При
отклонении оси вращения электрона,
находящегося в постоянном магнитном
поле, какой-либо внешней силой, она
начинает прецессировать (вращаться)
вокруг направления устойчивого
равновесия. Прецессия всегда происходит
по часовой стрелке, если смотреть в
направлении Н0.
При наличии потерь прецессия происходит
по спирали, сходящейся к направлению
Н0
(см. рис. 3.36). Роль внешней силы, отклоняющей
вращение электрона при распространении
в феррите радиоволны, играет переменное
магнитное поле этой волны. Таким образом,
все многообразие свойств феррита при
распространении в нем радиоволн
определяется величиной и взаимной
ориентацией постоянного подмагничивающего
поля Н0
и высокочастотного поля Н.
Из электродинамики известно, что в
феррите, намагниченном полем Н0,
которое ориентировано вдоль оси z,
магнитная индукция B
и магнитное поле Н
связаны соотношением:

.

В развернутом виде
это соотношение имеет вид:

,

где μ, k
– комплексные элементы тензора магнитной
проницаемости, зависящие от Н0
и частоты ω; μ0
= 4π10-7
Г/м – абсолютная магнитная проницаемость.
Отсюда следует, что если вектор Н
высокочастотного поля параллелен оси
z,
т.е. Hx
= Hy
= 0, Hz
= H,
то вектор магнитной индукции имеет
единственную компоненту Bz
= μ0H,
и гиромагнитные свойства в феррите не
проявляются. Если же вектор магнитного
поля Н
имеет круговую поляризацию, и плоскость
вращения перпендикулярна подмагничивающему
полю, то вектор магнитной индукции также
имеет круговую поляризацию, по направлению
совпадающую с вектором Н.
Действительно, положим H
= x0H
± iy0H,
где x0,
y0
– единичные орты прямоугольной системы
координат; нижний знак соответствует
круговой поляризации правого вращения
(по часовой стрелке, если смотреть в
направлении Н0),
а верхний – левого вращения (против
часовой стрелки, если смотреть в
направлении Н0).
Найдем Bx
, By
и Bz:

– для правого вращения;

– для левого вращения;

В этих
выражениях μ+
и μ

–комплексные магнитные проницаемости
феррита для волн круговой поляризации
правого и левого вращений соответственно.
Итак, зная направление и величину
погмагничивающего постоянного поля
Н0,вычислив
действительную и мнимую части μ+
и μ,представив
высокочастотное поле Н
в виде линейной комбинации полей с
круговой поляризацией правого и левого
вращений, можно найти значения Bx
и By
и установить происходящие в феррите
гиромагнитные эффекты. На рис. 3.38
представлены зависимости

и μ
от величины подмагничивающего поля при
совпадении частоты ω с частотой прецессии
электронов.

Рис. 3.38
Зависимость магнитной проницаемости
феррита для волн с круговой поляризацией
магнитного поля от величины подмагничивающего
поля

Эффект
Фарадея происходит при распространении
в феррите электромагнитной линейно
поляризованной волны в направлении
подмагничивающего поля (см. рис. 3.35). Он
проявляется в повороте плоскости
поляризации этой волны на некоторый
угол Ψ при прохождении через продольно
подмагниченный феррит. При этом величина
подмагничивающего поля Н0
должна соответствовать точке 1 на рис.
3.38. В этой точке значения действительных
частей магнитных проницаемостей феррита
для волн круговой поляризации правого

и левого

вращений, причем

.
Линейно поляризованная волна может
быть представлена в виде комбинации
равно амплитудных волн правого и левого
вращений. Из-за различия магнитных
проницаемостей этих волн они имеют в
феррите различные фазовые скорости

и приобретают различные фазовые набеги
при распространении на одинаковое
расстояние. Поэтому линейно поляризованный
вектор, образованный суммированием
полей волн правого и левого вращений,
повернется на некоторый угол Ψ,
пропорциональный разности коэффициентов
фазы этих волн. Поворот плоскости
поляризации всегда происходит по часовой
стрелке, если смотреть в направлении
вектора подмагничивающего поля Н0
и не зависит от направления распространения
волны, т.е. эффект Фарадея является
невзаимным эффектом.

Эффект
смещения поля происходит при распространении
волн поперек подмагничивающего поля
Н0,
причем вектор Н
распространяющейся волны имеет круговую
поляризацию правого вращения в плоскости,
перпендикулярной Н0
(рис. 3.39).

Рис. 3.39
Ориентация векторов Н0
и Н
при поперечном ферромагнитном резонансе

При этом
величина подмагничивающего поля Н0
должна соответствовать точке 2 на рис.
3.38. В этой точке значение действительной
части магнитной проницаемости феррита
для волн правого вращения отрицательно,
что соответствует мнимому значению
коэффициента фазы волны. Поэтому такая
волна в феррите не распространяется, и
поле вытесняется из феррита. При этом
волна левого вращения распространяется
в таком феррите как в обычном диэлектрике
с повышенными значениями диэлектрической
и магнитной проницаемостей. При изменении
направления вращения вектора Н.
Поэтому эффект смещения поля является
невзаимным эффектом.

Эффект
ферромагнитного резонанса происходит
при тех же условиях, что и эффект смещения
поля. Отличие состоит лишь в величине
подмагничивающего поля, которая должна
соответствовать точке 3 на рис. 3.38. В
этой точке мнимая часть магнитной
проницаемости феррита для волны правого
вращения имеет резонансное значение,
определяющее большие тепловые потери.
Эти потери обусловлены тем, что энергия
высокочастотного поля волны расходуется
на поддержание прецессии электронов в
феррите, так как направление вращения
вектора Н
этой волны совпадает с направлением
прецессии, а частота электромагнитных
колебаний совпадает с частотой прецессии
электронов. Как и эффект смещения поля,
поперечный ферромагнитный резонанс
является невзаимным эффектом.

Вентили
СВЧ. Вентиль представляет собой устройство
СВЧ, пропускающее без потерь мощность
в прямом направлении со входа на выход
и полностью поглощает мощность СВЧ,
подведенную к его выходу. На эквивалентной
схеме вентиль отображается в виде
невзаимного четырехполюсника (рис.
3.40) и имеет матрицу рассеяния вида:

,

где φ –
фазовый сдвиг, вносимый вентилем при
прохождении волны со входа 1 на вход 2.

Рис. 3.40 Условное
обозначение вентиля

Видно,
что матрица рассеяния вентиля –
несимметрическая и не унитарная.
Следовательно, вентиль является
невзаимным устройством СВЧ с потерями.
Наибольшее распространение на практике
получили резонансные вентили, вентили
со смещением поля и поляризационные
вентили.

Резонансный
вентиль на прямоугольном волноводе с
волной Н10
(рис. 3.41) состоит из ферритовой пластинки
1, размещенной параллельно продольной
оси волновода на таком расстоянии от
его узкой стенки, где амплитуды продольной
и поперечной составляющих магнитного
поля равны. В этом сечении вектор
магнитного поля вращается в плоскости
Н
в направлении, задаваемом направлением
распространения волны.

Рис. 3.41 Вентиль на
прямоугольном волноводе

Поперечное
подмагничивающее поле Н0
создается постоянным магнитом 2. В основу
работы такого вентиля положен эффект
ферромагнитного резонанса. Для падающей
волны в месте расположения феррита
вектор магнитного поля вращается против
часовой стрелки, что соответствует
волне левого вращения. Такая волна
распространяется по волноводу с ферритом
практически без потерь. Отраженная
волна в месте расположения феррита
имеет вектор магнитного поля правого
вращения и интенсивно поглощается
ферритом. Диэлектрическая пластина 3
предназначена для расширения рабочей
полосы частот вентиля. Недостатком
резонансного вентиля является большая
напряженность подмагничивающего поля
Н0
и, следовательно, большой вес постоянного
магнита и самого вентиля.

Этот
недостаток в значительной степени
устраняется в вентилях, построенных на
основе эффекта смещения поля. Конструктивно
он выполняется так же, как и резонансный
вентиль. Отличие состоит в том, что
вместо диэлектрической пластины 3 (см.
рис. 3.41) боковая поверхность феррита
покрыта радиопоглощающей пленкой. Место
расположения ферритовой пластинки
выбирается таким, чтобы для падающей
волны оно соответствовало правому
вращению вектора Н.
В этом случае магнитная проницаемость
феррита отрицательная, коэффициент
фазы в феррите становится чисто мнимым
и поле волны вытесняется из феррита
(рис. 3.42).

Рис. 3.42
Распределение поперечного электрического
поля в волноводе вентиля со смещением

Волна
распространяется по волноводу практически
без потерь, так как в месте расположения
поглощающей пленки образуется ноль
поперечного электрического поля.
Отраженная волна в месте расположения
феррита имеет положительную магнитную
проницаемость. Для этой волны в месте
расположения поглощающей пленки
образуется максимум поперечной
составляющей электрического поля, и
она интенсивно поглощается этой пленкой.

Поляризационный
вентиль (рис. 3.43, а) состоит из поляризатора
с волной Н11
(см. рис. 3.34), принцип работы которого
рассмотрен ранее и основан на использовании
эффекта Фарадея. К входам поляризатора
подключены плавные переходы 1ˊ и 2,
являющиеся входом и выходом вентиля.
Внутри переходов размещены поглощающие
пластины 3ˊ. Параметры ферритового
стержня 1ˊ и соленоида 4ˊ подобраны так,
чтобы обеспечивать поворот на угол Ψ =
45° плоскости поляризации, проходящей
по круглому волноводу волны Н11.

Рис. 3.43 Поляризационный
вентиль

При
возбуждении вентиля 1 волной Н10
прямоугольного волновода (рис. 3.43, б)
она в плавном переходе 2ˊ преобразуется
в волну Н11
круглого волновода. Это преобразование
происходит без поглощения мощности СВЧ
пластиной 3ˊ, так как силовые линии
электрического поля проходящей волны
перпендикулярны пластине. Пройдя через
поляризатор, плоскость поляризации
волны Н11
поворачивается по часовой стрелке на
45°, и силовые линии электрического поля
оказываются параллельными узким стенкам
выходного прямоугольного волновода.
Второй плавный переход преобразует без
потерь волну Н11
круглого волновода в волну Н10
прямоугольного волновода 2. При возбуждении
последнего волной Н10
(рис. 3.43, в) она без потерь преобразуется
в волну Н11
круглого волновода. Пройдя поляризатор,
плоскость поляризации волны Н11
поворачивается по часовой стрелке на
45°, так как направление вращения плоскости
поляризации в эффекте Фарадея определяется
направлением подмагничивающего поля
Н0
и не зависит от направления распространения
волны. Таким образом, силовые линии
электрического поля волны Н11
оказываются параллельными поглощающей
пластине и широким стенкам прямоугольного
волновода 1. Мощность СВЧ, переносимая
этой волной, интенсивно поглощается
пластиной 3ˊ, и на вход 1ˊ волна не
проходит.

Вентили
используются как элементы развязки в
трактах СВЧ, например, для устранения
вредного воздействия отраженной волны
на генератор СВЧ-колебаний.

Циркуляторы
СВЧ. Циркуляторы представляют собой
устройства СВЧ, имеющие три или четыре
входных линии передачи (рис. 3.44), причем
мощность СВЧ без потерь передается в
одном направлении, например, с входа 1
на вход 2, с входа 2 на вход 3 и т.д.

Рис. 3.44 Условные
обозначения циркуляторов:

а –
Y-циркулятор,
б – X-циркулятор

Циркуляторы,
имеющие три входные линии передачи,
называются Y-циркуляторами.
Циркуляторы с четырьмя входами называются
X-циркуляторами.
На эквивалентной схеме такие циркуляторы
отображаются в виде шестиполюсника или
восьмиполюсника соответственно и имеют
матрицы рассеяния:

,

,

где φ –
фазовый сдвиг, вносимый циркулятором
при прохождении волны с одного входа
на другой. Видно, что матрицы рассеяния
цируляторов – несимметрические, но
унитарные. Следовательно, циркулятор
является невзаимным устройством СВЧ
без потерь. Наибольшее практическое
применение имеют Y-циркуляторы,
использующие различие магнитных
проницаемостей феррита для волн круговой
поляризации поля правого и левого
вращений, а также поляризационный и
фазовый X-циркуляторы.

Волноводный
Y-циркулятор
(рис. 3.45) выполнен на основе Н-плоскостного
Y-тройника,
на оси которого размещены ферритовый
диск 1ˊ и диэлектрическое кольцо 2ˊ.
Сверху и снизу ферритового диска
размещены постоянные магниты (на рис.
3.45 не показаны). Диэлектрические штыри
3ˊ предназначены для согласования входов
циркулятора.

Рис. 3.45
Волноводный Y-циркулятор

Диэлектрическое
кольцо предназначено для повышения
температурной стабильности и устойчивости
характеристик Y-циркулятора
к изменению подмагничивающего поля.
При возбуждении, например, входа 1 волной
Н10
прямоугольного волновода она разделяется
на две волны, огибающие ферритовый диск.
Направления вращения вектора Н
этих волн в месте расположения феррита
оказываются противоположными. Поэтому
магнитные проницаемости ферритов для
этих волн μ+
и μ
оказываются различными. Это обуславливает
различие фазовых скоростей волн,
огибающих ферритовый диск с разных
сторон. Размеры и параметры феррита
подбирают такими, чтобы эти волны на
входе 2 циркулятора складывались по
фазе, а на входе 3 – в противофазе. Из-за
поворотной симметрии Y-циркулятора
аналогичные процессы будут происходить
при возбуждении входов 2 и 3.

Поляризационный
циркулятор (рис. 3.46, а) имеет конструкцию,
аналогичную поляризационному вентилю
(см. рис. 3.43). Отличие состоит в том, что
поглощающие пластины заменены волноводными
входами 3 и 4 циркулятора. Причем вход 4
развернут относительно входа 3 на 45° оп
часовой стрелке, если смотреть в
направлении поля Н0.
На рис. 3.46, б), в), г) и д) схематично показаны
взаимное расположение и структура полей
в различных сечениях при возбуждении
каждого из его входов. При возбуждении
входа 1 мощность СВЧ проходит на вход 2
так же, как в поляризационном вентиле.
Входы 3 и 4 оказываются развязанными,
поскольку при ориентации силовых линий
поля, показанной на рис. 3.46, б), в них
возбуждаются Е-волны,
которые находятся в закритическом
режиме. При возбуждении входа 2 мощность
СВЧ передается на вход 3, так как после
прохождения поляризатора плоскость
поляризации волны Н11
повернется на 45° по часовой стрелке, и
силовые линии электрического поля
станут перпендикулярными широким
стенкам волновода входа 3. При этом входы
1 и 4 оказываются развязанными, поскольку
в них не возбуждается основная волна
Н10.
Аналогично объясняется передача с входа
3 на вход 4 и с входа 4 на вход 1 (рис. 3.46,
г) и д) соответственно).

Рис. 3.46 Циркулятор
на круглом волноводе:

1ˊ –
ферритовый стержень; 2ˊ – переход от
круглого к прямоугольному волноводу;
3ˊ – боковые ответвления к прямоугольному
волноводу; 4ˊ – соленоид

Фазовый
циркулятор является X-циркулятором,
и его схема показана на рис. 3.47.

Рис. 3.47 Схема фазового
циркулятора

Он состоит
из двух, например, волноводно-щелевых
мостов, между которыми включен невзаимный
фазовращатель. При прохождении волны
через такой фазовращатель направо ее
фаза не изменяется, а при обратном
прохождении изменяется на 180°.

Такой
фазовращатель на прямоугольном волноводе
выполняется в виде ферритовой поперечно
подмагниченной пластинки, расположенной
параллельно оси волновода в месте
круговой поляризации магнитного поля
волны Н10.
Встречные волны в волноводе имеют
противоположные направления вращения
вектора Н
в месте расположения ферритовой
пластинки. Поэтому из-за различных
значений магнитных проницаемостей μ+
и μ
они приобретают различные фазовые
сдвиги. При возбуждении входа 1 фазового
циркулятора мощность делится поровну
между плечами 5 и 6 моста. Причем фаза
волны в плече 5 φ5
= 0°, а в плече 6 φ6
= – 90°. Фазовые соотношения в плечах 7 и
8 второго моста сохраняются, т.е. фазы
волн, возбуждающих эти плечи моста, φ7
= φ5
= 0°, φ8
= φ6
= – 90°, так как невзаимный фазовращатель
не изменяет фазу проходящей волны.
Второй мост делит мощность, подводимую
к каждому из плеч 7 и 8 поровну между
входами циркулятора 4 и 2. При этом на
входе 4 волны складываются в противофазе,
а на входе 2 – в фазе. Таким образом, при
возбуждении входа 1 циркулятора мощность
СВЧ передается на вход 2. При возбуждении
входа 2 циркулятора мощность делится
мостом поровну между плечами 7 и 8, причем
φ7
= – 90°, φ8
= 0°. При переходе через невзаимный
фазовращатель с плеча 7 на плечо 5 фаза
волны изменится и станет равной φ7
= φ5
= – 270°, а в плече φ8
= φ6
= 0°. При возбуждении плеч моста 5 и 6
равноамплитудными волнами с такими
фазами происходит их синфазное сложение
на входе 3 циркулятора. На входе 1 они
оказываются в противофазе. Рассуждая
аналогично при возбуждении входов 3 и
4 циркулятора, можно показать, что
мощность СВЧ передается на входы 4 и 1
соответственно.

Практическая
реализация таких циркуляторов определяется
конструкцией мостового устройства,
которое может быть выполнено в виде
волноводно-щелевых мостов, двойного
Т-моста,
кольцевого моста и т.п.

Циркуляторы
применяются в трактах приемопередающих
радиотехнических систем для работы на
прием и передачу с помощью общей антенны.
Они используются также в схемах
суммирования мощности нескольких
генераторов СВЧ и в тракте измерительных
стендов СВЧ.

Следует
отметить, что кроме рассмотренных
устройств СВЧ с применением ферритов
(фазовращателей, вентилей, циркуляторов),
существуют также управляющие устройства
на ферритах в виде выключателей,
коммутаторов, аттенюаторов, управляемых
делителей мощности, перестраиваемых
фильтров и т.п. Их работа основана на
изменении тока в управляющих обмотках.
Принцип работы и конструкция таких
устройств описаны в специальной
литературе.

Литература

1. Основы
теории устройств СВЧ; Максимов В.М.;
Сайнс-Пресс; 2002 г.; 80 стр

Согласующее устройство СВЧ для комплексных нагрузок

Используемые сегодня в приемо-передающих трактах различные фильтрующие устройства не только позволяют решать задачи электромагнитной совместимости (ЭМС), но и вызывают ухудшение технических характеристик приемных и передающих систем, которое выражается в увеличении потерь во время фильтрации и увеличении массо-габаритных характеристик. Поэтому требуется разработка новых подходов к совершенствованию технических мероприятий обеспечения ЭМС.

Для подавления внеполосных полос излучения и паразитных каналов приема предлагается использовать [1–3] широкополосные согласующие устройства СВЧ для комплексных нагрузок, входящие в состав усилителей. Широкополосные согласующие устройства строятся на неоднородных ступенчатых шлейфах. Схема такого устройства на трехступенчатом шлейфе представлена на рис. 1.

Рис. 1. Схема согласующего устройства СВЧ на неоднородном трехступенчатом шлейфе

На рисунке приняты следующие обозначения: RГ — сопротивление источника сигнала; Y3, Y4 — проводимость однородных шлейфов согласующего устройства; Y23, Y34 — проводимость соединительных линий согласующего устройства; R — активная составляющая комплексного сопротивления нагрузки; X — реактивная составляющая комплексного сопротивления нагрузки; Y’1, Y’2, Y’3 — проводимость ступеней неоднородного шлейфа. Следует отметить, что при расчетах реактивное сопротивление нагрузки принимается за первый шлейф согласующего устройства, поэтому Y1 = 1/X [4].

Цель статьи — исследовать характеристики согласующего устройства СВЧ с увеличенной разрядкой полос согласования на примере математической модели трехрезонаторного согласующего устройства на трехступенчатом шлейфе для выбора оптимального режима работы данного устройства.

Исходными данными для реализации математической модели согласующего устройства примем следующие значения: резонансная частота f0 = 1 ГГц, сопротивление источника сигнала Rг = 100 Ом, активная часть комплексного сопротивления нагрузки R = 33 Ом, реактивная составляющая сопротивления нагрузки X = 100 Ом, КСВ в полосе согласования не хуже 1,5, требуемая разрядка полос согласования 1:7.

На рис. 2 представлены графики КСВ в полосе согласования при различных значениях относительной ширины полосы согласования w. Видно, что максимальное значение КСВ не превышает заданное значение (КСТ ≤ 1,5). Увеличение ширины полосы согласования приводит к увеличению значения максимального КСВ на краях полосы согласования, что объясняется основными ограничениями, накладываемыми на возможности согласования сопротивлений, имеющих реактивную составляющую в широкой полосе частот.

Рис. 2. КСВ в полосе согласования

Характеристика затухания в полосе заграждения при разных значениях относительной ширины полосы согласования w представлена на рис. 3. Из графиков следует, что с увеличением относительной ширины полосы согласования w в полосе заграждения наблюдается уменьшение затухания. Так, на кратных полосах согласования 3f0 и 5f0 затухание уменьшается с 41 дБ при w = 10% до 21 дБ при w = 30%. При этом обеспечивается разрядка полос согласования 1:7.

Рис. 3. Характеристика затухания в полосе заграждения

Рассмотрим, как влияет величина КСВ в полосе согласования на затухание в полосе заграждения. На рис. 4 представлены графики КСВ для значений 1,1; 1,5 и 2 при относительной полосе согласования w = 10%.

Рис. 4. КСВ в полосе согласования

На рис. 5 отображена характеристика затухания в полосе заграждения при разных значениях КСВ в полосе согласования. При этом видно, что улучшение согласования в полосе приводит к уменьшению затухания в полосе заграждения, например при Кст = 2 величина затухания на кратных полосах согласования составляет 42 дБ, а при Кст = 1,1 затухание равно 34 дБ.

Рис. 5. Характеристика затухания в полосе заграждения

Таким образом, результаты анализа характеристик согласующего устройства на неоднородных шлейфах показали, что улучшение характеристик согласующего устройства в полосе согласования (КСВ, w) вызывает уменьшение затухания в полосе заграждения.

Проанализируем теперь, как влияет на характеристики структура согласующего устройства. Для этого изменим количество резонаторов, а также место включения неоднородного шлейфа.

На рис. 6 показана характеристика затухания согласующего устройства на неоднородном шлейфе при различных количествах резонаторов (шлейфов).

Рис. 6. Характеристика затухания при изменении количества резонаторов

На основе полученных графиков можно сделать вывод, что увеличение количества резонаторов N в согласующем устройстве, рассчитанном при w = 0,1 и КСВ в полосе согласования не хуже 1,5, увеличивает затухание в полосе заграждения от 40 дБ при количестве резонаторов N = 3 до 130 дБ при N = 5. Следует заметить, что увеличение резонаторов до нечетного количества позволяет увеличить затухание на нечетных полосах согласования 3f0, 5f0, а до четного количества резонаторов на четных полосах согласования 2f0, 4f0, 6f0.

Рис. 7. Характеристика затухания в полосе заграждения

Теперь изменим положение неоднородного шлейфа. На рис. 7 представлена характеристика затухания трехрезонаторного согласующего устройства, когда неоднородный трехступенчатый шлейф (НШ) включен рядом с нагрузкой или с источником сигнала, а на рис. 8 КСВ в полосе согласования.

Рис. 8. КСВ в полосе согласования

Полученные результаты показывают, что в случае, если неоднородный шлейф включен рядом с источником сигнала, затухание на нечетных кратных полосах согласования 3f0 и 5f0 больше на 6 дБ, чем когда неоднородный шлейф установлен рядом с нагрузкой. Однако настолько же снижается затухание и на четных гармониках. В полосе согласования, когда неоднородный шлейф включен рядом с источником сигнала, КСВ на краю полосы меньше на 0,05, чем при включении рядом с нагрузкой. Таким образом, изменяя место включения неоднородного шлейфа, можно управлять затуханием на кратных полосах согласования и КСВ в полосе согласования.

На основе полученных результатов исследования характеристик широкополосного согласующего устройства СВЧ на неоднородных шлейфах, проведенных на математической модели, можно сделать следующие выводы:

  1. Увеличение относительной ширины полосы согласования w приводит к снижению затухания в полосе заграждения.
  2. Уменьшение КСВ в полосе согласования КСТ снижает затухание в полосе заграждения.
  3. Повышение количества шлейфов согласующего устройства способствует увеличению затухания в полосе заграждения. Причем увеличение числа шлейфов до нечетного количества позволяет увеличить затухание на нечетных кратных полосах согласования, а до четного количества — на четных кратных полосах согласования.
  4. При размещении неоднородного шлейфа рядом с источником сигнала затухание на нечетных кратных полосах согласования увеличивается, а на четных уменьшается. При этом КСВ на краю полосы согласования уменьшается. В случае, когда неоднородный шлейф включен рядом с нагрузкой, наблюдаются обратные зависимости.
  5. Во всех случаях разрядка полос согласования обеспечивается 1:7. Таким образом, подтверждается положение, что разрядка полос согласования определяется количеством ступеней неоднородного шлейфа.

Результаты исследования позволяют сделать вывод, что, изменяя характеристики в полосе согласования и структуру согласующего устройства, можно управлять величиной затухания в полосе заграждения.

Литература

  1. Литвиненко О. Н., Сошников В. И. Теория неоднородных линий и их применение в радиотехнике. М.: Советское радио, 1964.
  2. Литвиненко О. Н., Сошников В. И. Колебательные системы из отрезков неоднородных линий. М.: Советское радио, 1972.
  3. Мазепова О. И., Мещанов В. П., Прохорова Н. И., Фельдштейн А. Л., Явич Л. Р. Справочник по элементам полосковой техники. Под ред. Фельдштейна А. Л. М.: Связь, 1979.
  4. Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств. Под ред. Вольмана В. И.. М.: Радио и связь, 1982.

ООО Радиокомп — Radiocomp LLC — ООО Радиокомп














News


Low-noise synthesizer of the Radiocomp LLC with a frequency range up to 20 GHz

16 September 2019. Low-noise synthesizer of the Radiocomp LLC with a frequency range up to 20 GHz


SignalCore’s New Signal Generator

30 August 2019. SignalCore’s New Signal Generator


We invite you on August 6, 2019 to the International Workshop on Signal Generation and Frequency Synthesis SGFS-2019

21 May 2019.»Learn more about the «International Workshop on Signal Generation and Frequency Synthesis SGFS-2019»


The «Radiocomp» LLC took part in the exhibition «ExpoElectronica-2019»

22 April 2019. The «Radiocomp» LLC took part in the exhibition «ExpoElectronica-2019»


All the News

Search the Website






Database


Products Line Review

    Site Map: HTML  XML












We are sorry but
the document you requested
is not available on this server.
The most probably it’s resulted
from recent web-site upgrade.

You easily find
the information you need
using menu or search engine.


Мы очень сожалеем,
но документ, который вы запросили,
не найден на сервере.
Возможно, это связано
с недавним обновлением сайта
и изменением его структуры.

Вы без труда найдете
интересующую Вас информацию,
воспользовавшись меню
или системой поиска по сайту.











Full or partial copying of materials is prohibited.

All rights reserved.





Call us right now:












© RADIOCOMP, LLC 2001-2018

Aviamotornaya str. 8a, 111024 Moscow, Russia

Phones: +7-495-957-7745, +7-495-361-0904, +7-495-361-0416

Fax: +7-495-925-1064

E-mail:
[email protected]



Radiocomp, LLC is
the official sponsor of







СВЧ-устройства

Существуют следующие СВЧ-полупроводниковые устройства.

  • Обратный диод

    Это одно из микроволновых полупроводниковых устройств, которые используются в качестве генератора и смесителя. Обратный диод изготовлен из полупроводника арсенида галлия. Этот диод используется до частот до 200 ГГц.
    Аббревиатура обратного диода — BWD. Этот диод работает при низкой входной мощности и обеспечивает высокую выходную мощность.

  • Диод Ганна

    Это микроволновый полупроводниковый диод, который используется в качестве генератора.В некоторых случаях диод Ганна может также использоваться в качестве усилителя. Его частотный диапазон от 4 ГГц до 100 ГГц. Полупроводниковый материал, используемый для диода Ганна, представляет собой арсенид галлия или фосфат индия, смешанный с кремнием.

  • Импатт диод

    Аббревиатура импатт-диода происходит от слова «время прохождения лавины при ударе». Этот диод используется для генерации и усиления СВЧ диапазона частоты. Верхний диапазон частот — 200 ГГц.

  • Диод Шоттки

    Этот диод используется для выпрямления сверхвысоких частот. В некоторых случаях мы также используем диод Шоттки для переключения и смешивания. Диапазон частот этого диода от 3 МГц до 10 ГГц.

  • Туннельный диод

    Туннельный диод — это микроволновое полупроводниковое устройство, которое используется для генерации, усиления, смешивания и переключения.Частотный диапазон туннельного диода до 100 ГГц.

  • Варактер диод

    Варакторный диод в основном используется в схемах телевизоров и приемников F.M. Этот диод также можно использовать в схемах передатчиков F.M. Частотный диапазон варакторного диода до 105 ГГц. Этот тип диода изменяет свою емкость с изменением приложенного к нему смещения.

  • Транзисторы

    Обычный транзистор не может использоваться для микроволновых частот из-за его низкой эффективности и высоких искажений.Для этой цели используются полевые транзисторы (FET), изготовленные из полупроводникового материала арсенида галлия из-за его эффективных энергетических диапазонов для очень высоких частот. Мы используем эти транзисторы для усиления высоких частот.

  • Интегральные схемы (I.C)

    Поскольку предполагается, что индуктивность и емкость для очень высоких частот очень малы, физический размер катушки индуктивности и конденсатора становится минимально возможным на очень высоких частотах.Таким образом, гибридные интегральные схемы могут быть легко изготовлены для использования в сверхвысоких частотах.

  • СВЧ-устройства (СВЧ реле / ​​коаксиальные переключатели) | Средства автоматизации | Промышленные устройства

    Японский (Япония) Английский (Глобальный) Английский (Азиатско-Тихоокеанский регион) Китайский (Китай)

    Рекомендуемый продукт

    Основная информация

    Что такое микроволновые устройства (микроволновые реле / ​​коаксиальные переключатели)

    СВЧ-устройства можно разделить на реле и коаксиальные переключатели, которые переключают высокочастотные сигналы.
    Эти устройства часто используются в области испытательного и измерительного оборудования, беспроводных устройств и базовых станций.
    Компания Panasonic предлагает широкий выбор релейных и коаксиальных коммутаторов для различных диапазонов частот.

    Основы

    Давайте изучим основы и технические термины механических реле, таких как микроволновые устройства (микроволновые реле / ​​коаксиальные переключатели)!

    Типичные области применения

    Базовые станции сотовой связи, Вещательное оборудование, Измерительные приборы, Беспроводные устройства

    Дополнительная информация

    Стандарты и правила

    Рекомендуемая информация

    Механическое реле идеально подходит для управления сигналами и т. Д., с номинальной коммутационной способностью менее 2 А.

    Загрузить таблицу выбора

    Заголовок Язык Размер файла Обновление
    選 択 表

    高周波 デ バ イ ス

    JP 191.0 КБ 18 февраля 2021 г.
    Таблица выбора

    Микроволновые устройства

    EN 119.1 КБ 19 февраля 2021

    Вернуться к началу

    Объем рынка микроволновых устройств, доля, рост и отчет [2027]

    Объем мирового рынка микроволновых устройств в 2019 году составил 6,12 миллиарда долларов США. Глобальное воздействие COVID-19 было беспрецедентным и ошеломляющим: эти устройства стали свидетелями негативного влияния на спрос во всех регионах в условиях пандемии.Согласно нашему анализу, мировой рынок продемонстрирует более низкий рост на 1,4% в 2020 году по сравнению со средним ростом в годовом исчислении в течение 2016-2019 годов. По прогнозам, рынок вырастет с 6,21 млрд долларов США в 2020 году до 9,00 млрд долларов США в 2027 году при среднегодовом темпе роста 5,45% в период 2020-2027 годов. Повышение CAGR объясняется спросом и ростом этого рынка, которые возвращаются к докандемическим уровням после завершения пандемии.

    СВЧ-устройства являются важным строительным блоком микроволновых систем, которые работают в нескольких частотных диапазонах в зависимости от приложений.Они предлагают такие преимущества, как высокоскоростная передача данных, защищенная связь и низкое энергопотребление. Таким образом, эти устройства широко используются во многих приложениях, таких как спутниковая связь и навигация, радары, радиоэлектронная борьба, медицинская, военная и коммерческая связь, среди прочего.

    26 января марта 2020 года Космические силы США запустили ракету Alliance Atlas 5, на борту которой находились спутники военной связи на сумму 1,20 миллиарда долларов США. Эти спутники оснащены устройствами, работающими на более коротких волнах по сравнению с радиоволнами.Микроволны могут напрямую проходить через атмосферный слой ионосферы, тогда как радиоволны отражаются ионосферой. В дополнение к этому, высокотехнологичные микроволновые антенны помогают передавать и принимать данные по всем атмосферным орбитам.

    Аналогичным образом, в августе 2020 года компания Space Exploration Technologies Corp. получила разрешение Федеральной комиссии по связи на запуск 12 000 спутников на низкую околоземную орбиту. Растущее количество запусков спутников способствует увеличению размера рынка в течение прогнозируемого периода.

    Нарушение управления цепочкой поставок микроволновых устройств на фоне COVID-19 для сдерживания роста

    Вспышка COVID-19 оказала большое влияние на рынок из-за отмены запусков спутников и сбоев в цепочке поставок в ключевых регионах. Крупные компании и космические агентства отменили несколько запусков в космос. Это повлияло на запланированные космические запуски и затруднило экосистему космической отрасли. Отмена космических запусков еще больше нарушила управление цепочками поставок компаний.Из-за пандемии правительства разных стран ограничили количество сотрудников в компаниях, занимающихся производством космических и беспроводных устройств, чтобы минимизировать распространение коронавируса.

    Несколько компаний оказались банкротами из-за ситуации с пандемией. Например, OneWeb Satellite Constellation, ведущий производитель спутников и поставщик услуг связи, планировал поставить 650 спутников к концу 2020 года. Но в ноябре 2020 года компания отменила свой план, поскольку обанкротилась и сменила владельца.Перед банкротством компания успешно вывела на околоземную орбиту 74 спутника, оборудованных этими устройствами. Таким образом, рынок испытывает неуверенность в спросе из-за задержки запусков спутников.

    ПОСЛЕДНИЕ ТЕНДЕНЦИИ

    Запросите бесплатный образец, чтобы узнать больше об этом отчете.

    Растущее применение материала нитрида галлия (GaN) для стимулирования роста рынка

    Различные типы материалов, такие как кремний (Si), нитрид галлия (GaN), карбид кремния (SIC) и арсенид галлия (GaAs), среди других играют важную роль. важную роль в развитии устройств СВЧ.Производительность таких устройств зависит от свойств материала, из которого изготовлено устройство.

    Спрос на полупроводниковый материал GaN возрастает для изготовления микроволновых устройств. Это связано с тем, что GaN является высокочастотным полупроводниковым составным материалом, имеющим широкую запрещенную зону 3,4 эВ, высокую плотность мощности, высокую теплопроводность и возможность высокого напряжения. Эти свойства GaN позволяют разрабатывать миниатюрные микроволновые устройства, которые работают с более высокими уровнями мощности, чем материал GaAs.Этот фактор стимулирует производство этих устройств с использованием полупроводникового материала GaN.

    ДВИЖУЩИЕ ФАКТОРЫ

    Растущий спрос на расширенные услуги связи для содействия росту

    Микроволновые устройства обеспечивают связь точка-точка через микроволновые каналы, что помогает доставлять максимум информации быстро и с высокой степенью безопасности конечному пользователю. Таким образом, армия, космические исследовательские компании, такие как НАСА, и несколько других организаций национальной безопасности используют микроволновые каналы для передачи конфиденциальной информации внутри организаций.Кроме того, он обеспечивает высокую безопасность связи, что полезно для нескольких приложений военной связи.

    Растущее внимание к запуску военных спутников для расширения сети военной связи способствует дальнейшему расширению роста рынка в развитых и развивающихся странах. Например, Advanced Extremely High Frequency — это серия спутников связи, эксплуатируемых Космическими войсками США. Этот спутник связи используется для передачи защищенной информации с помощью микроволновых устройств на воздушные, наземные и военно-морские платформы.

    В марте 2020 года Космические силы США запустили спутник AEHF-6 (USA-298) для оказания военных услуг. AEHF-6 (USA-298) — спутник 6 th из серии Advanced Extremely High Frequency. Таким образом, использование этих устройств для защищенной связи способствует росту рынка микроволновых устройств.

    Растущее распространение в отрасли здравоохранения для ускорения роста

    Ожидается, что рост числа исследований и разработок в отрасли здравоохранения приведет к ускоренному распространению микроволновых технологий.В настоящее время микроволновая технология широко используется в медицинской визуализации, известной как микроволновая томография. Сверхширокополосная микроволновая визуализация — это хорошо известный метод обнаружения рака, основанный на большом контрасте электрических параметров между тканью злокачественной опухоли и окружающей нормальной тканью тела.

    ОГРАНИЧИВАЮЩИЕ ФАКТОРЫ

    Высокий риск электромагнитных помех препятствует росту рынка

    Ожидается, что растущий риск электромагнитных помех из-за изменения характера войны будет сдерживать рост рынка.Электромагнитное подавление — это преднамеренное излучение или отражение электромагнитной энергии для предотвращения эффективного использования электромагнитного спектра противника.

    СВЧ-связь не может проходить через твердый материал, следовательно, она ограничена только режимом прямой видимости, и ожидается, что высокая стоимость установки систем повлияет на рост рынка.

    СЕГМЕНТАЦИЯ

    Анализ по типу

    Чтобы узнать, как наш отчет может помочь оптимизировать ваш бизнес, поговорите с аналитиком

    Активный, чтобы удержать значительную долю рынка

    Рынок делится на активный и пассивный в зависимости от типа микроволновые устройства.

    Активный тип включает, среди прочего, транзисторы, усилители, генераторы, лампы, диоды и интегральные схемы. Сегмент зарегистрировал более высокую долю рынка в 2019 году. Он, вероятно, останется крупнейшим сегментом в течение прогнозируемого периода благодаря растущему развитию современных активных микроволновых систем для различных промышленных приложений, таких как телекоммуникации, космос, оборона, промышленность и здравоохранение. другие. Кроме того, пассивный сегмент демонстрирует умеренный рост в прогнозируемом периоде.Активные устройства обычно встраиваются в пассивную согласующую схему, поскольку активные микроволновые устройства требуют внешних источников для их управления и выполнения операции. Активный компонент не может работать без пассивного компонента.

    По частотному анализу

    Расширение использования Ka-диапазона для высокоскоростной передачи информации для стимулирования роста сегмента

    Рынок делится на Ku-диапазон, Ka-диапазон, S-диапазон, C-диапазон в зависимости от частоты. , X-Band, L-Band и другие.

    Сегмент Ku-диапазона занимал доминирующую долю в базовом году.Эта большая доля объясняется широким использованием Ku-диапазона для военных и коммерческих приложений по всему миру.

    Ожидается, что сегмент Ka-диапазона будет быстро расти в течение прогнозируемого периода. Ka-диапазон использует диапазон 26,5-40 ГГц, который является диапазоном высоких частот среди других диапазонов. Чем выше частота, тем больше доступна полоса пропускания, и чем выше полоса пропускания, тем больше данных может быть передано. Таким образом, Ka-диапазон использует больший частотный диапазон и, таким образом, обеспечивает высокоскоростную передачу информации по сравнению с частотами других диапазонов.

    Ожидается, что S-Band, C-Band, X-Band и L-Band будут занимать значительную долю рынка в течение прогнозируемого периода из-за все более широкого использования этих диапазонов для нескольких приложений, таких как мобильные телефоны, Bluetooth, GPS, радиосвязь, военная телеметрия и др.

    По отраслевому анализу конечного использования

    Увеличение количества спутников связи для ускорения роста телекоммуникационного сегмента

    Что касается отрасли конечного использования, рынок сегментирован на телекоммуникации, космос, оборону, промышленность, здравоохранение и другие.

    По оценкам, наибольшая доля в 2019 году будет принадлежать телекоммуникационному сегменту. Это объясняется все более широким использованием микроволновых антенн для ретрансляции информации с одного конца на другой. Кроме того, устройство предлагает двухточечную связь, повышающую надежность и безопасность данных.

    Ожидается, что космический сегмент будет расти с максимальным среднегодовым темпом роста в течение прогнозируемого периода. Увеличение количества спутников связи способствует росту рынка. Например, в августе 2019 года компания Communications & Power Industries LLC (CPI) объявила о приобретении подразделения спутниковых антенных систем у General Dynamics Corporation.

    Оборонный сегмент, вероятно, испытает значительный рост рынка в течение прогнозируемого периода. Этот рост объясняется растущей потребностью в повышении безопасности военной связи. СВЧ-каналы обеспечивают безопасную передачу данных. Таким образом, применение этих устройств для военного применения увеличилось за последние несколько лет.

    Ожидается, что сегмент здравоохранения продемонстрирует значительный рост благодаря широкому внедрению микроволновой технологии для обнаружения раковых клеток, косметических процедур, гинекологии, стоматологического лечения и т. Д.

    Микроволновые устройства используются для обработки биологически опасных отходов и на предприятиях термической обработки пищевых продуктов в нескольких отраслях промышленности. Это может ускорить рост промышленного сегмента.

    РЕГИОНАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ

    Объем рынка микроволновых устройств в Северной Америке, 2019 г. (млрд долларов США)

    Чтобы получить более подробную информацию о региональном анализе этого рынка, запросите бесплатный образец

    С точки зрения географии глобальный рынок микроволновых устройств делится на Северную Америку, Европу, Азиатско-Тихоокеанский регион и Остальной мир.

    Объем рынка в Северной Америке в 2019 году составил 2,48 миллиарда долларов США, и ожидается, что он будет доминировать на рынке в ближайшие годы. Это доминирование объясняется растущим вниманием к развитию космической и оборонной промышленности в регионе. Правительство США тратит большие средства на космические исследования и разработки. В дополнение к этому присутствие ключевых компаний в США, таких как L3Harris Technologies, Inc., Teledyne Technologies Incorporated, Qorvo Inc. и Analog Devices Inc., среди прочего ожидается дальнейший рост рынка

    Ожидается, что рынок в Европе будет занимать вторую по величине долю из-за большого внимания к развитию отрасли здравоохранения в европейских странах, таких как Великобритания, Германия, Швеция, и Дания.

    Ожидается, что Азиатско-Тихоокеанский регион продемонстрирует самый быстрый рост рынка в течение прогнозируемого периода. Этот рост объясняется увеличением государственных расходов на модернизацию систем вооружений военного назначения.Кроме того, правительства Китая и Индии усилили внимание к разработке передовых военных радиолокационных систем для усиления военного потенциала. Кроме того, растущие закупки современного оборудования для технологии 5G в Китае и Индии стимулируют рост рынка в Азиатско-Тихоокеанском регионе.

    Рынок остального мира, вероятно, продемонстрирует умеренный рост в течение прогнозируемого периода. Значительное развитие телекоммуникационной отрасли в Бразилии и ОАЭ способствует росту рынка.

    КЛЮЧЕВЫЕ ИГРОКИ ОТРАСЛИ

    Участники рынка, которые сосредоточатся на предоставлении экономичных и компактных продуктов

    Рынок сильно фрагментирован из-за присутствия различных ключевых игроков, таких как Teledyne Technologies Incorporated, Thales Group, Communications & Power Industries LLC , L3Harris Technologies, Inc. и Qorvo Inc. среди других. Эти игроки сосредоточены на разработке экономичных и малогабаритных микроволновых устройств для применения в космической, коммуникационной, коммерческой и оборонной промышленности.Кроме того, благодаря инвестиционной деятельности в области НИОКР, стратегическим приобретениям и партнерским отношениям компании сосредоточены на расширении своих возможностей и сохранении своих позиций на рынке. Например, в ноябре 2020 года компания Qorvo Inc. представила недавно разработанный и разработанный CMD328K3, лучший в своем классе малогабаритный малошумящий усилитель. Этот малогабаритный усилитель в основном предназначен для таких приложений, как системы связи, радары с фазированной антенной решеткой и системы радиоэлектронной борьбы.

    СПИСОК КЛЮЧЕВЫХ КОМПАНИЙ:

    • Analog Devices Inc.(США)
    • Communications & Power Industries LLC (CPI) (США)
    • General Dynamics Corporation (США)
    • Kratos Defense & Security Solutions, Inc. (США)
    • L3Harris Technologies, Inc. (США)
    • MACOM Technology Solutions Inc. (США)
    • Microsemi Corporation (США)
    • Microwave Technology, Inc. (Великобритания)
    • Qorvo Inc. (США)
    • Richardson Electronics, Ltd.(США)
    • Teledyne Technologies Incorporated (США)
    • Thales Group (Франция)
    • TMD Technologies Ltd (Великобритания)
    • Toshiba Corporation (Япония)

    ОСНОВНЫЕ ОТРАСЛЕВЫЕ РАЗРАБОТКИ:

    • Июнь 2020 г. — Richardson Electronics, Ltd. объявила о подписании нового дистрибьюторского соглашения с Guangdong DaPu Telecom Technology Co., LTD. В соответствии с этим соглашением компании обязались предоставлять высококачественные и надежные продукты для различных приложений, включая радиочастотную и микроволновую связь, проводную и беспроводную передачу, промышленное, радарное и испытательное оборудование.
    • Март 2020 г. — Компания Teledyne Technologies Incorporated заключила контракт с ВМС США на сумму 34,9 млн долларов США на ремонт и обслуживание ламп бегущей волны для повышения возможностей боевых систем.

    ПОКРЫТИЕ ОТЧЕТА

    Инфографическое представление рынка СВЧ-устройств

    Чтобы получить информацию по различным сегментам, поделитесь с нами своими запросами

    Отчет об исследовании рынка микроволновых устройств содержит подробный анализ рынка.Он охватывает такие ключевые аспекты, как возможности НИОКР и оптимизация производственного процесса. Помимо этого, в отчете представлены тенденции рынка и основные события в отрасли. В дополнение к факторам, упомянутым выше, в отчете основное внимание уделяется нескольким факторам, которые способствовали росту передового рынка в последние годы.

    Объем и сегментация отчета

    904 90 008

    АТРИБУТ

    ДЕТАЛИ

    Базовый год

    2019

    Прогнозный период

    2020-2027

    2016-2018

    Единица

    Стоимость (млрд долл. США)

    По частоте

    • Ku-Band
    • Ka-Band
    • S-Band
    • C-Band
    • X-Band
    • Прочие

    По отрасли конечного использования

    • Телекоммуникации
    • Пространство
    • Оборона

      0

      Промышленное производство

      0

      Промышленное производство

    По регионам

    • Северная Америка (по типу, частоте, отрасли конечного использования и по стране)

      • The U.S. (по типу)
      • Канада (по типу)

    • Европа (по типу, частоте, отрасли конечного использования и по стране)

      • Великобритания (По типу)
      • Германия (по типу)
      • Франция (по типу)
      • Россия (по типу)
      • Остальная Европа (по типу)

    • Азиатско-Тихоокеанский регион (По типу, частоте, отрасли конечного использования и по стране)

      • Китай (по типу)
      • Индия (по типу)
      • Япония (по типу)
      • Южная Корея (По типу)
      • Остальная часть Азиатско-Тихоокеанского региона (по типу)

    • Остальной мир (по типу, частоте, отрасли конечного использования и по стране)

      • Ближний Восток и А frica (по типу)
      • Латинская Америка (по типу)

    Биологические материалы для микроволновых устройств: обзор

  • 1.

    Д.М. Ceballos и Z. Dong, Environ. Int. (2016). https://doi.org/10.1016/j.envint.2016.07.010.

    Артикул

    Google ученый

  • 2.

    С. Нидхидасан, М. Самуэль и Р. Чидамбарам, J. Environ. Здоровье. Sci. Англ. (2014). https://doi.org/10.1186/2052-336X-12-36.

    Артикул

    Google ученый

  • 3.

    V.R.K. Мурти, К.С.Дж. Раджу и Б. Вишванатам, Bull. Мат.Sci. 15, 213 (1992).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 4.

    А.К. Mohanty, M. Mishra и G. Hinrichsen, J. Macromol. Мат. Англ. 276–277, 1 (2000).

    Google ученый

  • 5.

    Навинчандра Гопал Шимпи, Обработка биоразлагаемых и биосовместимых полимерных композитов, свойства и применение, 1-е изд. (Лондон: Elsevier, Woodhead Publishing, 2017), стр. 15.

    Google ученый

  • 6.

    J.H. Сонг, Р.Дж. Мерфи, Р. Нараян и Г.Б.Х. Дэвис, Фил. Пер. R. Soc. Б. (2009). https://doi.org/10.1098/rstb.2008.0289.

    Артикул

    Google ученый

  • 7.

    М. Шайни, Й. Сингх, П. Арора, В. Арора и К. Джайн, World J. Clin. Кейсы 3, 52 (2015).

    Артикул

    Google ученый

  • 8.

    П. Ценг, Б. Напье, Л. Гарбарини, Д.Л. Каплан, Ф. Оменетто, Adv. Матер. (2018). https://doi.org/10.1002/adma.201703257.

    Артикул

    Google ученый

  • 9.

    Ф. Каземи, Ф. Моханна и Дж. Ахмади-Шоку, Int. J. Electron. Commun. (2018). https://doi.org/10.1016/j.aeue.2017.10.031.

    Артикул

    Google ученый

  • 10.

    A. Tesser, A. Alemaryeen, J.Льюис, А. Альшами, М. Хагшенас и С. Ноганян, IEEE Access (2019). https://doi.org/10.1109/ACCESS.2019.2937808.

    Артикул

    Google ученый

  • 11.

    S. Kumbar, C.T. Лауренцин и М. Денг, Природные и синтетические биомедицинские полимеры, 1-е изд. (Лондон: Elsevier, 2014), стр. 310.

    Google ученый

  • 12.

    Л. Захид, Ф. Малек, Х. Норникман, N.A.M. Аффенди, А.Али, Н. Хусин, Б. Ахмад, М.З.А.А. Азиз, Прог. Электромагнит. Res. 137, 687 (2013).

    Артикул

    Google ученый

  • 13.

    Дж. Толванен, Дж. Ханну, М. Хиетала, К. Кордас и Х. Янтунен, Comput. Sci. Technol. (2019). https://doi.org/10.1016/j.compscitech.2019.107704.

    Артикул

    Google ученый

  • 14.

    C.M.P. Ёсида, В. Maciel, M.E.D. Мендона, Т.Т. Франко, LWT Food Sci. Technol. 55, 83 (2014).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 15.

    Х. Юн, Дж. Се, Дж. К. Авраам, В. Варадан, П. Руффин, умный мат. Struct. (2005). https://doi.org/10.1088/0964-1726/15/1/004.

    Артикул

    Google ученый

  • 16.

    Р. Хашеми Санатгар, К. Кампань, В. Нирстраз, Appl. Прибой. Sci. 403, 551 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 17.

    C.Q. Чой, первый в мире протез: искусственный палец ноги египетской мумии. http://www.livescience.com/4555-world-prosthetic-egyptian-mummy-fake-toe.html. По состоянию на 17 июля 2007 г.

  • 18.

    J.A. Дональдсон, Золотой Бык. 13, 117 (1980).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 19.

    R.Q. Фрейзер, Р. Байрон, П. Осборн, К. Уэст, Дж. Долгосрочная эффективность. Med. Имплантаты 15, 629 (2005).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 20.

    N. Ehlert, P.P. Mueller, M. Stieve, T. Lenarz, P. Behrens, Chem. Soc. Ред. 42, 3847 (2012).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 21.

    Д. Кардарополи, М. Невинс и П. Шупбах, Int. J. Пародонтология. Реставрационная вмятина. 39, 157 (2019).

    Артикул

    Google ученый

  • 22.

    Т. Эрнстбергер, М. Когель, Ф. Кониг и В. Шульц, Arch. Ортоп. Trauma Surg.125, 660 (2005).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 23.

    L.L. Hench, I. Thompson, J. R. Soc. Интерфейс 7, S379 (2010).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 24.

    D.J. Абрахам и В. Хан, Focal Controlled Drug Delivery (Берлин: Springer, 2014).

    Google ученый

  • 25.

    С.М.М. Хасан, М. Шахджалал, Дж. Х. Мридха и А. Алам, Глоб. J. Med. Res. K Междисциплинарный (2019). https://doi.org/10.34257/GJMRKVOL19IS4PG17.

    Артикул

    Google ученый

  • 26.

    J.-W. Чанг, К.-Г. Ван, С.-Й. Хуанг, Т.-Д. Цай, Т.-Ф. Го и Т.-К. Вен, Adv. Мат. (2011). https://doi.org/10.1002/adma.201102124.

    Артикул

    Google ученый

  • 27.

    М.Иримиа-Владу, Э. Говацки, П.А. Трошин, Г. Леонат, Д. Сусарова, О. Криста, М. Уллах, Ю. Канбур, М.А. Бодя, В.Ф. Разумов, Х. Ситтер, С. Бауэр, Н.С. Sariciftci, Adv. Матер. 24, 375 (2011).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 28.

    M.S. Маннор, Х. Тао, Дж.Д. Клейтон, А. Сенгупта, Д.Л. Каплан, Р.Р. Найк и М.С. McAlpine, Nat. Commun. 3, 9 (2012).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 29.

    J.-W. Han, B. Kim, J. Li, and M. Meyyappan, J. Phys. Chem. С 116, 22094 (2012).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 30.

    D.-H. Ким, Н. Лу, Р. Ма, Ю.-С. Ким, Р.-Х. Ким, С. Ван и Дж. А. Роджерс, Наука 333, 838 (2011).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 31.

    С. Ламберт, К. Синклер и А. Боксолл, Rev. Environ. Contam. Toxicol. 227, 1 (2014).

    CAS

    Google ученый

  • 32.

    Y. Li, Y.-X. Го и С. Сяо, IEEE T. Antenn. Распространение. 65, 3738 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  • 33.

    Х. Ши, Т. Лю, К. Фу, Л. Ли, Л. Тан, Дж. Ван и Х. Мэн, Биоматериалы 44, 91 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 34.

    Р. Наранг, С.Мохаммади, М. Ашани, Х. Садабади, Х. Хиджази, М.Х. Зарифи, А. Санати-Нежад, Sci. Реп 8, 15807 (2018).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 35.

    A. AshwinKumar, K. Karthick, and K.P. Arumugam, Int. J. Chem. Англ. Прил. 2, 3 (2011).

    Google ученый

  • 36.

    К. Бастиоли, Справочник по биоразлагаемым полимерам, 2-е изд. (Нью-Йорк: Smithers Rapra Technology, 2014).

    Google ученый

  • 37.

    М. Иримиа-Владу, Э.Д. Говацки, Г. Восс, С. Бауэр, Н.С. Sariciftci, Mater. Сегодня 15, 7 (2012).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 38.

    J.L.N. Виолетта, Д. Уайт, М.Ф. Виолетта, Справочник по электромагнитной совместимости, 1-е изд. (Нью-Йорк: Springer, 1987), стр. 13.

    Google ученый

  • 39.

    А. Равендран, M.T. Себастьян, Раман, J. Electron. Матер. 48, 5 (2019).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 40.

    K.J. Виной и Р. Джа, Садхана 20, 815 (1995).

    Артикул

    Google ученый

  • 41.

    Чун-Ю Чен, П. Нен-Вэнь, Ю.-М. Лю, С.-Й. Хуанг, В. Чиа-Хунг, М. Гер, Я.-Ж. Гонг, Я.-К. Чоу, Компос. B. Eng. 114, 395 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 42.

    Б. Ю, З. Чжао, С. Фу, Л. Мэн, Ю. Лю, Ф. Чен и Фу, Compos. Часть А Прил. Sci. Manuf. 125, 48 (2019).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 43.

    Z.S. Фархани, Ф. Малек, Х. Норникман, Н.А. МохдаАффенди, Л. Мохамед, Н. Саудин, А.А. Али, в симпозиуме IEEE по беспроводным технологиям и приложениям (ISWTA), стр. 60–65 (2012).

  • 44.

    Х. Норникман, П.Дж. Сох, A.A.H. Азреми, Ф.Х. Ви и М.Ф. Малек, Прог.Электромагнит. Res. Онлайн 5, 6 (2009).

    Google ученый

  • 45.

    H. Zhao, Y. Cheng, J. Ma, Y. Zhang, G. Ji, and Y. Du, Chem. Англ. J. (2009). https://doi.org/10.1016/j.cej.2018.01.151.

    Артикул

    Google ученый

  • 46.

    X. Yao, M. Bai, D. Liu, J. Miao, IEEE Trans. Magn. 52, 1 (2016).

    Артикул

    Google ученый

  • 47.

    К. Мэтью, У. Kalappura, R. Augustine, J.-M. Laheurte, K. Lakshmi, Microw. Опт. Technol. Lett. 52, 393 (2010).

    Артикул

    Google ученый

  • 48.

    P. Liu, Y. Huang, и X. Zhang, J. Alloys Compd. (2014). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2014.08.103.

    Артикул

    Google ученый

  • 49.

    C. Merlini, G.M.O. Барра, доктор медицины да Кунья, С.Д.А.С. Рамоа, Б.Г. Соареш и А. Пегоретти, Polym. Compos. (2015). https://doi.org/10.1002/pc.23790.

    Артикул

    Google ученый

  • 50.

    К. Гупта, С. Аббас, А. Абхьянкар, J. Ind. Text. 46, 2 (2015).

    Google ученый

  • 51.

    Д.А. Гопакумар, А. Пай, Ю. Поттатара, Д. Паскини, Л. Карлос де Мораис, М. Люк и С. Томас, ACS Appl. Матер. Интерфейсы 10, 23 (2018).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 52.

    П.Дж. Бора, И. Азим, К.Дж. Виной, П. Рамамурти и Г. Мадрас, ACS Omega 3, 12 (2018).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 53.

    L.C. де Фольгерас, М.А.Альвес и М.К. Rezende, J. Aerosp. Technol. Manag. 2, 1 (2010).

    Артикул

    Google ученый

  • 54.

    З. Сю, М. Лян, X. Хэ, К. Лонг, Дж. Ю, К. Се, Л. Ляо, Compos. Часть А Прил. Sci. Manuf. (2019). https://doi.org/10.1016/j.compositesa.2019.01.026.

    Артикул

    Google ученый

  • 55.

    M. Tian, ​​M. Du, L. Qu, S. Chen, S. Zhu, and G. Han, RSC Adv. 7, 68 (2017).

    Google ученый

  • 56.

    L. Zou, C. Lan, X. Li, S. Zhang, Y. Qiu, Y. Ma, Fibers Polym.16, 10 (2015).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 57.

    Y.-J. Tan, J. Li, Y. Gao, J. Li, S. Guo, M. Wang, Appl. Прибой. Sci. (2018). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.07.107.

    Артикул

    Google ученый

  • 58.

    Д. Син, Л. Лу, Ю. Се, Ю. Тан и К.С. Тех, матер. Des. (2019). https://doi.org/10.1016/j.matdes.2019.108227.

    Артикул

    Google ученый

  • 59.

    С.П. Павар, С. Кумар, А. Мисра, С. Дешмук, К. Чаттерджи и С. Боз, RSC Adv. 5, 23 (2015).

    Google ученый

  • 60.

    Y. Zhang, M. Qiu, Y. Yu, B. Wen, L. Cheng, ACS Appl. Матер. Интерфейсы 9, 1 (2016).

    Google ученый

  • 61.

    Я. Ван, Ф. Гу, Л. Ни, К. Лян, К. Маркус, С. Лю и З. Фэн, Nanoscale 9, 46 (2017).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 62.

    К. Чжан, Х.-О. Ю., К.-Х. Yu, Y. Gao, M. Wang, J. Li и S. Guo, Compos. Sci. Technol. (2018). https://doi.org/10.1016/j.compscitech.2017.12.037.

    Артикул

    Google ученый

  • 63.

    Дж. Толванен, Дж. Ханну, М. Хиетала, К. Кордас и Х. Янтунен, Compos. Sci. Technol. 181, 107704 (2019).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 64.

    Х.Ф. Халили, С.Lemey, O. Caytan, T. Deckmyn и S. Agneessens, IEEE Antennas Wirel. Распространение. Lett. 18, 2 (2018).

    Google ученый

  • 65.

    Ф. Алименти, П. Меццанотт, С. Джакомуччи, М. Диониджи, К. Мариотти, М. Вирили и Л. Роселли, IEEE Microw. Wirel. Компон. Lett. 23, 11 (2013).

    Google ученый

  • 66.

    А.Г. Черевко, Ю.В. Моргачёв, И. Котин, Е.А. Якимчук, Р.А. Сажей, И.В. Антонова, XIV Международная научно-техническая конференция по актуальным проблемам электронного приборостроения (APEIE) (2018), стр. 312–314.

  • 67.

    В. Палацци, Ф. Алименти, К. Калиалакис, П. Меццанотт, А. Георгиадис и Л. Роселли, IEEE Antennas Wirel. Распространение. Lett. 16, 3196 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  • 68.

    K. Guerchouche, E. Herth, L.E. Кальве, Н. Роланд, К. Лойез, Microelectron.Англ. 182, 46 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 69.

    В. Палацци, Ф. Алименти, П. Меццанотт, М. Вирили, К. Мариотти, Г. Ореккини и Л. Роселли, IEEE Antennas Wirel. Распространение. Lett. 24, 12 (2014).

    Google ученый

  • 70.

    В. Лакафосис, А. Рида, Р. Вьяс, Л. Ян, С. Николау и М.М. Тенцерис, Proc. IEEE 98, 9 (2010).

    Артикул

    Google ученый

  • 71.

    A. Scida, S. Haque, E. Treossi, A. Robinson, S. Smerzi, S. Ravesi, S. Borini, V. Palermo, Mater. Сегодня 21, 3 (2018).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 72.

    А. Рида, Ю. Ли, Р. Вьяс, М.М. Тенцерис, IEEE Trans. Антенны Propag 51, 3 (2009).

    Артикул

    Google ученый

  • 73.

    Дж. Бьоргаард, М. Хойак, Э. Хубер, М. Мирзаи, Ю.-Х. Чанг, С.Ноганян, Прог. Электромагнит. Res. C (2018). https://doi.org/10.2528/PIERC18011013.

    Артикул

    Google ученый

  • 74.

    А. Абдельнур, А. Лазаро, Э. Ибарс, Р. Вилларино, Д. Гирбау, К. Мерсье, Д. Каддур, С. Теджини, на 22-й конференции URSI Atlantic Radio Science Conference (AT-RASC) . Гран-Канария (2018), стр. 1–4

  • 75.

    M.R. Ahsan, M.T. Ислам и М. Ullah, Sci. Англ. Compos. Матер. 23, 6 (2016).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 76.

    A. Geczy, G. Horvath, L.D.L. Гал, И. Хайду, Г. Харсани, в материалах 1-й Международной конференции и выставки будущих технологий RFID (2014), стр. 35–42.

  • 77.

    Дж. Виртанен, Дж. Виркки, Л. Укконен и Л. Сиданхеймо, Adv. Интернет вещей 2, 4 (2012).

    Артикул

    Google ученый

  • 78.

    Й. Рен, Й. Виркки, Л. Сиданхеймо, Л. Укконен, Ю.-К. Чан, на Международном симпозиуме IEEE по антеннам и распространению радиоволн и на Национальном совещании по радионауке USNC / URSI (2015).https://doi.org/10.1109/APS.2015.7305046.

  • 79.

    В. Палацци, Ф. Алименти, М. Вирили, К. Мариотти, Г. Ореккини, П. Меццанотте, Л. Роселли, в Международном симпозиуме по микроволновому излучению IEEE MTT-S (2016), стр. 1– 4.

  • 80.

    W.-K. Чен, Справочник по электротехнике, глава 5, 1-е изд. (Лондон: Elsevier, 2004).

    Google ученый

  • 81.

    S.Z. Саджал, Б. Браатен, В. Маринов, в Международном симпозиуме IEEE по антеннам и распространению радиоволн и Национальном совещании по радионауке USNC / URSI (2015).Doi: https://doi.org/10.1109/APS.2015.7305596.

  • 82.

    P. Thomas, N.K. Пушкаран, С. Анандан, в работе Симпозиума по исследованиям в области электромагнетизма, осень (2017 г.). https://doi.org/10.1109/PIERS-FALL.2017.8293321.

  • 83.

    C.-H. Ага, Ю.-В. Lain, Y.-C. Чиу, С.-Х. Ляо, Д. Мояно, С.С.Х. Сюй, П.-В. Чиу, АСУ Нано 8, 8 (2014).

    Google ученый

  • 84.

    Л. Пьерантони, Д. Менкарелли, М.Боззи, Р. Моро, С. Москато, Л. Перрегрини и С. Беллуччи, IEEE Trans. Микроу. Теория. Tech. 63, 8 (2015).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 85.

    P.-Y. Чен, К. Аргиропулос и А. Алу, IEEE T. Antenn. Распространение. 61, 4 (2013).

    Артикул

    Google ученый

  • 86.

    Я. Тан, М.М. Элахи, Х.-Й. Цао, К.М.М. Хабиб, Н. Баркер, А. Ghosh, Sci. Rep.7, 9714 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  • 87.

    Ю.-М. Лин, К. Димитракопулос, К.А. Дженкинс, Д. Фермер, Х.-Й. Чиу, А. Гриль и П. Авурис, Science 327, 5966 (2010).

    Google ученый

  • 88.

    Ю.-М. Lin, A. Valdes-Garcia, S.-J. Хан, Д. Фармер, И. Мерик, Ю. Сан, К.А. Дженкинс, Science 332, 6035 (2011).

    Google ученый

  • 89.

    Y. Wu, M. Qu, and Y. Liu, Sci. Отчет 6, 31760 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 90.

    S.-W. Hwang, X. Huang, J.-H. Seo, J.-K. Сонг, С. Ким, С. Хаге-Али и Дж. А. Роджерс, адв. Мат. 25, 26 (2013).

    Google ученый

  • 91.

    Х. Тао, Дж. Дж. Амсден, А.С. Стрикверда, К. Фан, Д.Л. Каплан, Х. Чжан, Ф. Оменетто, Adv. Мат. 22, 32 (2010).

    Google ученый

  • 92.

    M.Y.M. Заин, M.Y.T. Али, А. Х. Хусин, Б. Бахаром, в International Symposium on Antennas and Propagation (2018), pp. 1-2.

  • 93.

    K. Myny, S. Steudel, P. Vicca, J. Genoe, P. Heremans, Appl. Phys. Lett. 93, 9 (2008).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 94.

    Z. Awang, N.A.M. Affendi, N.A.L. Псевдоним, Н.М. Разали, Prog. Электромагнит. Res. С 61, 75–90 (2016).

    Артикул

    Google ученый

  • 95.

    M.H. Улла, W.N.L. Махади, Т.А. Latef, Sci. Отчет 20, 15 (2015). https://doi.org/10.1038/srep12868.

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 96.

    M. Poggiani, P. Mezzanotte, C. Mariotti, M. Virili, G. Orecchini, F. Alimenti, L. Roselli, IET Sci. Измер. Technol. 8, 6 (2014).

    Артикул

    Google ученый

  • 97.

    H. Mi, C.-H. Лю, Т.-Х. Чанг, Дж.-ЧАС. Со, Х. Чжан, С.Дж. Чо и С. Гонг, Целлюлоза 23, 1989 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 98.

    Y.H. Юнг, Т.-Х. Чанг, Х. Чжан, Ч. Яо, К. Чжэн, В.В. Ян и З. Ма, Нат. Commun. (2015). https://doi.org/10.1038/ncomms8170.

    Артикул

    Google ученый

  • 99.

    К. Мариотти, Ф. Алименти, Л. Роселли и М.М. Тенцерис, IEEE Trans. Микроу.Теория Тех. 65, 1 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  • 100.

    J.-H. Seo, T.-H. Чанг, Дж. Ли, Р. Сабо, В. Чжоу, З. Цай и З. Ма, Appl. Phys. Lett. 106, 26 (2015).

    Google ученый

  • 101.

    Ф. Алименти, В. Палацци, К. Мариотти, М. Вирили, Г. Ореккини, С. Бонафони и П. Меццанотт, Сенсоры 17, 9 (2017).

    Google ученый

  • 102.

    С. Джун, Б. Санс-Искьердо, Д. Берд и А. Макклелланд, IEEE Trans. Veh. Technol. 68, 1 (2018).

    Google ученый

  • 103.

    Г. Айисси Айби, Б. Бидо, Н. Бубекер, Э. Лоранджер и Ф. Доминг, Sensors Actuat. B Chem. 245, 484 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 104.

    G. Boussatour, P.Y. Крессон, Б. Генести, Н. Джоли, Т. Ласри, в серии международных семинаров по СВЧ-технологиям IEEE MTT-S по усовершенствованным материалам и процессам для приложений ВЧ и ТГц диапазонов (2017 г.), стр.1–3.

  • 105.

    С. Джун, А. Элибиари, Б. Санс-Искьердо, Л. Винчестер, Д. Берд и А. Макклеланд, IEEE T. Comp. Пакет. Мужчина. 8, 12 (2018).

    Google ученый

  • 106.

    S.M. Де Холанда, Ж.П. да Силва, С.И. де Кейруш, Х.Д. де Андраде, J.R.F. де Герра, J.A.P. Магно и Н.О.Л. Filho, J. Mater. Sci. Матер. Электрон. 28. С. 15118–15126 (2017).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 107.

    T. Homsai, C. Phongcharoenpanich и W. Sriseubsai, MATEC Web Conf. 192, 01035 (2018).

    Артикул

    Google ученый

  • 108.

    L. Yin, X. Huang, H. Xu, Y. Zhang, J. Lam, J. Cheng, and J.A. Роджерс, адв. Мат. 26, 23 (2014).

    Google ученый

  • 109.

    С. Москато, М. Боззи, М. Пазиан, Л. Перрегрини и Р. Моро, IET Microw Antenna P 10, 3 (2016).

    Google ученый

  • 110.

    F. Alimenti, V. Palazzari, G. Orecchini, G. Pinca, P. Mezzanotte, M.M. Палатка, Л. Розелли, Международный симпозиум IEEE MTT-S по микроволновому излучению (2010 г.), стр. 840–842.

  • 111.

    A. Verma, B. Weng, R. Shepherd, C. Fumeaux, V.-T. Чыонг, Г. Уоллес, Б. Бейтс, в Международной конференции по электромагнетизму в передовых приложениях (2010), стр. 329–332.

  • 112.

    Т. Кауфманн, А. Верма, В.-Т. Truong, B. Weng, R. Shepherd и C. Fumeaux, Int. J. Antenn. Распространение. 2012, 1 (2012).

    Артикул

    Google ученый

  • 113.

    R.L. Rosa, P. Livreri, C. Trigona, L.D. Донато, Дж. Сорбелло, Сенсоры 19, 53 (2019).

    Google ученый

  • 114.

    О. Бьоркквист, О. Дальберг, Г. Сильвер, К. Колицидас, О. Кеведо-Теруэль и Б.Л.Г. Йонссон, антенна IEEE. Распространение. М. 60, 5 (2018).

    Google ученый

  • 115.

    W. Saeed, N. Shoaib, H.M. Чима, М.У. Хан, Int. J. Antenn. Распространение. 2018, 1 (2018).

    Артикул

    Google ученый

  • 116.

    X. Lu, P. Wang, D. Niyato, D.I. Ким и З. Хан, IEEE Commun. Surv. 17, 2 (2015).

    Артикул

    Google ученый

  • 117.

    Х. Сунь, Ю. Го, М. Хе и З. Чжун, Антенна IEEE. Wirel. Пр. 12, 918 (2013).

    Артикул

    Google ученый

  • 118.

    S.D. Ассимонис, В. Фуско, А. Георгиадис, Т. Самарас, Sci. Отчет (2018). https://doi.org/10.1038/s41598-018-33388-w.

    Артикул

    Google ученый

  • 119.

    Г. Монти, Л. Корчиа, Э. Де Бенедетто и Л. Тарриконе, Radio Sci. 51, 6 (2016).

    Google ученый

  • 120.

    К. Зеуга, Л. Осман, А. Гарсаллах и Б. Гупта, Int. J. Adv. Comput. Sci. Прил. 9, 1 (2016).

    Google ученый

  • 121.

    П. Валентина, Х. Джимми, Б. Джо, А. Федерико, К. Христос, К. Ана, М. Паоло, Г. Апостолос, Р. Лука и М.М. Тенцерис, IEEE Trans. Микроу. Теория Technol. 66, 1 (2018).

    Артикул

    Google ученый

  • 122.

    S.Y. Ян, С. Махадева и Дж. Ким, Smart Mater. Struct. 22, 1 (2010).

    Google ученый

  • 123.

    Дж. Ким, Новости SPIE (2008). https://doi.org/10.1117/2.1200803.1066.

    Артикул

    Google ученый

  • 124.

    S.Y. Ян, С. Махадева и Дж. Ким, Smart Mater. Struct. 22, 1 (2012).

    Google ученый

  • 125.

    Т.А. Эльви, AEU-Int. J. Electron. С. (2019). https://doi.org/10.1016/j.aeue.2019.01.026.

    Артикул

    Google ученый

  • 126.

    Q. Guo, J. Koo, Z. Xie, R. Avila, X. Yu, X. Ning и J.A. Роджерс, адв. Funct. Матер. 29, 46 (2019).

    Google ученый

  • 127.

    Z. Hamouda, J.-L. Войкевич, А.А. Pud, L. Kone, S. Bergheul и T. Lasri, IEEE Trans. Антенны Propag. 66, 7 (2018).

    Артикул

    Google ученый

  • 128.

    M.A. Ullah, M.T. Ислам, Т. Алам и Ф. Ашраф, Сенсоры (Базель) 18, 12 (2018).

    Google ученый

  • 129.

    R.B.V.B. Симорангкир, Ю. Янг, Л. Матековиц, К. Эссель, антенна IEEE. Wirel. Распространение. Lett. 16, 677 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  • 130.

    D. Tang, Q. Wang, Z. Wang, Q. Liu, B. Zhang, D. He, W. Zhi, and M. Shichun, Sci. Бык. 66, 7 (2018).

    Google ученый

  • 131.

    С. Ким, М. Боззи, М. Риккардо, С. Николау, в Европейской конференции по антеннам и распространению радиоволн (EuCAP) (2018), стр. 71.

  • 132.

    Б. Санс-Искьердо, Дж. К. Бэтчелор, М. Собхи, в 1-й Европейской конференции по антеннам и распространению радиоволн (EuCAP) (2006), стр. 1–4.

  • 133.

    Б. Санс-Искьердо, Ф. Хуанг, Дж. К. Бэтчелор, в 1-й Европейской конференции по антеннам и распространению радиоволн (EuCAP) (2006), стр. 1–4.

  • 134.

    М.Э. Ладжеварди и М. Камьяб, Prog.Электромаг. Res. 67, 53 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  • 135.

    С. Санкаралингам и Б. Гупта, Microw. Опт. Technol. Lett. 54, 6 (2012).

    Артикул

    Google ученый

  • 136.

    A. Rahman, M.T. Islam, M.J. Singh, S.Kibria, M. Akhtaruzzaman, Sci. Отчет (2016). https://doi.org/10.1038/srep38906.

    Артикул

    Google ученый

  • 137.

    К. Хертлер, А. Ван Лаэр, Х. Рожье и Л. Ван Лангенхов, Text. Res. J. 80, 2 (2009).

    Google ученый

  • 138.

    S.M. Бидоки, Д. Льюис, М. Кларк, А. Вакоров, П.А. Millner, D. McGorman, J. Micromech. Microeng. 17, 5 (2007).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 139.

    С. Санкаралингам, Б. Гупта, Prog. Электромагнит. Res. С 16, 183 (2010).

    Артикул

    Google ученый

  • 140.

    Y.J. Li, Z.Y. Лу и Л. Ян, IEEE Access 7, 42107 (2019).

    Артикул

    Google ученый

  • 141.

    М. Руджейн, М. Халил, А. Милед и Й. Мессаддек, Фотоника 5, 4 (2018).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 142.

    Х. Ли, Дж. Так и Дж.Чой, антенна IEEE. Wirel. Распространение. Lett. 16, 1919 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  • 143.

    Директива 2012/19 / Eu Европейского парламента и Совета от 4 июля 2012 г. об отходах электрического и электронного оборудования (WEEE), L.197 / 38 Официальный журнал Европейского Союза (2012).

  • 144.

    Директива 2011/65 / Eu Европейского парламента и Совета об ограничении использования определенных опасных веществ в электрическом и электронном оборудовании, L.174/88, Официальный журнал Европейского Союза (2011).

  • 145.

    К.В. Канг и Ф.З. Fang, Adv. Manuf. 6, 20 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 146.

    К. Ян, К. Чжоу, Х. Фань, Ю. Фань, К. Цзян, П. Сун, Х. Фань, Ю. Чен и Х. Чжан, Int. J. Mol. Sci. 19, 1 (2017).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 147.

    M. Prakasam, J.Locs, K. Salma-Ancane, D. Loca, A. Largeteau и L. Berzina-Cimdina, J. Funct. Биоматер. 8, 4 (2017).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 148.

    Эндрю Готфрид, Тестирование классов Фармакопеи США. https://www.namsa.com/toxicology/usp-class-testing. По состоянию на 14 апреля 2014 г.

  • 149.

    Использование международного стандарта ISO 10993-1, Биологическая оценка медицинских изделий — Часть 1: Оценка и тестирование в процессе управления рисками, Рекомендации руководства для сотрудников промышленности и Управления по санитарному надзору за качеством пищевых продуктов и медикаментов , У.S. Центр по устройствам и радиологическому здоровью Департамента здравоохранения и социальных служб Управления по санитарному надзору за качеством пищевых продуктов и медикаментов.

  • 150.

    M.H. Repacholi, Bioelectromagnetics 19, 1 (1998).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 151.

    P.A. Valberg, Hamilton Hardy’s Ind. Toxicol. 2015. Т. 52. С. 1069–1086.

    Google ученый

  • 152.

    M.H. Репачоли, Низкоуровневое воздействие радиочастотных электромагнитных полей: влияние на здоровье и потребности в исследованиях, Строгие стандарты мобильного излучения вступают в силу с завтрашнего дня. Новые мобильные телефоны, соответствующие значению SAR, равному 1.6 W / KG-Penalty, произвольные проверки введены для исполнения. Бюро информации для печати, Правительство Индии. 31 августа 2012 г. Проверено 22 декабря 2013.

  • 153.

    А. Канезаки, А. Хирата, С. Ватанабе и Х. Шираи, Biomed. Англ. Online 8, 20 (2009).

    Артикул

    Google ученый

  • 154.

    ICNIRP, Международная комиссия по защите от неионизирующего излучения, Руководство по ограничению воздействия изменяющихся во времени электрических, магнитных и электромагнитных полей (от 100 кГц до 300 ГГц), проект 1–25, 11 июля 2018 г.

  • 155.

    Нормы FCC о максимально допустимом воздействии радиочастотного излучения. http://www.rfcafe.com/references/electrical/fcc-maximum-permiss-exposure.htm.

  • 156.

    С. Такахаши, Н. Имаи, К. Набаэ, К. Уэйк, Х. Кавай, Дж. Ван, С.-и. Ватанабэ, М. Кавабе, О. Фудзивара, К. Огава, С. Тамано и Т. Шираи, Radiat. Res. 173, 3 (2010).

    Google ученый

  • 157.

    IEEE C95.1-2005, стандарт IEEE для уровней безопасности в отношении воздействия на человека радиочастотных электромагнитных полей, от 3 кГц до 300 ГГц.http://standards.ieee.org/getieee/C95/download/C95.1-2005.pdf. По состоянию на 18 марта 2016 г.

  • 158.

    Х. Масуда, А. Усияма, М. Такахаши, Дж. Ван, О. Фудзивара, Т. Хикаге, Т. Нодзима, К. Фудзита, М. Кудо и К. Окубо, Рад. Res. 172, 1 (2009).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 159.

    Х. Сакаи, Н. Хоригучи, Д. Эндох, К. Накаяма и М. Хаяси, J. Vet. Med. Sci. 73, 3 (2010).

    Google ученый

  • 160.

    Т. Мотомура, К. Уэда, С. Охтани, Э. Хансен, Л. Джи, К. Ито, К. Сайто, Ю. Сугита и Ю. Нос, Oncol. Отчет 24, 3 (2010).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 161.

    Г. Лацци, П.О. Ганди и С. Уэно, IEEE Trans. Микроу. Теория Technol. 52, 8 (2004).

    Артикул

    Google ученый

  • 162.

    Б. Калесан, Т. Пилигрим, К. Хейниманн, Л. Рабер, Г.Г. Стефанини, М.Валгимигли, Б. да Коста, Ф. Мах, Т.Ф. Luscher, B. Meier, S. Windecker и P. Juni, Eur. Сердце J. 33, 8 (2012).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 163.

    F.G. Bechara, M. Sand, D. Sand, P. Altmeyer и K. Hoffmann, Ann. Пласт. Surg. 18, 5 (2006).

    Google ученый

  • 164.

    K.J. Ребелло, П. IEEE 92, 1 (2004).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 165.

    Х. Фаллахи и П. Пракаш, Crit. Преподобный Биомед. Англ. 46, 6 (2018).

    Артикул

    Google ученый

  • 166.

    Х. Р. Андерсен, Л. Л. Кнудсен, Дж. М. Хасенкам, Eur. Heart J. 13, 5 (1992).

    Артикул

    Google ученый

  • 167.

    Л. Петрини, Ф. Мильявакка, J. ​​Metall. 2011, 1 (2011).

    Артикул

    Google ученый

  • 168.

    Н. Венкатесан, С. Шрофф, К. Джаячандран и М. Добл, J. Endourol 24, 2 (2010).

    Артикул

    Google ученый

  • 169.

    К. Ландау, Дж. У. Currier, C.C. Haudenschild, A.C. Minihan, D. Heymann, D.P. Faxon, J. Am. Coll. Кардиол. 23, 7 (1994).

    Артикул

    Google ученый

  • 170.

    Х. Сохара, Х. Такеда, Х. Уэно, Т. Ода и С. Сатаке, Circ. Аритмия.Электрофизиол. 2, 3 (2009).

    Артикул

    Google ученый

  • 171.

    A.J.T. Тео, А. Мишра, И. Парк, Я.-Ж. Ким, W.-T. Пак и Я. Дж. Юн, ACS Biomater. Sci. Англ. 2, 4 (2016).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 172.

    L.H. Timmins, C.A. Мейер, М.Р. Морено и Дж. Мур, Endovasc. Ther. 15, 6 (2008).

    Артикул

    Google ученый

  • 173.

    T.O. Сюй, Х.С. Ким, Т. Шталь, С.П. Нукаварапу, Biomed. Матер. 13, 3 (2018).

    Google ученый

  • 174.

    С. Гарг и С. Патрик, Минерва. Кардиоангиол. 57, 5 (2009).

    Google ученый

  • 175.

    C.L. Brace, Crit. Преподобный Биомед. Англ. 38, 1 (2010).

    Артикул

    Google ученый

  • 176.

    О.Tsukada, M. Murakami, T. Kosuge и H. Yokoyama, J. Endourol. 19, 8 (2005).

    Артикул

    Google ученый

  • 177.

    С. Грихалво, Дж. Майр, Р. Эритжа и Д.Д. Диаз, Биоматер. Sci. 4, 4 (2016).

    Артикул

    Google ученый

  • 178.

    L.O. Jeansonne, Arch. Surg. 144, 1 (2019).

    Google ученый

  • 179.

    Дж. Хопкинс, Н. Дж. Свитцер и С. Кармали, World J Gastrointest. Эндоски. 7, 11 (2015).

    Google ученый

  • 180.

    Л.П. Баки, Г.А. Тума, Д. Розен и А. Розен, IEEE Trans. Микроу. Теория Technol. 48, 11 (2000).

    Артикул

    Google ученый

  • 181.

    P.M. Скианки, М.Е. Слуйтер и С.Е. Балог, Анест. Боль. Med. 3, 2 (2013).

    Артикул

    Google ученый

  • 182.

    К. Галли, Г. Педрацци, М. Маттиоли-Бельмонте и С. Гуиззарди, Int. J. Biomater. 2018, 1 (2018).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 183.

    А.К. Чауразия, Н.Д. Торат, А. Тандон, Дж. Х. Ким, С. Парк, К. Kim, Sci. Отчет 20, 16 (2016). https://doi.org/10.1038/srep33662.

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 184.

    К. Ким, Т. Сео, К. Сим, Ю.Квон, IEEE Trans. Микроу. Теория Technol. 64, 7 (2016).

    Google ученый

  • 185.

    В. Лопресто, Р. Пинто, Л. Фарина и М. Кавагнаро, Med. Англ. Phys. 46, 63 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  • 186.

    А. Джомбини, В. Джованнини, А. Ди Чезаре, П. Пачетти, Н. Ичиносеки-Секин, М. Сираиши, Х. Найто и Н. Маффулли, Br. Med. Бык. 83, 379 (2007).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 187.

    после полудня. Lawner, M.D. William, H.M.D. Ольдендорф, Л.Д.Б. Браун, Дж. Инсульт 14, 5 (2017).

    Google ученый

  • 188.

    C.M. Бутри, Л. Бекер, Ю. Кайдзава, К. Вассос, Х. Тран, А.К. Хинкли, Р. Пфаттнер, С. Ню, Дж. Ли, Дж. Клавери, З. Ван, Дж. Чанг, П.М. Фокс и З. Бао, Нат. Биомед. Англ. 3, 47 (2019).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 189.

    К. Агарвал, Р.Jegadeesan, Y.-X. Го и Н.В. Тхакор, IEEE Rev. Biomed. Англ. 10. С. 136–161 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  • 190.

    З. Ву, К. Хьорт и С.Х. Чон, П. IEEE 103, 7 (2015).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 191.

    S.-K. Канг, Р.К.Дж. Мерфи, С.-В. Хван, П. Браун, W.Z. Рэй и Дж. Роджерс, Nature 530, 71–76 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 192.

    Х. Обер, Cr. Phys. 12, 7 (2013).

    Google ученый

  • 193.

    J. Koo, M.R. MacEwan, S.K. Канг, С. Вон, М. Стивен, П. Гэмбл и Дж. А. Роджерс, Нат. Med. 24, 1830 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 194.

    S.-W. Хван, Ч. Ли, Х. Ченг, Ж.-В. Чон, С.-К. Кан, Ю. Хуанг, Дж. А. Роджерс, Нано. Lett. 15, 5 (2018).

    Google ученый

  • 195.

    H. Tao, S.-W. Хван, Б. Марелли, Дж. А. Роджерс, Ф. Omenetto, Proc. Natl. Акад. Sci. США 111, 49 (2014).

    Google ученый

  • 196.

    S.-W. Хван, Х. Тао, Д.-Х. Ким, Х. Ченг, Ж.-К. Сонг, Э. Рилл, М.А. Бренкль, Б. Панилайтис, С.М. Вон, Ю.-С. Ким, Ю.М. Сонг, К.Дж. Ю., А. Амин, Р. Ли, Ю. Су, М. Янг, Д.Л. Каплан, М.Р. Закин, М.Дж. Слепян, Ю. Хуанг, Ф. Оменетто и Дж. Роджерс, Наука 337, 6102 (2012).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 197.

    Ю.К. Ли, Дж. Ким, Ю. Ким, Дж. У. Квак, Ю. Юн и Дж. А. Роджерс, адв. Мат. 29, 38 (2012).

    Google ученый

  • 198.

    M. Ruegg, R. Blum, G. Boero, and J. Brugger, Adv. Funct. Мат. 29, 39 (2019).

    Google ученый

  • 199.

    S.R.M. Шах, Дж. Веландер, М.Д. Перес, Л. Джозеф, В. Матссон, Н.Б. Асан, Ф. Хус, Р. Августин, в 13-й Европейской конференции по антеннам и распространению радиоволн (EuCAP) (2019), стр.1–5

  • 200.

    С. Раман, Р. Августин и А. Ридберг, IEEE Trans. Антенны Propag. 62, 11 (2014).

    Артикул

    Google ученый

  • 201.

    М.Ф. Фаруки и А. Шамим, Sci. Отчет (2016). https://doi.org/10.1038/srep28949.

    Артикул

    Google ученый

  • 202.

    Дж. М. Ригелсфорд, Б. Ф. Аль-Аззави, С. Дж. Давенпорт и П. Новодворский, IEEE J. Biomed.Здоровье. Сообщить. 19, 3 (2016).

    Google ученый

  • 203.

    W. Gao, S. Emaminejad, H.Y.Y. Найн, С. Чалла, К. Чен, А. Пек и А. Джави, Nature 529, 509 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 204.

    C.W.L. Ли, А. Киурти, Дж. Чэ и Дж. Л. Волакис, IEEE Trans. Микроу. Теория Technol. 63, 6 (2015).

    Google ученый

  • Рынок СВЧ устройств | Отраслевой анализ и прогноз до 2022 г.

    Содержание

    1 Введение (стр.- 16)
    1.1 Цели исследования
    1.2 Определение рынка
    1.3 Объем исследования
    1.3.1 Охватываемые рынки
    1.3.2 Региональный охват
    1.3.3 Годы исследования
    1.4 Валюта и ценообразование
    1.5 Заинтересованные стороны рынка

    2 Методология исследования (Страница № — 19)
    2.1 Данные исследования
    2.1.1 Вторичные данные
    2.1.1.1 Вторичные источники
    2.1.2 Первичные данные
    2.1.2.1 Первичные источники
    2.1.2.2 Разбивка первичных источников
    2.2 Оценка размера рынка
    2.2.1 Подход снизу вверх
    2.2.2 Подход сверху вниз
    2.3 Структура рынка и триангуляция данных
    2.4 Допущения и ограничения исследований
    2.4.1 Допущения
    2.4.2 Ограничения

    3 Краткое содержание (Страница № — 28)

    4 Premium Insights (стр.- 32)
    4.1 Привлекательные возможности на рынке СВЧ-устройств
    4.2 По вакуумным электронным СВЧ устройствам
    4.3 Североамериканский рынок СВЧ устройств по применению и по вакуумным электронным СВЧ устройствам
    4.4 По твердотельным СВЧ устройствам Материал

    5 Обзор рынка (Страница № — 34)
    5.1 Введение
    5.2 Динамика рынка
    5.2.1 Движущие силы
    5.2.1.1 Растущий спрос на защищенную военную связь
    5.2.1.2 Высокие затраты на системы разведки, наблюдения, разведки и обнаружения целей
    5.2.1.3 Быстрая коммерциализация микроволновых устройств в телекоммуникационной отрасли
    5.2.1.4 Высокий спрос на миниатюрные микроволновые устройства
    5.2.2 Ограничения
    5.2.2.1 Высокотехнологичные Стоимость микроволновых устройств
    5.2.3 Возможности
    5.2.3.1 Расширение использования современных методов ведения войны
    5.2.3.2 Высокоэффективные материалы, изменяющие рынок микроволновых устройств
    5.2.3.3 Увеличение количества запусков спутников
    5.2.3.4 Растущий спрос на микроволновые устройства в медицинской промышленности
    5.2.4 Проблемы
    5.2.4.1 Высокая стоимость, связанная с внедрением Коммуникационные технологии
    5.2.4.2 Электромагнитные помехи и помехи

    6 отраслевых тенденций (стр.- 39)
    6.1 Введение
    6.2 Тенденции в отрасли
    6.2.1 Электромагнитное оружие
    6.2.2 Мобильная связь 5g
    6.2.3 Переход от арсенида галлия к нитриду галлия
    6.2.4 Развитие спутниковой связи Q- и V-диапазонов
    6.3 Полосы частот СВЧ
    6.4 Регистрация нововведений и патентов
    6.5 Регулирующие органы СВЧ-устройств, по регионам

    7 Рынок СВЧ-устройств по типу (стр.- 43)
    7.1 Введение
    7.2 Активные микроволновые устройства
    7.2.1 Твердотельные микроволновые устройства по типу
    7.2.1.1 Твердотельный усилитель мощности
    7.2.1.2 Другие твердотельные микроволновые устройства
    7.2.2 Твердотельные микроволновые устройства Устройства по материалу
    7.2.2.1 Арсенид галлия (GAAS)
    7.2.2.2 Кремний
    7.2.2.3 Нитрид галлия (GAN)
    7.2.2.4 Карбид кремния (SIC)
    7.2.2.5 Другие материалы
    7.2.3 Вакуумные электронные микроволновые устройства по типу
    7.2.3.1 Ламповый усилитель бегущей волны (TWTA)
    7.2.3.2 Klystron
    7.2.3.3 Магнетрон
    7.2.3.4 Усилитель пересеченного поля
    7.2.3.5 Другие вакуумные электронные микроволновые устройства
    7.3 Пассивные микроволновые устройства
    7.3.1 Волноводы
    7.3.2 Муфты
    7.3.3 Аттенюаторы
    7.3.4 Изоляторы
    7.3.5 Циркуляторы
    7.3.6 Прочие

    8 Рынок СВЧ устройств, по частоте (Страница № — 54)
    8.1 Введение
    8.2 Ku-диапазон
    8.3 C-Band
    8.4 Ka-Band
    8.5 L-Band
    8.6 X-Band
    8.7 S-Band
    8.8 Другие группы

    9 По заявке (Страница № — 61)
    9.1 Введение
    9.2 Космос и связь
    9.3 Оборона
    9.3.1 Радар
    9.3.2 Ракеты и боеприпасы
    9.3.3 Электронная война
    9.4 Коммерческая
    9.4.1 Медицинская
    9.4.2 Промышленная
    9.4.3 Научные исследования
    9.5 Космос и связь Рынок активных СВЧ-устройств, Автор Тип
    9.6 Рынок активных СВЧ-устройств для обороны, по типу
    9.7 Рынок коммерческих активных СВЧ-устройств, по типу

    10 Региональный анализ (стр.- 68)
    10.1 Введение
    10.2 Северная Америка
    10.2.1 США
    10.2.2 Канада
    10.3 Европа
    10.3.1 Германия
    10.3.2 Франция
    10.3.3 Великобритания
    10.3.4 Россия
    10.3.5 Остальная Европа
    10.4 Азиатско-Тихоокеанский регион
    10.4.1 Китай
    10.4.2 Япония
    10.4.3 Южная Корея
    10.4.4 Индия
    10.4.5 Остальной Азиатско-Тихоокеанский регион
    10.5 Остальной мир
    10.5.1 Бразилия
    10.5.2 Прочие

    11 Конкурентная среда (Страница № — 105)
    11.1 Введение
    11.2 Анализ рыночного рейтинга, 2016
    11.3 Анализ бренда
    11.4 Конкурентный сценарий
    11.4.1 Контракты
    11.4.2 Приобретения
    11.4.3 Запуск новых продуктов
    11.4.4 Соглашения, сотрудничество, расширения и партнерства

    12 Профили компании (стр.- 113)
    (Обзор бизнеса, предлагаемые продукты, последние разработки, SWOT-анализ и MnM View) *
    12.1 Введение
    12.2 Финансовые показатели
    12.3 Teledyne Technologies
    12.4 Thales
    12.5 L3 Technologies
    12.6 Qorvo
    12.7 CPI International
    12.8 Аналог. Устройства
    12.9 Microsemi
    12.10 Электронные лампы и устройства Toshiba
    12.11 General Dynamics
    12.12 Kratos Defense & Security Solutions
    12.13 Macom

    * Подробная информация об обзоре бизнеса, предлагаемых продуктах, последних разработках, SWOT-анализе и MnM-обзоре не может быть получена в случае компаний, не котирующихся на бирже.

    13 Приложение (Номер страницы — 147)
    13.1 Руководство по обсуждению
    13.2 Хранилище знаний: подписной портал Marketsandmarkets
    13.3 Введение в RT: Market Intelligence в реальном времени
    13.4 Доступные настройки
    13.5 Связанные отчеты
    13.6 Сведения об авторе

    Список таблиц (108 таблиц)

    Таблица 1 Распределение бюджетных средств Министерства обороны США на закупку технологий Cet & I на 2017 г.
    Таблица 2 Диапазоны частот СВЧ
    Таблица 3 Важные нововведения и регистрации патентов, 2011-2017 гг.
    Таблица 4 Рынок СВЧ-устройств, по типам, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 5 Рынок активных СВЧ-устройств по регионам, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 6 Рынок активных СВЧ-устройств по типам, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 7 Рынок твердотельных СВЧ-устройств по регионам, 2015-2022 гг. (Млн долларов США) )
    Таблица 8 Рынок твердотельных СВЧ-устройств, по типам, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 9 Рынок твердотельных усилителей мощности, по регионам, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 10 Рынок других твердотельных СВЧ-устройств, по регионам , 2015-2022 (в миллионах долларов США)
    Таблица 11 Рынок твердотельных СВЧ-устройств по материалам, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 12 Рынок вакуумных электронных СВЧ-устройств, по регионам, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 13 Вакуумные электронные микроволновые устройства Рынок устройств rowave, по типам, 2015-2022 (млн долларов США)
    Таблица 14 Рынок усилителей бегущей волны (TWTA), по регионам, 2015-2022 (млн долларов США)
    Таблица 15 Рынок клистронов, по регионам, 2015-2022 (млн долларов США)
    Таблица 16 Магнетрон Рынок по регионам, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 17 Рынок усилителей с перекрещенными полями, по регионам, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 18 Рынок других вакуумных электронных СВЧ-устройств, по регионам, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 19 Пассивные микроволновые печи Рынок устройств, по регионам, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 20 Рынок СВЧ-устройств по частотам, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 21 Рынок СВЧ устройств диапазона Ku, по регионам, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 22 C -Рынок СВЧ-устройств диапазона, по регионам, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 23 Рынок СВЧ устройств диапазона Ka, по регионам, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 24 Рынок СВЧ устройств диапазона L, по регионам, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 25 Рынок СВЧ устройств диапазона X, по Regio n, 2015-2022 (в миллионах долларов США)
    Таблица 26 Рынок СВЧ-устройств S-диапазона, по регионам, 2015-2022 (в миллионах долларов США)
    Таблица 27 Рынок СВЧ-устройств других диапазонов, по регионам, 2015-2022 (миллион долларов США)
    Таблица 28 По приложениям, 2015- 2022 г. (млн долларов США)
    Таблица 29 Рынок СВЧ-устройств для космической и коммуникационной техники, по регионам, 2015 г. 2022 г. (млн долл. США)
    Таблица 30 Рынок оборонной продукции, по регионам, 2015 г. 2022 г. (млн долл. США)
    Таблица 31 Рынок оборонной продукции, по конечному использованию, 2015 г. Миллион)
    Таблица 32 Рынок коммерческих СВЧ-устройств, по регионам, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 33 Рынок коммерческих СВЧ-устройств, по конечному использованию, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 34 Космос и связь Рынок активных СВЧ-устройств, по типам, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 35 Рынок активных СВЧ-устройств для обороны, по типам, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 36 Рынок коммерческих активных СВЧ-устройств, по типам, 2015-2022 гг. (Миллионы долларов США)
    Таблица 37 Размер рынка СВЧ-устройств по регионам, 2015 г. -2022 (млн долл. США on)
    Таблица 38 Северная Америка: Размер рынка СВЧ-устройств по типу, 2015-2022 гг. (млн долларов США)
    Таблица 39 Северная Америка: Размер рынка СВЧ-устройств по активным СВЧ-устройствам, 2015-2022 гг. (млн долларов США)
    Таблица 40 Север Америка: размер рынка микроволновых устройств, по вакуумным электронным микроволновым устройствам, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 41 Северная Америка: Размер рынка микроволновых устройств по твердотельным микроволновым устройствам, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США)
    Таблица 42 Северная Америка : Размер рынка микроволновых устройств, по частоте, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 43 Северная Америка: Размер рынка микроволновых устройств по приложениям, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США)
    Таблица 44 Северная Америка: Размер рынка микроволновых устройств по странам , 2015-2022 (в миллионах долларов США)
    Таблица 45 США: Размер рынка микроволновых устройств по типу, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США)
    Таблица 46 США: Размер рынка микроволновых устройств по активным микроволновым устройствам, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США)
    Таблица 47 США: Объем рынка СВЧ-устройств в разбивке по приложениям, 2015-2020 гг. 22 (в миллионах долларов США)
    Таблица 48 Канада: размер рынка по типу, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США)
    Таблица 49 Канада: Размер рынка микроволновых устройств по активным микроволновым устройствам, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США)
    Таблица 50 Канада: Размер рынка по приложениям, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 51 Европа: объем рынка по типам, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США)
    Таблица 52 Европа: Размер рынка по активным микроволновым устройствам, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США) )
    Таблица 53 Европа: размер рынка по вакуумным электронным микроволновым устройствам, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 54 Европа: объем рынка по твердотельным микроволновым устройствам, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США)
    Таблица 55 Европа: рынок Размер, по частоте, 2015-2022 (в миллионах долларов США)
    Таблица 56 Европа: Размер рынка, по приложениям, 2015-2022 (миллион долларов США)
    Таблица 57 Европа: Размер рынка, по странам, 2015-2022 (миллион долларов США)
    Таблица 58 Германия: размер рынка микроволновых устройств по типу, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 59 Германия: размер рынка по активным микроволновым устройствам, 2015-2020 гг. 22 (в миллионах долларов США)
    Таблица 60 Германия: размер рынка по приложениям, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 61 Франция: размер рынка по типу, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США)
    Таблица 62 Франция: размер рынка по Активные микроволновые устройства, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 63 Франция: размер рынка по приложениям, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США)
    Таблица 64 Великобритания: Размер рынка микроволновых устройств по типам, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США)
    Таблица 65 Великобритания: размер рынка по активным СВЧ-устройствам, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 66 Великобритания: Размер рынка по приложениям, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 67 Россия: Объем рынка СВЧ-устройств по типам, 2015-2022 (в миллионах долларов США)
    Таблица 68 Россия: объем рынка по активным микроволновым устройствам, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США)
    Таблица 69 Россия: размер рынка по приложениям, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США)
    Таблица 70 Остальные данные Европа: размер рынка микроволновых устройств, по типу, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 71 Остальные страны Европы: объем рынка, по активным микроволновым устройствам, 2015-2022 гг. (Долл. США) Миллион)
    Таблица 72 Остальные страны Европы: размер рынка по приложениям, 2015-2022 (млн долларов США)
    Таблица 73 Азиатско-Тихоокеанский регион: Размер рынка микроволновых устройств, по типу, 2015-2022 годы (млн долларов США)
    Таблица 74 Азиатско-Тихоокеанский регион: Рынок Размер, по активным микроволновым устройствам, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 75 Азиатско-Тихоокеанский регион: объем рынка, по устройствам с вакуумными электронными микроволновыми печами, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США)
    Таблица 76 Азиатско-Тихоокеанский регион: Размер рынка по твердотельным микроволновым устройствам Устройства, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 77 Азиатско-Тихоокеанский регион: Объем рынка микроволновых устройств, по частоте, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 78 Азиатско-Тихоокеанский регион: Объем рынка микроволновых устройств, по приложениям, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США) )
    Таблица 79 Азиатско-Тихоокеанский регион: Объем рынка СВЧ-устройств, по странам, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 80 Китай: Размер рынка СВЧ-устройств, по типам, 2015-2022 гг. (Млн. Долларов США)
    Таблица 81 Китай: Рынок СВЧ-устройств Размер в разбивке по активным микроволновым устройствам, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 82 Китай: Разработка для микроволновых печей Размер рынка льда, по приложениям, 2015-2022 гг. (в миллионах долларов США)
    Таблица 83 Япония: размер рынка микроволновых устройств по типам, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США)
    Таблица 84 Япония: Размер рынка микроволновых устройств по активным микроволновым устройствам, 2015 г. -2022 (в миллионах долларов США)
    Таблица 85 Япония: размер рынка микроволновых устройств по приложениям, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США)
    Таблица 86 Южная Корея: размер рынка микроволновых устройств по типам, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США)
    Таблица 87 Южная Корея: размер рынка микроволновых устройств в разбивке по активным микроволновым устройствам, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 88 Южная Корея: размер рынка микроволновых устройств в разбивке по приложениям, 2015-2022 годы (млн долларов США)
    Таблица 89 Индия: Размер рынка микроволновых устройств , По типу, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 90 Индия: Размер рынка микроволновых устройств, по активным микроволновым устройствам, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США)
    Таблица 91 Индия: Размер рынка микроволновых устройств, по приложениям, 2015-2022 гг. ( В миллионах долларов США)
    Таблица 92 Остальные страны Азиатско-Тихоокеанского региона: размер рынка микроволновых устройств по типу, 201 5-2022 (в миллионах долларов США)
    Таблица 93 Остальные страны Азиатско-Тихоокеанского региона: размер рынка микроволновых устройств в разбивке по активным микроволновым устройствам, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США)
    Таблица 94 Остальные страны Азиатско-Тихоокеанского региона: размер рынка микроволновых устройств в разбивке по приложениям, 2015- 2022 (в миллионах долларов США)
    Таблица 95 Остальной мир: размер рынка микроволновых устройств, по типу, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 96 Остальные страны: объем рынка микроволновых устройств, по активным микроволновым устройствам, 2015-2022 ( В миллионах долларов США)
    Таблица 97 Остальной мир: объем рынка микроволновых устройств, по вакуумным электронным микроволновым устройствам, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 98 Остальной мир: объем рынка микроволновых устройств, по твердотельным микроволновым устройствам, 2015 г. -2022 (в миллионах долларов США)
    Таблица 99 Остальной мир: размер рынка микроволновых устройств, по частоте, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 100 Остальные страны: размер рынка микроволновых устройств, по приложениям, 2015-2022 гг. (Долл. США) Миллион)
    Таблица 101 Остальной мир: размер рынка СВЧ-устройств по странам, 2015–2015 гг. 022 (в миллионах долларов США)
    Таблица 102 Бразилия: размер рынка микроволновых устройств по типу, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 103 Бразилия: размер рынка микроволновых устройств по активным микроволновым устройствам, 2015-2022 годы (в миллионах долларов США)
    Таблица 104 Бразилия: размер рынка СВЧ-устройств по применению, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 105 Прочие: Размер рынка СВЧ-устройств по типу, 2015-2022 гг. (Млн долларов США)
    Таблица 106 Прочие: Объем рынка СВЧ-устройств по активным СВЧ-устройствам Устройства, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 107 Прочее: Объем рынка СВЧ-устройств, по приложениям, 2015-2022 гг. (В миллионах долларов США)
    Таблица 108 Анализ брендов пяти ведущих игроков на рынке СВЧ-устройств

    Список рисунков (45 рисунков)

    Рисунок 1 Схема исследования
    Рисунок 2 Дизайн исследования
    Рисунок 3 Разбивка первичных интервью: по типу компании, названию и региону
    Рисунок 4 Подход снизу вверх
    Рисунок 5 Подход сверху вниз
    Рисунок 6 Триангуляция данных
    Рисунок 7 На основе Type, рынок активных микроволновых устройств, по прогнозам, будет лидером в период с 2017 по 2022 год
    Рисунок 8 По оценкам, рынок твердотельных микроволновых устройств будет лидером на рынке активных микроволновых устройств в 2017 году
    Рисунок 9 Предполагается, что приложение Space & Communication будет лидировать в микроволновой Рынок устройств в течение периода прогноза
    Рисунок 10 Исходя из диапазона частот, Ku-диапазон, по оценкам, будет лидером на рынке в 2017 году
    Рисунок 11 Региональный снимок: рынок микроволновых устройств
    Рисунок 12 Согласно прогнозам, рост спроса на безопасную военную связь будет стимулировать развитие микроволнового излучения Рынок устройств в период прогноза
    Рисунок 13 Усилитель на бегущей волне, обеспечивающий наибольшую долю в вакууме Рынок электронных СВЧ-устройств в 2017 г.
    Рис. 14 По оценкам, наибольшая доля рынка СВЧ-устройств в Северной Америке будет приходиться на приложения для космоса и связи в 2017 г.
    Рис. 15 Рынок материалов на основе арсенида галлия, по прогнозам, будет лидировать на рынке с 2017 по 2022 г.
    Рис. Динамика рынка
    Рисунок 17 Отраслевые тенденции на рынке
    Рисунок 18 Прогнозируемый рост рынка активных СВЧ-устройств в течение прогнозируемого периода
    Рисунок 19 Прогнозируемый рост рынка Ku-диапазона в течение прогнозного периода
    Рисунок 20 Пространство И связь Рынок СВЧ-устройств, согласно прогнозам, будет расти с максимальным среднегодовым темпом роста в течение прогнозного периода
    Рисунок 21 По оценкам, на Северную Америку будет приходиться самая большая доля рынка СВЧ-устройств в 2017 году
    Рисунок 22 Обзор рынка СВЧ-устройств Северной Америки
    Рисунок 23 Европа Обзор рынка
    Рисунок 24 Обзор рынка Азиатско-Тихоокеанского региона
    Рисунок 25 Компании, принявшие меры Контракты и запуск новых продуктов как ключевые стратегии роста с 2010 по 2017 год
    Рисунок 26 Рейтинг ключевых игроков на рынке микроволновых устройств, 2016
    Рисунок 27 Ключевые изменения, предпринятые ведущими игроками на рынке микроволновых устройств (2014-2017)
    Рисунок 28 Ведущие компании, выпускающие микроволновые устройства, по регионам
    Рисунок 29 Структура доходов 5 ведущих игроков рынка в регионах
    Рисунок 30 Основные финансовые показатели основных игроков на рынке микроволновых устройств
    Рисунок 31 Teledyne Technologies: обзор компании
    Рисунок 32 Teledyne Technologies: SWOT-анализ
    Рисунок 33 Thales: Обзор компании
    Рисунок 34 Thales: SWOT-анализ
    Рисунок 35 Технологии L3: Обзор компании
    Рисунок 36 Технологии L3: SWOT-анализ
    Рисунок 37 Qorvo: Обзор компании
    Рисунок 38 Qorvo: SWOT-анализ
    Рисунок 39 CPI International: Обзор компании
    Рисунок 40 CPI International: SWOT-анализ
    Рисунок 41 Analog Devices: обзор компании
    Рисунок 4 2 Microsemi: Снимок компании
    Рисунок 43 Общая динамика: Снимок компании
    Рисунок 44 Решения Kratos для защиты и безопасности: Снимок компании
    Рисунок 45 Macom: Снимок компании

    СВЧ-устройств — e2v

    Интегрированные СВЧ-блоки, разработанные по индивидуальному заказу

    e2v использует широкий спектр технологий для создания высокоинтегрированного радиочастотного модуля для ключевых оборонных приложений.Ниже показаны продукты для конкретных приложений.

    Модуль усилителя драйвера TWTA X-Band

    Усилитель мощности диапазона x со встроенным регулируемым аттенюатором с ослаблением 30 дБ с шагом 0,5 дБ. Выходная мощность 28 дБм со встроенными прецизионными видеодетекторами, позволяющими контролировать уровни входной и выходной мощности. Высокая изоляция входа-выхода (›60 дБ) и небольшая масса (‹ 700 г). Совместимость с военно-воздушной средой.

    Модуль усилителя драйвера X-диапазона, показывающий внутренние виды микроволновой схемы и управляющей электроники.

    Источники УВЧ со сверхнизким уровнем шума

    Генераторы поверхностных акустических волн

    обеспечивают выходной сигнал УВЧ с очень хорошим фазовым шумом, близким к несущей, вместе с определенной температурной стабильностью и долговременной стабильностью. Обычно частоты находятся в диапазоне от 600 МГц до 1200 МГц. Такие генераторы сочетаются с источниками питания, усилителем на выходе и переключателями, чтобы получить компактный, высокопроизводительный, многочастотный модуль источника.

    Для дальнейшего улучшения электрических характеристик в условиях механической вибрации используются запатентованные механические конструкции, которые изолируют генераторы на ПАВ от корпуса модуля.Конструкция модуля генератора соответствует военным требованиям по охране окружающей среды.

    • Генератор поверхностных акустических волн (ПАВ)
    • Сверхнизкие радиочастотные шумовые характеристики
    • Сверхнизкие характеристики фазового шума
    • Электронное переключение между несколькими независимыми частотными каналами генератора на ПАВ (интерфейс TTL)
    • Диапазон частот УВЧ

    Модуль УВЧ-генератора со сверхнизким уровнем шума.

    Разветвитель мощности X-Band

    ВЧ-усилитель и разветвитель мощности 9 ГГц, обеспечивающий две пары сбалансированных, изолированных ВЧ-сигналов возбуждения гетеродина и два связанных уровня мощности для когерентных параллельных каналов приема.

    Преобразователь с повышением частоты / умножитель

    Модуль преобразования с повышением частоты, увеличивающий входные сигналы S-диапазона до частоты 35 ГГц. Отсутствие существенных основных гармоник, гармоник или выбросов в выходном сигнале.

    Встроенная радиочастотная головка KU-Band

    Циркуляционный насос 15 ГГц, ограничитель и малошумящий усилитель.

    e2v может использовать широкий спектр технологий для создания высокоинтегрированного радиочастотного модуля для ключевых оборонных приложений. Ниже показаны три продукта для конкретных приложений.

    Модуль X-Band TR для РЛС с фазированной антенной решеткой

    Приемопередающий модуль с выходной мощностью 30 дБм, включая встроенные аттенюаторы и фазовращатели.Изолятор «золото на феррите» и широкое использование технологии MMIC повсюду.

    Модуль усилителя драйвера TWTA X-Band

    Усилитель мощности X-диапазона, регулируемый аттенюатор с ослаблением 30 дБ с шагом 0,5 дБ. Выходная мощность 28 дБм, встроенные детекторы, позволяющие контролировать входную и выходную мощности.

    Радиолокационная головка 94 ГГц

    Радиолокационная головка 94 ГГц с одним портом приема-передачи и одним портом только приема, включающая микроволновый источник на диоде Ганна, изоляторы, смесители, понижающие преобразователи и усиление ПЧ.

    Рынок

    СВЧ-устройств | Рост, тенденции и прогнозы (2020 г.

    Обзор рынка

    Самый быстрорастущий рынок:

    Азиатско-Тихоокеанский регион

    Крупнейший рынок:

    Северная Америка

    Обзор рынка

    Среднегодовой темп роста рынка микроволновых устройств превышает прогноз на 3,23% период с 2021 по 2026 год. По данным Ассоциации спутниковой индустрии, в 2018 году мировая отрасль спутникового навигационного оборудования принесла около 93 долларов США.Выручка составила 3 ​​миллиарда долларов, тогда как в 2016 году она составила 84,6 миллиарда долларов США. В ответ на рост производства оборудования для спутниковой навигации, рынок микроволновых устройств также будет расти.

    • Кроме того, в 2018 году было запущено в общей сложности 88 спутников, что больше по сравнению с 85 спутниками, запущенными в 2016 году. Увеличение количества запусков спутников способствует использованию микроволновых устройств, таких как частотно-излучающие башни и спутники, для отправки и прием сигналов данных.
    • Например, в апреле 2018 года был успешно запущен и выведен на орбиту спутник Sentinel-3B, созданный Thales Alenia Space для Европейского космического агентства (ESA).Этот спутник оснащен SRAL (радиолокационный высотомер с синтезированной апертурой) и MWR (микроволновый радиометр), который обеспечивает измерения для определения топографии океанов, морского льда и водоемов на суше. Это поможет улучшить океанографические и атмосферные прогнозы.
    • Кроме того, ожидается, что рост клиентской базы в связи с повышенным вниманием к внедрению подключенных технологий, таких как Интернет вещей, также будет способствовать росту рынка в ближайшие годы. Этот рост характеризуется оптимальными характеристиками с точки зрения низких потерь сигнала и диапазона высоких частот.
    • Однако высокая стоимость производства, а также затраты на исследования и разработки для улучшения технологии — это несколько факторов, которые заставляют рынок расти в течение прогнозируемого периода.

    Объем отчета

    Микроволны наиболее широко используются в спутниковой связи, радиолокационных сигналах, телефонах и навигационных приложениях. Эти устройства также используются для обнаружения рака и абляции тканей и роговицы благодаря их оптимальному проникновению через поверхность. Промышленность микроволновых устройств делится на такие регионы, как Северная Америка, Европа и Азиатско-Тихоокеанский регион.Северная Америка показала значительный рост за последние годы

    Другие

    По заявкам
    Космос и связь
    Медицинские
    Обороны
    География
    Северная Америка
    США
    Канада

    93274 Европа Франция Великобритания Остальная Европа

    Азиатско-Тихоокеанский регион
    Китай apan
    Южная Корея
    Индия
    Остальные страны Азиатско-Тихоокеанского региона
    Остальные страны мира

    Остальные страны мира ROW

    Объем отчета можно настроить в соответствии с вашими требованиями.Кликните сюда.

    Ключевые тенденции рынка

    Космические исследования предполагают потенциальный рост
    • Исследования космоса превратились из полетов шаттлов и полетов на Международную космическую станцию ​​в беспилотные полеты на Марс и возможности космического туризма. В ответ на такую ​​эволюцию освоения космоса, когда системы слежения и связи космических аппаратов являются единственными средствами взаимодействия, микроволны подходят для беспроводной передачи сигналов с большей полосой пропускания.
    • Кроме того, НАСА объявило о планах отправить первую женщину на Луну в 2024 году в рамках программы Artemis, и программа также направлена ​​на то, чтобы отправить людей на поверхность Марса к 2030-м годам.
    • Следовательно, это привело к проекту оптической связи в дальнем космосе, возглавляемому Лабораторией реактивного движения НАСА. Это нацелено на развитие лазерной связи для увеличения скорости соединения для будущего исследования солнечной системы человеком. В ответ на это Лаборатория реактивного движения работает над технологиями реализации оптического приемопередатчика и наземного приемника для дальнего космоса, которые обеспечат скорость передачи данных более чем в 10 раз по сравнению с современной современной радиочастотной системой дальнего космоса (Ka -диапазон, разновидность СВЧ) для космического аппарата аналогичной массы и мощности.
    • Ожидается, что такие космические проекты положительно повлияют на рынок и откроют огромные возможности для освоения космоса.

    Чтобы понять основные тенденции, загрузите образец отчета.

    Северная Америка владеет большей долей
    • Благодаря росту внедрения новейших технологий, таких как широкополосные каналы передачи данных и наземные радары, а также наличие хорошо зарекомендовавших себя промышленная инфраструктура, Северная Америка занимает основную долю рынка.
    • Кроме того, расходы на медицинские услуги в регионе Северной Америки растут из-за старения населения, которое требует и требует рентабельных медицинских учреждений, что увеличивает спрос на микроволновую продукцию, такую ​​как системы визуализации.
    • Кроме того, в июне 2019 года исследовательская лаборатория ВВС на авиабазе Киртланд представила оружие под названием Tactical High Power Microwave Operational Responder, или THOR. Он способен вывести из строя беспилотный летательный аппарат за доли секунды с помощью невидимой и неслышной электромагнитной волны.Это планируется разместить на военных базах США по всему миру в ближайшем будущем.
    • Таким образом, применение СВЧ-устройств в Северной Америке будет расти, что, в свою очередь, будет способствовать росту рынка во всем мире.

    Чтобы понять тенденции в географии, загрузите образец отчета.

    Конкурентная среда

    Рынок микроволновых устройств является конкурентным по своей природе из-за присутствия глобальных игроков. Некоторые из ключевых поставщиков — L3 Technologies, Thales Group, Teledyne Technologies, Inc, Cytec Corporation и Richardson Electronics, Ltd.Ожидается, что огромные расходы правительств на оборону и сектор космической связи откроют новые возможности для микроволновых устройств во всем мире, что, в свою очередь, усилит конкуренцию между игроками. Запуск новых продуктов, высокие затраты на исследования и разработки, партнерские отношения и приобретения и т. Д. — вот основные стратегии роста, принятые этими компаниями для поддержания острой конкуренции. Вот некоторые из последних событий:

    • август 2019 г. — Компания Communications & Power Industries LLC (CPI) заключила соглашение о покупке SATCOM Technologies, подразделения антенных систем General Dynamics Mission Systems, Inc., бизнес-подразделение General Dynamics. Этот бизнес дополнит существующий портфель коммуникационных продуктов CPI для правительственных, военных и коммерческих приложений.
    • Май 2019 г. — Корпорация API Technologies Corp была приобретена аффилированным лицом AEA Investors LP. Это приобретение расширит портфель продуктов и клиентскую базу инвесторов AEA с точки зрения высокопроизводительных решений для преобразования радиочастотных и микроволновых сигналов и управления электромагнитным спектром.

    Вы также можете приобрести части этого отчета.Хотите ознакомиться с прайс-листом по разделам?

    Получить разбивку цен сейчас

    Содержание

    1. 1. ВВЕДЕНИЕ

      1. 1.1 Результаты исследования

      2. 1.2 Предположения исследования

      3. 1.3 Объем исследования

      9002 9000EAR 9000EAR

      МЕТОДОЛОГИЯ

    2. 3. КРАТКИЙ ОБЗОР

    3. 4. ДИНАМИКА РЫНКА

      1. 4.1 Обзор рынка

      2. 4.2 Введение в рыночные драйверы и ограничения

      3. 4.3 Рыночные драйверы

        1. 4.3.1 Растущий спрос на защищенную военную связь

        2. 4.3.2 Быстрая коммерциализация микроволновых устройств в телекоммуникационной отрасли

      4. 4.4 Ограничения рынка

        1. 4.4.1 Высокие технологические затраты на микроволновые устройства

      5. 4.5 Анализ цепочки создания стоимости / цепочки поставок

      6. 4.6 Привлекательность отрасли — анализ пяти сил Портера

        1. 4.6.1 Угроза новых участников

        2. 4.6.2 Торговая сила покупателей / потребителей

        3. 4.6.3 Торговая сила поставщиков

        4. 4.6.4 Угроза замещающих продуктов

        5. 4.6.5 Интенсивность конкурентного соперничества

    4. 5. СЕГМЕНТАЦИЯ РЫНКА

      1. 5.1 По заявке

        1. 5.1.1 Космос и связь

        2. 5.1.2 Медицина

        3. 5.1.3 Оборона

        4. 5.1.4 Прочие (коммерческие)

      2. 5.2 География

        1. 5.2.1 Северная Америка

          1. 5.2.1.1 США

          2. 5.2.1.2 Канада

        2. 5.2.2 Европа

          1. 5.2.2.1 Германия

          2. 5.2.2.2 Франция

          3. 5.2.2.3 Соединенное Королевство

          4. 5.2.2.4 Остальная Европа

        3. 5.